本发明涉及一种具有集成结构的碳化硅器件及其制备方法，所述碳化硅器件包括N掺杂衬底、N掺杂外延层、电流扩展层、掺杂区、栅氧化层、第一栅极以及第二栅极；所述碳化硅器件采用阶梯式的栅氧结构，栅氧化层的厚度进行梯度设置，栅氧化层较厚的一侧能够提...

本发明涉及一种结终端结构及其制备方法、半导体器件，属于半导体技术领域。结终端结构包括：衬底、外延层、第一氧化层和源极金属；外延层设置在衬底一侧，其包括P+区域和JTE区域，P+区域设置在外延层内远离衬底一侧，JTE区域设置在外延层内远离...

本技术涉及一种高功率密度电能转换装置，包括：第一电路板，所述第一电路板上集成有半导体功率器件和信号采集电路，所述第一电路板上第一插孔和多个第二插孔；第二电路板，所述第二电路板上设置有引脚，所述第二电路板通过引脚插设在所述第一插孔上，所述...

本发明提供了一种光伏制冷电路及制冷设备，其包括：太阳能电源；控制电路，控制电路连接于太阳能电源输出端，且其内部为电压递增的升压电路；充电电路，充电电路连接于控制电路的一个输出端，其包括半桥电路、蓄电池以及电流传感器；应用电路，应用电路同...

本发明涉及一种集成异质结二极管的MOSFET器件及制备方法，该器件包括自下而上依次设置的衬底层、外延层和电流分散层；还包括凸形结构，所述凸形结构位于电流分散层上端中部，其包括自下而上设置的凸起部和基部，凸起部设置为p‑shield层；基...

本发明涉及一种集成JFET的MOS器件制备方法及MOS器件，属于半导体技术领域。包括：对外延层进行刻蚀，形成第一柱体、第二柱体和第一沟槽，在第一沟槽下方形成电流分散层；在电流分散层内靠近第一沟槽底壁一侧形成第一P‑区域，在第一P‑区域内...

本技术涉及一种集成驱动电路的功率器件，包括驱动电路和碳化硅mos管；其包括碳化硅N+衬底，所述碳化硅N+衬底的第一表面形成有第一碳化硅N‑外延层，所述第一表面的第一区域集成有驱动电路；所述第一沟槽由所述第一碳化硅N‑外延层延伸至所述第一...

本发明涉及一种集成

本发明涉及一种

本实用新型涉及一种贴片器件的测试夹具，其包括第一固定部、第二固定部和测试组件；所述第一固定部包括能够配合夹紧的安装基板和安装盖板，夹紧时所述安装盖板的第一表面与所述安装基板的第二表面平行正对设置；所述第二固定部包括设置于所述第一表面的压...

本实用新型涉及一种分离栅沟槽MOS管器件，包括衬底和形成在所述衬底上的外延层，所述外延层内设有沟槽，所述沟槽的底部和部分的侧壁均设有第一氧化层；所述沟槽内沉积有第一栅极多晶硅层，所述第一栅极多晶硅层被分离为依次间隔设置的第一分离栅、第二...

本发明涉及一种具有集成结构的碳化硅器件及其制备方法，包括：包括：N掺杂衬底；所述N掺杂衬底上方设有N掺杂漂移区；N掺杂衬底下方设有漏极金属；所述N掺杂漂移区上方设有N

本实用新型涉及氮化镓技术领域，尤其是指一种氮化镓模块，包括：引线框架；基板，包括层叠的焊接层、散热层，所述焊接层位于所述引线框架内，所述散热层露出于所述引线框架的第一表面；元器件组件，设于所述引线框架内，与所述焊接层连接，包括氮化镓单元...

本实用新型涉及一种兼具MOSFET与IGBT结构的碳化硅功率器件，包括衬底层和栅极，衬底层包括第一衬底和第二衬底；栅极设置于第二衬底上；第一衬底包括第一导电类型部和第二导电类型部，第一导电类型部和第二导电类型部相互交替设置，第一导电类型...

本发明涉及一种氮化镓驱动器件及其封装方法、氮化镓驱动模块，所述氮化镓驱动器件包括安装载板和功率组件；所述安装载板包括第一表面和背离所述第一表面的第二表面，所述第二表面的全部区域设置为散热层，所述散热层的材质设置为金属；所述功率组件包括氮...

本发明涉及一种基于蜂巢储能的自适应充换电管理方法及系统，方法应用于基于蜂巢储能的自适应充换电管理系统，系统包括BMS电池管理模块，方法包括在接收到电池的充电请求时，BMS电池管理模块对电池进行标定，生成电池的标定信息；完成标定后，BMS...

本实用新型涉及一种沟槽栅场效应晶体管，本实用新型包括衬底；淀积在所述衬底上的第一N型掺杂区；淀积在所述第一N型掺杂区上的第二N型掺杂区，所述第二N型掺杂区的掺杂浓度大于所述第一N型掺杂区的掺杂浓度；所述第二N型掺杂区的边侧形成有第一沟槽...

本实用新型涉及一种便于散热的氮化镓器件及驱动元器件的集成模块，包括：基板、电连接部、氮化镓器件和驱动元器件；基板包括下金属层、上金属层和叠置在下金属层和上金属层之间的介质层，下金属层和介质层，两者的大小相等、形状相同；上金属层上形成多个...

本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件以及制备方法，包括衬底；第一N型外延层设置在衬底上；第二N型外延层设置在第一N型外延层上；P型体区位于第二N型外延层的外侧并使第二N型外延层的内部区域成为N型漂移区；源极区设置在P型体区上方，源极区...

本发明涉及一种混合门极氮化镓功率器件，介质层中设有源极、漏极以及混合门极，混合门极包括P型氮化镓层和两个金属门极层，P型氮化镓层具有背离阻挡层的第一表面和朝向漏极的第二表面，两个门极金属层分别设于P型氮化镓层的第一表面侧和第二表面侧，P...