一种氮化镓模块制造技术

本实用新型专利技术涉及氮化镓技术领域，尤其是指一种氮化镓模块，包括：引线框架；基板，包括层叠的焊接层、散热层，所述焊接层位于所述引线框架内，所述散热层露出于所述引线框架的第一表面；元器件组件，设于所述引线框架内，与所述焊接层连接，包括氮化镓单元、电容单元、电阻单元、二极管单元；引脚，一端与所述焊接层和/或元器件组件连接，另一端与所述引线框架焊接，且露出于所述引线框架的第二表面。本实用新型专利技术为氮化镓单管提供高效散热系统，降低器件的工作温度，提高期间寿命及性能；将电容、电阻、二极管等器件和氮化镓单管在单一模块中组成基本电路，提升应用端的工作效率。提升应用端的工作效率。提升应用端的工作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓模块


[0001]本技术涉及氮化镓
，尤其是指一种氮化镓模块。

技术介绍

[0002]氮化镓(GaN)器件主要指GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors：高电子迁移率晶体管)。氮化镓(GaN)相比于硅材料具备决定性的优势。尤其是相较于硅MOSFET，氮化镓材料具备更高的临界电场、独有且出色的动态导通电阻、更低的电容，使其尤为适用于功率半导体器件，让GaN HEMT成为高速开关的理想之选。氮化镓晶体管可以在缩短死区时间的情况下工作，从而提高效率，并实现被动冷却。在高开关频率下工作可以缩小被动器件的体积，从而提高了GaN HEMT的可靠性和整体功率密度。
[0003]现有技术的缺点：1、现有的氮化镓单管一般采用贴片焊接的方式连接到PCB上，PCB材料散热效果较差，芯片温度高，寿命短，同时温度影响器件的持续电流下降，使得输出能力减弱，容易导致器件失效。2、现有的氮化镓单管在PCB应用时，需要另外搭配电容、电阻等元器件成套使用，需要花费大量的的贴片时间。

