半导体器件和电子器件制造技术

本公开涉及半导体器件和电子器件。一种半导体器件，包括：管芯，包括：第一表面；第二表面，与所述第一表面相对；以及第一侧壁，横向于所述第一表面和所述第二表面，所述第一侧壁包括第三表面和第四表面，所述第四表面具有比所述第三表面更不规则的纹理。利用本公开的实施例有利地减小了半导体管芯的总厚度。例有利地减小了半导体管芯的总厚度。例有利地减小了半导体管芯的总厚度。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和电子器件


[0001]本公开涉及一种包括具有不规则纹理的表面的超薄半导体管芯以及使用无上硅(silicon on nothing)或腔体来制造半导体管芯的方法。

技术介绍

[0002]通常，诸如芯片规模封装或晶片级芯片规模封装(WLCSP)等半导体器件封装包含包装在模塑料中的集成电路管芯。集成电路管芯可以是被配置为检测任何数量的量或质量的传感器，或者集成电路管芯可以是控制器，诸如微处理器或存储器，用于控制半导体器件封装中或外部的其他各种电子组件。例如，集成电路管芯可以检测光、温度、压力、应力、应变、声音或任何其他类型的量或质量。
[0003]常规集成电路管芯可以包括存在于常规集成电路管芯的有源区内的多个有源组件。该有源区通常是多个电介质层、绝缘层和导电层的组合。有源区可以包括有源组件(例如晶体管、二极管等)和无源组件(例如电阻器、电容器等)。通常，有源区的这些层被形成在衬底上，该衬底通常是被用于形成多个常规集成电路管芯的晶片的一部分。常规集成电路管芯的厚度通常在50微米(μm)至800微米(μm)之间。
[0004]常规集成电路管芯通常通过首先在晶片的第一表面上形成多个电介质层、绝缘层和导电层来形成。在形成这些层之后，在晶片的第二表面被研磨以在这些附加处理步骤之后使晶片变薄之前可能存在一些附加处理步骤。晶片的研磨通常发生在制造过程的后端。一旦晶片通过研磨过程变薄，晶片和晶片上的各个层通过单片化步骤被单片化为单独的常规集成电路管芯。在单片化步骤中，锯切工具、切割工具或激光工具可以被用于将晶片单片化为常规集成电路管芯。

