【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是指一种集成jfet的mos器件制备方法及mos器件。
技术介绍
1、mosfet器件是一种用于控制电流流动的半导体器件，可以在电子设备中作为开关或放大器使用。由于mosfet器件具有低功耗、高速度和高电阻的特定，因此其在数字电路、模拟电路以及微处理器、逻辑门、功率放大器和电源管理等领域被广泛应用。
2、mosfet器件在开关操作和过电压条件下，栅氧层会受到电场应力，这种应力会影响栅氧可靠性，从而导致栅氧缺陷和漏电流增加，并且在过电压条件下，栅氧层可能会遭受介质击穿，导致氧化层破损，漏电流增加，这也是由于栅氧可靠性较差导致的。除此之外，mosfet器件中沟槽底部的电场集中效应也会导致底部栅氧可靠性较差，漏电流增加，导致器件在关闭状态时消耗更多功率，从而降低设备的效率和可靠性，使得器件在切换时出现延迟，从而影响器件在高频应用中的性能。
3、综上所述，如何提高栅氧层的可靠性，降低器件的漏电流，从而提高器件的漏电性能和电气特性是目前需要解决的问题。
技术实现思路b>
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【技术保护点】
1.一种集成JFET的MOS器件制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成JFET的MOS器件制备方法，其特征在于，在所述电流分散层内靠近所述第一沟槽底壁一侧形成长度小于所述第一沟槽长度的第一P-区域，在所述第一P-区域内靠近所述第一沟槽底壁一侧形成两个第一N-区域包括：
3.根据权利要求2所述的集成JFET的MOS器件制备方法，其特征在于，在两个第一N-区域之间靠近所述第一沟槽底壁一侧形成与两个第一N-区域相接触的第一P+区域包括：
4.根据权利要求3所述的集成JFET的MOS器件制备方法，其特征在于，在两个第一N...
【技术特征摘要】
1.一种集成jfet的mos器件制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成jfet的mos器件制备方法，其特征在于，在所述电流分散层内靠近所述第一沟槽底壁一侧形成长度小于所述第一沟槽长度的第一p-区域，在所述第一p-区域内靠近所述第一沟槽底壁一侧形成两个第一n-区域包括：
3.根据权利要求2所述的集成jfet的mos器件制备方法，其特征在于，在两个第一n-区域之间靠近所述第一沟槽底壁一侧形成与两个第一n-区域相接触的第一p+区域包括：
4.根据权利要求3所述的集成jfet的mos器件制备方法，其特征在于，在两个第一n-区域内靠近所述第一沟槽底壁一侧均形成与所述第一p+区域相接触的第一n+区域以及与所述第一n+区域相接触的第二p+区域包括：
5.根据权利要求4所述的集成jfet的mos器件制备方法，其特征在于，在所述第一沟槽内形成mos器件的门极和源极包括：
6.根据权利要求2所述的集成jfet...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘辉，傅玥，孔令涛，
申请(专利权)人：南京芯干线科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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