半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供即使阈值电压为负电位也实现正电位时同样的测试方法的特性评价的半导体存储装置。本发明专利技术的半导体存储装置具有存储数据的多个存储单元，通过测试信号的输入，进行从正常模式过渡到进行存储单元的特性评价的测试模式，其中包括：选择存储单元的存储单元选择部；发生基准电压的恒压部；发生基准电流的恒流部；将Ｘ选择信号或从外部端子输入的电压信号中的任一个供给存储单元的栅极的Ｙ开关电压切换控制电路；向通过Ｙ选择信号来选择的存储单元的漏极供给参考电流的Ｙ开关部；检测漏极的电压即漏极电压是否超过基准电压的比较器；以及在测试模式下，通过控制信号来调整基准电流的电流值以及基准电压的电压值，并变更比较器的判定电平的判定电平变更部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具备了可从外部直接测定通过电气操作来可写入及擦除数据的EEPROM或ROM等非易失存储单元的特性的电气测定功 能的半导体存储装置。
技术介绍
一直以来，在EEPROM进行等非易失半导体存储装置中的存储 单元的特性评价过程中，直接从外部测定半导体存储装置内的各存储 单元。例如，在EEPROM的场合、擦除了存储单元M中数据的场合、 且存储单元M的数据写入的场合，在各种状态下评价存储单元M的 阈值电压Vth等的电气特性时，如图10 (数据擦除)或图11 (数据 写入)所示，设定为从外部端子100经由字线Wl可任意改变存〗渚单 元M的栅极(例如，参照专利文献l:特开平11 - 16399号公报)。在图10所示的擦除数据后进行存储单元M的特性评〗介的场合， 通过从外部输入的地址数据，X解码器101及Y解码器102控制X开 关电压切换控制电路105和Y开关103,从而选择存储单元M。X开关电压切换控制电路105在没有纟皮输入测试信号Tl的正常 模式下，将X解码器101的信号输出到字线Wl,而在被输入测试信 号Tl的测试模式下，从外部端子100向字线Wl输出固定电源500 的电压。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储装置，具有存储数据的多个存储单元，通过输入测试信号来从通常的写入及读出数据的正常模式过渡到进行存储单元的特性评价的测试模式，其中包括：　存储单元选择部，用于输出响应外部地址而选择所述存储单元的Ｘ选择信号及Ｙ选择信号；　 　恒压部，用于产生参考电压；　恒流部，用于产生参考电流；　Ｘ开关电压切换控制电路，用于将所述Ｘ选择信号或从外部端子输入的电压信号中的任一信号供给所述存储单元的栅极；　Ｙ开关部，用于向通过所述Ｙ选择信号来选择的所述存储单元 的漏极供给该参考电流；　比较器，检测所述漏极的电压即漏极电压是否超过所述参考电压：以及　判定...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤丰，宇都宫文靖，冈智博，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]