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本实用新型涉及一种沟槽栅场效应晶体管，本实用新型包括衬底；淀积在所述衬底上的第一N型掺杂区；淀积在所述第一N型掺杂区上的第二N型掺杂区，所述第二N型掺杂区的掺杂浓度大于所述第一N型掺杂区的掺杂浓度；所述第二N型掺杂区的边侧形成有第一沟槽，所...
该专利属于南京芯干线科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京芯干线科技有限公司授权不得商用。

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