一种印制电路板的背钻孔的加工方法和印制电路板技术

技术编号:37774291 阅读:22 留言:0更新日期:2023-06-06 13:41
本发明专利技术公开了一种印制电路板的背钻孔的加工方法和印制电路板。加工方法包括:将印制电路板的背钻区域划分为多个子背钻区域;确定各子背钻区域的各层铜箔的残铜率;确定各子背钻区域填胶后的厚度和各子背钻区域的深度系数;计算该背钻位置的第一理论背钻深度;并确定子背钻区域内的背钻位置的第二理论背钻深度;根据子背钻区域内的背钻位置的第二理论背钻深度和预设残铜量,确定子背钻区域内的背钻位置的实际背钻深度;按照子背钻区域内的背钻位置的实际背钻深度进行背钻孔的加工;对背钻孔的残铜量进行检验。本发明专利技术实施例提供的技术方案提升了背钻孔的残铜的良率。方案提升了背钻孔的残铜的良率。方案提升了背钻孔的残铜的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种印制电路板的背钻孔的加工方法和印制电路板


[0001]本专利技术涉及印制电路板
,尤其涉及一种印制电路板的背钻孔的加工方法和印制电路板。

技术介绍

[0002]随着信息化产业的不断推动,数字信号传输的速度越来越快,频率越来越高,传统设计的印制电路板已经不能满足这种高频电路的需要。信号的完整性传输研究成为越来越关键的重要核心技术。当电路信号的频率增加到一定高度后,印制电路板中的导通孔中无用的孔铜部分,其多余的镀铜就相当于天线一样,产生信号辐射对周围的其他信号造成干扰,严重时将影响到线路系统的正常工作,背钻工艺的作用就是将多余的镀铜用背钻的方式钻掉,从而消除此类电磁干扰问题。
[0003]背钻工艺是一种特殊的控制钻孔深度的钻孔技术,在高频高速产品中应用广泛。残铜是目前背钻工艺无法完全消除的,而残铜在电路设计中,会导致信号传输的反射、散射、延迟等,给信号到来完整性方面的问题。在印制电路板设计时虽然可以采用构造技术,例如激光钻孔或者改变板层堆栈顺序使得导线被移动到更靠近过孔短线柱端部的层,也可以用于减小残铜长度。但在许多高密度印制电路板和背板/中间板中,从制造和成本核算的角度来看,这些方式并不总是可行的。在这种情况下,唯一的选择是通过背钻工艺删除无用的孔铜部分。
[0004]随着印制电路板产品对信号完整性的要求越来越高,对背钻加工时的背钻残铜的管控也越来越严格,目前背钻工艺加工,背钻孔的残铜的良率不高,不能满足背钻残铜要求严格的产品需求。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了一种印制电路板的背钻孔的加工方法和印制电路板,以提升背钻孔的残铜的良率。
[0006]根据本专利技术的一方面,提供了一种印制电路板的背钻孔的加工方法,印制电路板的背钻孔的加工方法包括:
[0007]将印制电路板的背钻区域划分为多个子背钻区域;
[0008]确定各子背钻区域的各层铜箔的残铜率;
[0009]根据各子背钻区域的各层铜箔的残铜率,确定各子背钻区域填胶后的厚度;
[0010]确定各子背钻区域的深度系数;
[0011]根据各子背钻区域内的背钻位置的钻入面和目标背钻层之间的厚度,计算该背钻位置的第一理论背钻深度;
[0012]根据子背钻区域内的背钻位置的第一理论背钻深度、子背钻区域的理论板厚、子背钻区域填胶后的厚度以及子背钻区域的深度系数确定子背钻区域内的背钻位置的第二理论背钻深度;
[0013]根据子背钻区域内的背钻位置的第二理论背钻深度和预设残铜量,确定子背钻区域内的背钻位置的实际背钻深度;
[0014]按照子背钻区域内的背钻位置的实际背钻深度进行背钻孔的加工;
[0015]对背钻孔的残铜量进行检验。
[0016]可选的,将印制电路板的背钻区域划分为多个子背钻区域包括:
[0017]将印制电路板的背钻区域划分为多个面积相等的方形子区域。
[0018]可选的,确定各子背钻区域的各层铜箔的残铜率包括:
[0019]确定各子背钻区域内各层铜箔的面积;
[0020]根据各子背钻区域内各层铜箔的面积与对应子背钻区域的面积的比值,确定各子背钻区域的各层铜箔的残铜率。
[0021]可选的,根据各子背钻区域的各层铜箔的残铜率,确定各子背钻区域填胶后的厚度包括:
[0022]根据各子背钻区域的各层铜箔的残铜率和对应铜箔的厚度的乘积之和以及铜箔之间膜层的厚度总和,确定各子背钻区域填胶后的厚度。
[0023]可选的,确定各子背钻区域的深度系数包括:
[0024]确定每个子背钻区域压合后的实际板厚;
[0025]确定每个子背钻区域的理论板厚;
[0026]根据每个子背钻区域压合后的实际板厚和每个子背钻区域的理论板厚的比值,确定各子背钻区域的深度系数。
[0027]可选的,根据子背钻区域内的背钻位置的第一理论背钻深度、子背钻区域的理论板厚、子背钻区域填胶后的厚度以及子背钻区域的深度系数确定子背钻区域内的背钻位置的第二理论背钻深度包括:
