【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及制造半导体器件的技术，更具体涉及包括具有多晶硅金属 (polymetal)结构的栅电极的。更具体地，本发 明涉及制造半导体器件的方法，在一个或更多个实施方案中，所述方法包 括实施栅极再氧化工艺同时抑制多晶硅金属界面氧化，而不受金属污染 的影响，由此形成半导体器件。
技术介绍
近来，为了提供在高集成半导体器件中需要的操作特性，半导体器件 使用具有所谓多晶硅金属结构的栅电极，其中依次堆叠高熔点和低电阻金 属层如多晶珪(Poly-Si)层和鵠(W)层。具有多晶硅金属结构的栅电极 具有Poly-Si/WN/W结构，其中依次堆叠多晶硅(Poly-Si )层、氮化钨(WN) 层和鵠(W)层。氮化钨层用作在制造工艺期间防止钨层和多晶硅层之间 反应的扩散阻挡层。当通过选择性蚀刻其中在栅极电^h质上依次堆叠多晶硅层、氮化鴒层 和鴒层的栅极结构来形成栅极图案时，在栅极电介质上产生微沟槽和等离 子体损伤。实施栅极再氧化工艺以修复栅极电介质的损伤。由于钨层在栅 极再氧化工艺中被氧化的同时体积快速膨胀，所以使用仅仅氧化多晶^ 而不氧化鵠层或氮化鴒层的选择性氧化工艺。参见，S...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括： 在衬底上形成栅极电介质； 在所述栅极电介质上形成栅极结构，所述栅极结构包括硅层和金属层的堆叠层； 选择性地蚀刻所述栅极结构以形成栅极图案； 形成包围所述栅极图案的覆盖层； 等离子体处理所述覆盖层；和 实施栅极再氧化工艺。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：金龙水，周文植，赵兴在，崔源峻，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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