技术实现思路

[0005]本公开的目的是提供半导体器件和电子器件，以至少部分地解决现有技术中存在的上述问题。
[0006]本公开的一方面提供了一种半导体器件，包括：管芯，包括：第一表面；第二表面，与所述第一表面相对；以及第一侧壁，横向于所述第一表面和所述第二表面，所述第一侧壁包括第三表面和第四表面，所述第四表面具有比所述第三表面更不规则的纹理。
[0007]根据一个或多个实施例，其中所述管芯还包括从所述第一表面延伸到所述第二表面的尺寸，并且所述尺寸小于或基本上等于10
‑
μm(微米)。
[0008]根据一个或多个实施例，其中所述第一侧壁具有所述尺寸，并且所述第一侧壁从所述第一表面延伸到所述第二表面。
[0009]根据一个或多个实施例，其中所述管芯还包括第二侧壁，所述第二侧壁横向于所述第一表面和所述第二表面并且横向于所述第一侧壁，所述第二侧壁具有第五表面和第六表面，所述第六表面具有比所述第五表面更不规则的纹理。
[0010]根据一个或多个实施例，其中：所述第三表面具有第一表面积；并且所述第四表面
具有小于所述第一表面积的第二表面积。
[0011]根据一个或多个实施例，其中所述第一侧壁是弯曲的。
[0012]根据一个或多个实施例，其中所述管芯还包括：第一部分；第二部分；开口，在所述第一部分和所述第二部分之间延伸到所述管芯中；第一延伸部分，从所述第一部分延伸到所述第二部分；以及第二延伸部分，从所述第一部分延伸到所述第二部分，所述第二延伸部分通过所述开口与所述第一部分间隔开。
[0013]根据一个或多个实施例，其中所述管芯包括在所述管芯的所述第一表面处的膜。
[0014]根据一个或多个实施例，其中所述管芯还包括：边缘；有源部分，比所述第二表面更靠近所述第一表面；以及非有源边界部分，围绕所述有源部分，所述非有源边界部分从所述边缘延伸到所述有源部分，所述非有源边界部分将所述边缘与所述有源部分分离。
[0015]本公开的另一方面提供了一种电子器件，包括：半导体管芯，具有有源表面、无源表面以及在所述有源表面和所述无源表面之间的第一侧壁表面，所述第一侧壁表面包括小于20微米的第一尺寸，所述第一侧壁表面包括：第一部分，具有均匀表面纹理；以及第二部分，具有不均匀表面纹理，所述第二部分具有比所述第一部分小的表面积。
[0016]根据一个或多个实施例，其中所述第一侧壁表面是弯曲的。
[0017]根据一个或多个实施例，其中所述第一侧壁表面包括具有不均匀表面纹理的第三部分，所述第二部分和所述第三部分的所述不均匀表面纹理具有不规则的峰和谷。
[0018]根据一个或多个实施例，其中所述半导体管芯包括第二侧壁表面，所述第二侧壁表面横向于所述第一侧壁表面，所述第二侧壁表面包括：第三部分，具有均匀表面纹理；以及第四部分，具有不均匀表面纹理，所述第四部分具有比所述第三部分小的表面积。
[0019]利用本公开的实施例有利地减小了半导体管芯的总厚度。
附图说明
[0020]为了更好地理解实施例，现在将通过示例参照附图。在附图中，除非上下文另有指示，否则相同的附图标记标识相同或类似的元件或动作。附图中的元件的大小和相对比例不一定按比例绘制。例如，这些元件中的一些可能会被放大和定位以提高绘图易读性。
[0021]图1A至1D涉及制造图1E和1F所示的本公开的管芯的实施例的方法的实施例；
[0022]图1E涉及通过图1A至1D所示的制造方法形成的管芯的俯视图；
[0023]图1F涉及图1E所示的半导体管芯的侧视图；
[0024]图2A涉及本公开的第一管芯结构装配件194的实施例的俯视图；
[0025]图2B涉及沿着图2A中的线B
‑
B截取的第一管芯结构装配件194的实施例的截面图；
[0026]图3涉及本公开的管芯结构装配件的替代实施例；
[0027]图4涉及本公开的管芯结构装配件的替代实施例；
[0028]图5涉及本公开的管芯结构装配件的替代实施例；
[0029]图6涉及本公开的管芯的替代实施例的俯视图；
[0030]图7涉及本公开的管芯的替代实施例的俯视图；
[0031]图8涉及本公开的管芯的替代实施例的俯视图；
[0032]图9A至9C涉及用于形成本公开的管芯的替代实施例的制造方法的替代实施例的截面图；
[0033]图10A和10B涉及用于形成本公开的管芯的替代实施例的制造方法的替代实施例的截面图；
[0034]图11涉及本公开的管芯结构装配件的替代实施例的俯视图；
[0035]图12涉及本公开的管芯结构装配件的替代实施例的俯视图；
[0036]图13A涉及本公开的管芯结构装配件的替代实施例的俯视图；
[0037]图13B是沿着图13A所示的线B
‑
B截取的管芯结构装配件的替代实施例的截面图；以及
[0038]图14涉及本公开的管芯的替代实施例的制造方法的截面图。
具体实施方式
[0039]在以下描述中，某些具体细节被陈述，以便提供对本公开的各种实施例的透彻理解。然而，本领域技术人员将理解，本公开可以在没有这些具体细节的情况下实践。在其他实例中，与电子组件、封装和半导体制作技术相关联的众所周本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：管芯，包括：第一表面；第二表面，与所述第一表面相对；以及第一侧壁，横向于所述第一表面和所述第二表面，所述第一侧壁包括第三表面和第四表面，所述第四表面具有锯齿状纹理。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述管芯还包括从所述第一表面延伸到所述第二表面的尺寸，并且所述尺寸小于或等于10微米。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一侧壁具有所述尺寸，并且所述第一侧壁从所述第一表面延伸到所述第二表面。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述管芯还包括第二侧壁，所述第二侧壁横向于所述第一表面和所述第二表面并且横向于所述第一侧壁，所述第二侧壁具有第五表面和第六表面，所述第六表面具有锯齿状纹理。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述第三表面具有第一表面积；并且所述第四表面具有小于所述第一表面积的第二表面积。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一侧壁是弯曲的。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述管芯还包括：第一部分；第二部分；开口，在所述第一部分和所述第二部分之间延伸到所述管芯中；第一延伸部分，从所述第一部分延伸到所述第二部分；以及第二延伸部分，从所述第一部分延伸到所述第二部分，所述第二延伸部分通过所述开口与所述第一部分间隔开。8....

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：