技术实现思路

[0004]为此，本技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中的缺陷，通过重新设计氮化镓模块，提升氮化镓模块的散热性能，且将电容、电阻、二极管等器件和氮化镓单管在单一模块中组成基本电路，提升应用端的工作效率。
[0005]为解决上述技术问题，本技术提供了一种氮化镓模块，包括：
[0006]引线框架；
[0007]基板，包括层叠的焊接层、散热层，所述焊接层位于所述引线框架内，所述散热层露出于所述引线框架的第一表面；
[0008]元器件组件，设于所述引线框架内，与所述焊接层连接，包括氮化镓单元、电容单元、电阻单元、二极管单元；
[0009]引脚，一端与所述焊接层和/或元器件组件连接，另一端与所述引线框架焊接，且露出于所述引线框架的第二表面。
[0010]作为本技术的一种优选方式，所述引线框架与所述基板焊接为一体。
[0011]作为本技术的一种优选方式，所述散热层的露出面与所述引线框架的第一表面共面。
[0012]作为本技术的一种优选方式，所述引脚的露出面与所述引线框架的第二表面共面。
[0013]作为本技术的一种优选方式，所述引脚还露出于所述引线框架的第三表面，所述第三表面与所述第二表面相交。
[0014]作为本技术的一种优选方式，还包括焊接加强部，设于所述引线框架的外表面。
[0015]作为本技术的一种优选方式，所述焊接加强部设于所述引线框架的第二表面。
[0016]作为本技术的一种优选方式，所述氮化镓单元包括至少一个氮化镓单管。
[0017]作为本技术的一种优选方式，所述氮化镓模块采用环氧树脂将模块塑封成型。
[0018]本技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
[0019]本技术所述的氮化镓模块可实现氮化镓单元电路的模块化，设有散热层的基板相比于PCB基板导热效率更高，将电容、电阻、二极管等器件和氮化镓单元在单一模块中组成基本电路，相比现有的芯片和外接电子元器件相比，模块化的体积更小，提升应用端的工作效率。
附图说明
[0020]为了使本技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据本技术的具体实施例并结合附图，对本技术作进一步详细的说明，其中
[0021]图1是本技术一种氮化镓模块的第一表面示意图。
[0022]图2是本技术一种氮化镓模块的基板的散热层示意图。
[0023]图3是本技术一种氮化镓模块的第二表面示意图。
[0024]图4是本技术一种氮化镓模块的两个氮化镓单管的实施例的基板的焊接层示意图。
[0025]图5是本技术一种氮化镓模块的氮化镓单管的实施例的基板的焊接层示意图。
[0026]图6是现有元器件组件的电路结构示意图。
[0027]说明书附图标记说明：1、引线框架；11、第一表面；12、第二表面；21、焊接层；22、散热层；31、氮化镓单元；4、引脚；5、焊接加强部。
具体实施方式
[0028]下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本技术的限定。
[0029]参照图1～5所示，本技术的一种氮化镓模块的实施例。
[0030]所述氮化镓模块，包括：基板、元器件组件、引脚4、引线框架1，所述引线框架1用于将所述基板、元器件组件、引脚4整合为一个整体的模块成品，便于产品的模块化使用。
[0031]所述基板为DBC基板，所述DBC基板包括层叠的焊接层21、散热层22，所述焊接层21用于焊接电子元器件，所述散热层22用于所述DBC基板的整体散热，所述引线框架1与所述基板焊接为一体。所述焊接层21设于所述引线框架1内，而为了实现较佳的散热效果，所述散热层22露出于所述引线框架1的第一表面11，便于所述散热层22的散热。
[0032]参考附图1～2所示，所述散热层22的露出面与所述引线框架1的第一表面11共面。所述散热层22的表面积小于所述焊接层21的表面积，所述散热层22的表面积不小于所述焊接层21的表面积的80％。
[0033]所述元器件组件设于所述引线框架1内，与所述焊接层21连接，包括氮化镓单元
31、电容单元、电阻单元、二极管单元等电子元器件。所述氮化镓单元31、电容单元、电阻单元、二极管单元等电子元器件可设有一个或多个，其中，所述氮化镓单元31可为若干个氮化镓单管。所述元器件组件可采用现有的电路结构，例如，采用附图6所示的电路结构。
[0034]所述引脚4的一端与所述焊接层21和/或元器件组件连接，另一端与所述引线框架1焊接，且露出于所述引线框架1的第二表面12。所述引脚4用于将所述元器件组件与外部结构连接，露出于所述引线框架1的露出面可与外部结构焊接。
[0035]参考附图3～5所示，所述引脚4的露出面与所述引线框架1的第二表面12共面，所述引脚4还露出于所述引线框架1的第三表面，所述第三表面与所述第二表面12相交，所述引脚4可通过在所述引线框架1的第三表面和/或第二表面12的露出面与外部结构连接。所述引脚4的数量可根据需求设置。
[0036]参考附图3～5所示，所述氮化镓模块还包括焊接加强部5，所述焊接加强部5设于所述引线框架1的外表面，当所述氮化镓模块与外部结构焊接时，所述焊接加强部5能够提高所述氮化镓模块的强度。所述焊接加强部5设于所述引线框架1的第二表面12，所述引线框架1的第二表面12即为所述氮化镓模块与外部结构焊接的面。所述焊接加强部5的长度不短于所述引线框架1的长度，所述焊接加强部5的宽度小于所述引线框架1的宽度。所述焊接加强部5在所述引线框架1的第二表面12的露出面与所述引线框架1的第二表面12共面。
[0037]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓模块，其特征在于，包括：引线框架；基板，包括层叠的焊接层、散热层，所述焊接层位于所述引线框架内，所述散热层露出于所述引线框架的第一表面；元器件组件，设于所述引线框架内，与所述焊接层连接，包括氮化镓单元、电容单元、电阻单元、二极管单元；引脚，一端与所述焊接层和/或元器件组件连接，另一端与所述引线框架焊接，且露出于所述引线框架的第二表面。2.根据权利要求1所述的一种氮化镓模块，其特征在于，所述引线框架与所述基板焊接为一体。3.根据权利要求1所述的一种氮化镓模块，其特征在于，所述散热层的露出面与所述引线框架的第一表面共面。4.根据权利要求1所述的一种氮化镓模...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅玥，孔令涛，陈云，许彪，刘欢，
申请(专利权)人：南京芯干线科技有限公司，
类型：新型
国别省市：