半导体封装结构制造技术

本申请公开了一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括载片台、支撑架、第一芯片和第二芯片。其中，支撑架包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面的一侧与载片台连接，第一表面的另一侧悬空，与载片台形成收纳空间；第一芯片设置于支撑架的第二表面上；第二芯片设置于载片台上，部分第二芯片位于收纳空间内。本方案可以减小芯片的封装面积。本方案可以减小芯片的封装面积。本方案可以减小芯片的封装面积。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种半导体封装结构。

技术介绍

[0002]绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是一种MOS场效应晶体管和双极型晶体管复合的新型电力电子器件。它既有MOSFET易于驱动，控制简单的优点，又有功率晶体管导通压降低，通态电流大，损耗小的优点，已成为现代电力电子电路中的核心电子元器件之一，广泛地应用在诸如通信、能源、交通、工业、医学、家用电器及航空航天等国民经济的各个领域。IGBT的应用对电力电子系统性能的提升起到了极为重要的作用。
[0003]由于IGBT没有反向导通的能力，目前市面上的IGBT都是通过与快速恢复二极管(Fast Recovery Diode，FRD)并联封装在一起使用，以实现续流的能力。但是，对于电流超过75A的芯片，由于芯片面积较大，可能会导致IGBT和FRD无法封装到面积有限的封装框架中。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种半导体封装结构，可以减小芯片的封装面积。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：载片台；支撑架，所述支撑架包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面的一侧与所述载片台连接，所述第一表面的另一侧悬空，与所述载片台形成收纳空间；第一芯片，所述第一芯片设置于所述支撑架的第二表面上；第二芯片，所述第二芯片设置于所述载片台上，部分所述第二芯片位于所述收纳空间内。2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片为IGBT芯片，所述第二芯片为FRD芯片。3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片为FRD芯片，所述第二芯片为IGBT芯片。4.如权利要求2或3所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括栅极焊盘和源极焊盘，所述栅极焊盘通过栅极引线与IGBT芯片的栅极压焊点电连接，所述源极焊盘通过第一源极引线与IGBT芯片的源极压焊点连接。5.如权利要求4所述的半导体封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟聪，文雨，姜春亮，
申请(专利权)人：深圳市威兆半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：