[0028]根据子背钻区域内的背钻位置的第一理论背钻深度与子背钻区域的理论板厚的比值、子背钻区域填胶后的厚度以及子背钻区域的深度系数的乘积确定子背钻区域内的背钻位置的第二理论背钻深度。
[0029]可选的,根据子背钻区域内的背钻位置的第二理论背钻深度和预设残铜量,确定子背钻区域内的背钻位置的实际背钻深度包括:
[0030]根据子背钻区域内的背钻位置的第二理论背钻深度和预设残铜量的差值,确定子背钻区域内的背钻位置的实际背钻深度。
[0031]可选的,对背钻孔的残铜量进行检验包括:
[0032]对背钻孔和背钻孔对应的导电孔的同心度进行检验;
[0033]对背钻孔的残铜量进行切片检验。
[0034]可选的,对背钻孔和背钻孔对应的导电孔的同心度进行检验包括:
[0035]通过图像检测设备对背钻孔和背钻孔对应的导电孔的同心度进行检验。
[0036]根据本专利技术的另一方面,提供了一种印制电路板,印制电路板包括:
[0037]至少一个背钻孔和导电孔,背钻孔和导电孔一一对应设置;
[0038]背钻孔的加工方法采用上述所述的印制电路板的背钻孔的加工方法加工而成。
[0039]本专利技术实施例通过首先确定好印制电路板的背钻区域,然后将背钻区域划分为多个子背钻区域,在进行后续的背钻孔的加工,可以完全覆盖所有的背钻位置进行背钻孔的
加工。然后根据子背钻区域内的背钻位置的第一理论背钻深度、子背钻区域的理论板厚、子背钻区域填胶后的厚度以及子背钻区域的深度系数确定子背钻区域内的背钻位置的第二理论背钻深度,根据子背钻区域内的背钻位置的第二理论背钻深度和预设残铜量,确定子背钻区域内的背钻位置的实际背钻深度,其中,各子背钻区域的各层铜箔的残铜率决定了各子背钻区域填胶后的厚度,上述技术方案确定的实际背钻深度是针对每一子背钻区域而言,其中考虑了各层铜箔的残铜率的影响、子背钻区域填胶对于厚度的影响、各子背钻区域的深度系数的影响以及预设残铜量的影响,提高了最终确定的针对某一子背钻区域内的背钻位置的实际背钻深度的精确度,以使得背钻孔的残铜量在管控范围之内,从而提高了背钻孔的残铜的良率。最后按照子背钻区域内的背钻位置的实际背钻深度进行背钻孔的加工;并对背钻孔的残铜量进行检验,以确保背钻孔的残铜量在管控范围之内,提升了背钻残铜能力,同时降低了背钻孔重新返工和报废的次数。
[0040]应当理解,本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征,也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0041]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种印制电路板的背钻孔的加工方法,其特征在于,包括:将印制电路板的背钻区域划分为多个子背钻区域;确定各子背钻区域的各层铜箔的残铜率;根据各子背钻区域的各层铜箔的残铜率,确定各子背钻区域填胶后的厚度;确定各子背钻区域的深度系数;根据各子背钻区域内的背钻位置的钻入面和目标背钻层之间的厚度,计算该背钻位置的第一理论背钻深度;根据所述子背钻区域内的背钻位置的第一理论背钻深度、所述子背钻区域的理论板厚、所述子背钻区域填胶后的厚度以及所述子背钻区域的深度系数确定所述子背钻区域内的背钻位置的第二理论背钻深度;根据所述子背钻区域内的背钻位置的第二理论背钻深度和预设残铜量,确定所述子背钻区域内的背钻位置的实际背钻深度;按照所述子背钻区域内的背钻位置的实际背钻深度进行背钻孔的加工;对所述背钻孔的残铜量进行检验。2.根据权利要求1所述的印制电路板的背钻孔的加工方法,其特征在于,将印制电路板的背钻区域划分为多个子背钻区域包括:将印制电路板的背钻区域划分为多个面积相等的方形子区域。3.根据权利要求1所述的印制电路板的背钻孔的加工方法,其特征在于,确定各子背钻区域的各层铜箔的残铜率包括:确定各子背钻区域内各层铜箔的面积;根据各子背钻区域内各层铜箔的面积与对应子背钻区域的面积的比值,确定各子背钻区域的各层铜箔的残铜率。4.根据权利要求1所述的印制电路板的背钻孔的加工方法,其特征在于,根据各子背钻区域的各层铜箔的残铜率,确定各子背钻区域填胶后的厚度包括:根据各子背钻区域的各层铜箔的残铜率和对应铜箔的厚度的乘积之和以及铜箔之间膜层的厚度总和,确定各子背钻区域填胶后的厚度。5.根据权利要求1所述的印制电路板的背钻孔的加工方法,其特征在于,确定各子背钻区域的深度系数包括:确定每个子背钻区域压合后的实际...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴方军张寅卿杨志刚
申请(专利权)人:沪士电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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