一体化折弯成型的半导体封装结构制造技术

技术编号:37697186 阅读:23 留言:0更新日期:2023-05-28 10:00
本实用新型专利技术提供了一种一体化折弯成型的半导体封装结构。该半导体封装结构包括金属框架、晶元以及绝缘封装体。金属框架上具有功能区域以及引脚,晶元固定在功能区域上,晶元通过绑线与引脚电连接。金属框架还具有弯折区域以屏蔽区域,屏蔽区域与功能区域上设有晶元的一侧相对。本实用新型专利技术的半导体封装结构在片材上完成正常固晶和绑线作业后,再导入模具进行折弯,成型出屏蔽区域,屏蔽区域对晶元和绑线可起到保护作用,同时也提升了产品的抗电磁干扰能力。扰能力。扰能力。

【技术实现步骤摘要】
一体化折弯成型的半导体封装结构


[0001]本技术属于半导体封装
,尤其涉及一体化折弯成型的半导体封装结构。

技术介绍

[0002]半导体的常规框架由于其功能区域类似“半岛型”,材料在生产过程的各个传输环节中存在摩擦与碰撞,会对材料功能区域位置带来不可逆影响,尤其是绑线部分,单一支撑的功能区域被拉动时,容易导致绑线变形拉断,也会导致功能区域的窗口位置偏移,降低了产品的可靠性以及合格率。
[0003]另一方面,现有的半导体封装完成后,其功能区的晶元和绑线没有抗电磁干扰能力,容易受到电磁干扰影响。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种一体化折弯成型的半导体封装结构,其可以提高半导体封装后的抗电磁干扰能力。
[0005]本技术是这样实现的,一体化折弯成型的半导体封装结构,包括金属框架、晶元以及绝缘封装体,所述金属框架上具有功能区域以及从所述功能区域引出的引脚,所述晶元固定在所述功能区域上,所述晶元通过绑线与所述引脚电连接,所述绝缘封装体包封所述功能区域、晶元以及绑线;所述金属框架还具有弯折区域以及起电磁屏蔽作用的屏蔽区域,所述屏蔽区域与所述功能区域上设有所述晶元的一侧相对,所述屏蔽区域通过所述弯折区域与所述功能区域相连接,所述弯折区域和屏蔽区域亦被包封于所述绝缘封装体内。
[0006]进一步的,所述绝缘封装体的材料为环氧树脂。
[0007]本技术与现有技术相比,有益效果在于:
[0008]本技术在片材上完成正常固晶和绑线作业后,再导入模具进行折弯,成型出屏蔽区域,屏蔽区域对晶元和绑线可起到保护作用,同时也提升了产品的抗电磁干扰能力。
附图说明
[0009]图1是本技术实施例一提供的一体化折弯成型的半导体封装结构的侧面结构示意图;
[0010]图2是本技术实施例一提供的带有稳固连杆的片材的正面结构示意图;
[0011]图3是在图2所示片材的功能区域上固晶和绑线后的正面结构示意图;
[0012]图4是将图3所示片材弯折后的正面结构示意图;
[0013]图5是将图3所示片材弯折后的侧面结构示意图;
[0014]图6是将图5所示片材的各个功能区域之间的稳固连杆分段分割后的正面结构示意图;
[0015]图7是将图6所示片材的各个功能区域塑封后的正面结构示意图;
[0016]图8是将图6所示片材的各个功能区域塑封后的侧面结构示意图;
[0017]图9是本技术实施例二提供的片材的各个功能区域塑封后的正面结构示意图;
[0018]图10是图9所示的片材的各个功能区域之间的稳固连杆分段分割后的正面结构示意图。
具体实施方式
[0019]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。
[0020]在本技术的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制;术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性;此外,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个部件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0021]实施例一:
[0022]请参看图1,示出了本实施例提供的一体化折弯成型的半导体封装结构,包括金属框架、晶元1以及绝缘封装体2。金属框架上具有功能区域31以及从功能区域31引出的引脚32,晶元1固定在功能区域31上,晶元1通过绑线4与引脚32电连接。
[0023]金属框架还具有弯折区域33以及起电磁屏蔽作用的屏蔽区域34,屏蔽区域34与功能区域31上设有晶元1的一侧相对,屏蔽区域34通过弯折区域33与功能区域31相连接,功能区域31、晶元1、绑线4、弯折区域33和屏蔽区域34均被包封于绝缘封装体2内。
[0024]优选的,绝缘封装体2的材料为环氧树脂。
[0025]上述半导体封装结构的制作方法包括以下步骤:
[0026]S10、制备片材100,请参看图2,所述片材100包括多个金属框架10,多个金属框架10之间通过稳固连杆20连接;
[0027]S20、请参看图3,在各个金属框架10的功能区域31上焊接上晶元1以及绑线4,使晶元1与引脚32实现电连接;
[0028]S30、请参看图4及图5,采用模具对片材100进行弯折成型;
[0029]S40、紧接着在模具中进行流水切断稳固连杆20作业,请参看图6,将金属框架10之间的功能区域31分割开;
[0030]S50、请参看图7及图8,进行常规塑封,完成功能区域31、晶元1以及绑线4的密封,制得半导体封装结构。
[0031]实施例二:
[0032]本实施例提供了另一种半导体封装结构的制作方法,包括以下步骤:
[0033]S10、制备片材100,所述片材100包括多个金属框架10,多个金属框架10之间通过稳固连杆20连接;
[0034]S20、在各个金属框架10的功能区域31上焊接上晶元1以及绑线4,使晶元与引脚32实现电连接;
[0035]S30、采用模具对片材100进行弯折成型;
[0036]S40、请参看图9,进行常规塑封,完成功能区域31、晶元1以及绑线4的密封,制得半导体封装结构;
[0037]S50、请参看图10,紧接着在模具中进行流水切断稳固连杆20作业,将各个半导体封装结构分割开。
[0038]结合上述两个实施例,可看出,本技术与传统的半导体封装工艺相比,具有以下技术效果:
[0039]1.本技术在传统常规金属框架的基础上增加稳固连杆20,将金属框架10的功能区域31改造成“回”字形的稳定结构,可避免生产过程中的传动对功能区域的晶片1和绑线4带来不可逆的影响。
[0040]2.在增加稳固连杆20的片材100上,进行正常的固晶和绑线作业,在此生产过程中的,由于增加了稳固连杆20,因此金属框架10的功能区域31结构十分稳定,防止了功能区域31的窗口位置偏移,保证了产品的可靠性以及合格率。
[0041]3.在片材100上完成正常固晶和绑线作业后,再导入模具进行折弯,成型出屏蔽区域34,屏蔽区域34对晶元1和绑线4可起到保护作用,同时也提升了产品的抗电磁干扰能力。
[0042]以上所述仅为本实用新本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一体化折弯成型的半导体封装结构,包括金属框架、晶元以及绝缘封装体,所述金属框架上具有功能区域以及从所述功能区域引出的引脚,所述晶元固定在所述功能区域上,所述晶元通过绑线与所述引脚电连接,所述绝缘封装体包封所述功能区域、晶元以及绑线;其特征在于,所述金属框架还具有弯折区域以...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡自立彭红村何细雄王卫国赵丽萍黄鸿华
申请(专利权)人:深圳成光兴光电技术股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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