一种具有阶梯浮空金属环的高压GaN基二极管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种具有阶梯浮空金属环的高压GaN基二极管，所述高压GaN基二极管包括N+GaN层、N

【技术实现步骤摘要】
一种具有阶梯浮空金属环的高压GaN基二极管及其制作方法


[0001]本专利技术涉及微电子器件技术及工艺
，具体是指一种具有阶梯浮空金属环的高压GaN基二极管及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的逐渐成熟，以GaN、SiC和半导体金刚石为代表的第三代半导体材料兴起，逐渐成为半导体行业的研究热点。与传统的半导体材料相比，GaN具有良好的化学稳定性，较高的工作温度，较高的击穿电压和较低的导通电阻，这些特性弥补了前两代半导体材料的不足。
[0003]目前，在常规横向结构中，电流崩塌和自热效应等是制约器件发展的重要问题，纵向结构的GaN器件具有功率密度高，可靠性高，热分布均匀等优点，较平面型GaN器件具有多方面的优势。二极管作为一种基本的双端器件，由于开启电压低，开关频率高等优点，在整流、检波、限幅等领域具有重要的应用，其正向着高击穿电压、高开关比、低导通电阻的方向发展。但GaN基功率二极管中存在结边缘电场集中以及电场非均匀分布的问题，严重制约了GaN基功率二极管的耐压提升。
[0004]所以，一种具有阶梯浮空金属环本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有阶梯浮空金属环的高压GaN基二极管，其特征在于：所述高压GaN基二极管包括N+GaN层(1)、N
‑
GaN层(2)、阶梯浮空金属环(3)、阴极(4)和阳极(5)；所述N
‑
GaN层(2)设置于N+GaN层(1)上方，所述阶梯浮空金属环(3)设置于N
‑
GaN层(2)里面，所述阴极(4)设置于N+GaN层(1)底面上，所述阳极(5)设置于N
‑
GaN层(2)顶面上。2.根据权利要求1所述的一种具有阶梯浮空金属环的高压GaN基二极管，其特征在于：所述N+GaN层(1)的厚度为1
‑
4um，所述N
‑
GaN层(2)的厚度为3
‑
9um。3.一种具有阶梯浮空金属环的高压GaN基...

【专利技术属性】
技术研发人员：白俊春，程斌，平加峰，
申请(专利权)人：上海格晶半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：