一种氮化镓模块制造技术

本实用新型专利技术涉及氮化镓技术领域，尤其是指一种氮化镓模块，包括：引线框架；基板，包括层叠的焊接层、散热层，所述焊接层位于所述引线框架内，所述散热层露出于所述引线框架的第一表面；元器件组件，设于所述引线框架内，与所述焊接层连接，包括氮化镓单元、电容单元、电阻单元、二极管单元；引脚，一端与所述焊接层和/或元器件组件连接，另一端与所述引线框架焊接，且露出于所述引线框架的第二表面。本实用新型专利技术为氮化镓单管提供高效散热系统，降低器件的工作温度，提高期间寿命及性能；将电容、电阻、二极管等器件和氮化镓单管在单一模块中组成基本电路，提升应用端的工作效率。提升应用端的工作效率。提升应用端的工作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓模块


[0001]本技术涉及氮化镓
，尤其是指一种氮化镓模块。

技术介绍

[0002]氮化镓(GaN)器件主要指GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors：高电子迁移率晶体管)。氮化镓(GaN)相比于硅材料具备决定性的优势。尤其是相较于硅MOSFET，氮化镓材料具备更高的临界电场、独有且出色的动态导通电阻、更低的电容，使其尤为适用于功率半导体器件，让GaN HEMT成为高速开关的理想之选。氮化镓晶体管可以在缩短死区时间的情况下工作，从而提高效率，并实现被动冷却。在高开关频率下工作可以缩小被动器件的体积，从而提高了GaN HEMT的可靠性和整体功率密度。
[0003]现有技术的缺点：1、现有的氮化镓单管一般采用贴片焊接的方式连接到PCB上，PCB材料散热效果较差，芯片温度高，寿命短，同时温度影响器件的持续电流下降，使得输出能力减弱，容易导致器件失效。2、现有的氮化镓单管在PCB应用时，需要另外搭配电容、电阻等元器件成套使用，需要花费大量的的贴片时间。

技术实现思路

[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓模块，其特征在于，包括：引线框架；基板，包括层叠的焊接层、散热层，所述焊接层位于所述引线框架内，所述散热层露出于所述引线框架的第一表面；元器件组件，设于所述引线框架内，与所述焊接层连接，包括氮化镓单元、电容单元、电阻单元、二极管单元；引脚，一端与所述焊接层和/或元器件组件连接，另一端与所述引线框架焊接，且露出于所述引线框架的第二表面。2.根据权利要求1所述的一种氮化镓模块，其特征在于，所述引线框架与所述基板焊接为一体。3.根据权利要求1所述的一种氮化镓模块，其特征在于，所述散热层的露出面与所述引线框架的第一表面共面。4.根据权利要求1所述的一种氮化镓模...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅玥，孔令涛，陈云，许彪，刘欢，
申请(专利权)人：南京芯干线科技有限公司，
类型：新型
国别省市：