一种沟槽栅场效应晶体管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种沟槽栅场效应晶体管，本实用新型专利技术包括衬底；淀积在所述衬底上的第一N型掺杂区；淀积在所述第一N型掺杂区上的第二N型掺杂区，所述第二N型掺杂区的掺杂浓度大于所述第一N型掺杂区的掺杂浓度；所述第二N型掺杂区的边侧形成有第一沟槽，所述第一沟槽内填有P型掺杂区；所述第二N型掺杂区的中部形成有第二沟槽，所述第二沟槽内填有多晶硅形成栅极区；本实用新型专利技术所述的沟槽栅场效应晶体管，P型掺杂区进一步境降低碳化硅的导通电阻，提高碳化硅高温环境下的工作能力，提高防短路的能力。力。力。

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽栅场效应晶体管


[0001]本技术涉及碳化硅
，尤其是指一种沟槽栅场效应晶体管。

技术介绍

[0002]碳化硅是新型宽禁带半导体材料，具有出色的物理、化学和电学性能，碳化硅的击穿电场强度是传统硅的10倍，导热率是硅的三倍，这使得基于碳化硅的功率器件半导体，在大功率和高温应用的环境中非常具有吸引力和应用前景，然而，纯碳化硅并无导电性，需加入特定粒子以实现其导电性，其中，碳化硅金属氧化物场效应管具有低导通电阻，开关速度快，耐高温等特点，而且，现有技术中，沟槽栅场效应管相对于平面栅的导通内阻大小已经降低，但在一些应用场合也依然不够，尤其在高温工作中，另外此技术的短路能力也有待加强。

技术实现思路

[0003]为此，本技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中碳化硅的导通电阻过大的问题，进而提供一种沟槽栅场效应晶体管，能进一步降低碳化硅的导通电阻，提高碳化硅防短路的能力。
[0004]为解决上述技术问题，本技术提供了一种沟槽栅场效应晶体管，包括衬底；淀积在所述衬底上的第一N型掺杂区；淀积在所述第一N型掺杂区上的第二N本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟槽栅场效应晶体管，其特征在于，包括，衬底；淀积在所述衬底上的第一N型掺杂区；淀积在所述第一N型掺杂区上的第二N型掺杂区，所述第二N型掺杂区的掺杂浓度大于所述第一N型掺杂区的掺杂浓度；所述第二N型掺杂区的边侧形成有第一沟槽，所述第一沟槽内填有P型掺杂区；所述第二N型掺杂区的中部形成有第二沟槽，所述第二沟槽内填有多晶硅形成栅极区。2.根据权利要求1所述的一种沟槽栅场效应晶体管，其特征在于，所述P型掺杂区沿淀积方向的厚度与所述第二N型掺杂区的厚度一致。3.根据权利要求1或2所述的一种沟槽栅场效应晶体管，其特征在于，所述P型掺杂区为碳化硅P型掺杂区。4.根据权利要求1所述的一种沟槽栅场效应晶体管，其特征在于，还包括设置在所述第二N型掺杂区上的多离子区，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐吉，傅玥，孔令涛，
申请(专利权)人：南京芯干线科技有限公司，
类型：新型
国别省市：