封装结构以及封装方法技术

一种封装结构以及封装方法，封装结构包括：基板，包括键合面；第一芯片，键合于所述基板的键合面上，所述第一芯片包括相背的第一面和第二面，所述第二面与基板相对设置；所述第一面上形成有第一互连结构和第二互连结构，且所述第一互连结构与基板之间电流路径的额定电流，小于第二互连结构与基板之间电流路径的额定电流；穿孔结构，贯穿所述第二互连结构背面的第一芯片且与所述第二互连结构相接触；第一导电结构，位于所述第二面与所述键合面之间，所述第一导电结构与所述穿孔结构之间电连接；连接线，一端位于所述第一芯片的第一面上且与所述第一互连结构连接，另一端与所述基板连接。本发明专利技术实施例提升了封装结构的性能。本发明专利技术实施例提升了封装结构的性能。本发明专利技术实施例提升了封装结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
封装结构以及封装方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体封装领域，尤其涉及一种封装结构以及封装方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路的发展，先进封装技术不断发展变化以适应各种半导体新工艺和新材料的要求和挑战。半导体封装内部芯片和外部管脚以及芯片之间的连接起着确立芯片和外部的电气连接、确保芯片和外界之间的输入/输出畅通的重要作用，是整个后道封装过程中的关键。引线键合(Wire Bonding，WB)以工艺实现简单、成本低廉、适用多种封装形式而在连接方式中占主导地位。
[0003]引线键合是以非常细小的金属引线的两端分别与芯片和管脚键合而形成电气连接。按外加能量形式的不同，引线键合可分为热压键合、超声键合和热超声键合。按劈刀的不同，可分为楔形键合和球形键合。目前金丝球形热超声键合是最普遍采用的引线键合方式。
[0004]但是，目前封装结构的性能仍有待提高。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例解决的问题是提供一种封装结构以及封装方法，提升了封装结构的性能。
[0006]为解决上述问题，本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：基板，所述基板包括键合面；第一芯片，键合于所述基板的键合面上，所述第一芯片包括相背的第一面和第二面，所述第二面与基板相对设置；所述第一面上形成有第一互连结构和第二互连结构，且所述第一互连结构与基板之间电流路径的额定电流，小于第二互连结构与基板之间电流路径的额定电流；穿孔结构，贯穿所述第二互连结构背面的第一芯片且与所述第二互连结构相接触；第一导电结构，位于所述第二面与所述键合面之间，所述第一导电结构与所述穿孔结构之间电连接；连接线，一端位于所述第一芯片的第一面上且与所述第一互连结构连接，另一端与所述基板连接。2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一面为第一芯片的正面，所述第二面为第一芯片的背面。3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一互连结构用于作为信号连接端；所述第二互连结构用于作为电源连接端。4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：再布线结构，位于所述第一芯片的第二面上，且与所述穿孔结构电连接；所述第一导电结构位于所述再布线结构与所述键合面之间。5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片的第二面包括键合区和容纳区；所述穿孔结构位于所述键合区；所述第一导电结构位于所述第二面的键合区与所述基板的键合面之间；所述封装结构还包括：容纳槽，位于所述第二面的容纳区中；第二芯片，位于所述容纳槽中且键合于所述基板的键合面上。6.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第二芯片包括与所述基板相对的第三面；所述封装结构还包括：第二导电结构，位于所述第三面与所述基板的键合面之间。7.如权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述第三面为第二芯片的正面。8.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述键合区位于所述容纳区的两侧，或者，所述键合区围绕所述容纳区。9.一种封装方法，其特征在于，包括：提供第一芯片，第一芯片包括相背的第一面和第二面，所述第一面上形成有第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构和第二互连结构分别用于与基板之间实现电连接，且所述第一互连结构与基板之间电流路径的额定电流，小于第二互连结构与基板之间电流路径的额定电流；形成贯穿第二互连结构背面的第一芯片的穿孔结构，所述穿孔结构与第二互连结构之间电连接；提供基板，所述基板包括键合面；通过第一导电结构，将所述第一芯片的第二面键合于所述键合面上，所述第一导电结构与所述穿孔结构之间电连接；形成连接线，所述连接线的一端位于所述第一芯片的第一面上且与所述第一互连结构
连接，另一端与所述基板之间连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：花竹和，吕岱烈，朱昊，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：