版图仿真方法和版图仿真装置制造方法及图纸

版图仿真方法和版图仿真装置，其中版图仿真方法包括：提供第一规则模型，第一规则模型包括若干不同的第一器件，各第一器件包括若干不同类的第一器件结构；根据第一规则模型，获取若干与各第一器件对应的检查模型；提供工艺设计套件，工艺设计套件包括若干不同的第二器件；通过提取模块，在工艺设计套件中获取待检测信息，待检测信息包括全部第二器件；采用第一规则模型，在所述待检测信息中获取各所述第二器件的若干不同类第二器件结构；根据检查模型，判断各第二器件中的不同类的第二器件结构是否位置重叠。本发明专利技术技术方案提高了版图仿真提取的精度。提取的精度。提取的精度。

【技术实现步骤摘要】
版图仿真方法和版图仿真装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及版图仿真方法和版图仿真装置。

技术介绍

[0002]精准的版图后仿真提取是集成电路设计的关键一环。在工艺设计包(PDK)中，版图原理图对比(LVS)、寄生参数提取(PEX)、器件模型(SPICE Model)是版图后仿真验证的重要组成部分。
[0003]不同器件的各器件结构的连接关系在版图原理图对比(LVS)里面定义，如何保证各器件结构位置互相不重叠，是寄生参数精准提取(PEX)的关键。
[0004]然而，在现有技术中，没有有效的方法来保证各器件结构位置不重叠，从而造成后仿真重复提取，大大影响仿真精度。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供版图仿真方法和版图仿真装置，通过检查模型，确保了来自同一导体的各器件结构不重叠，提高了版图后仿真提取精度。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供一种版图仿真方法，所述版图仿真方法包括：提供第一规则模型，所述第一规则模型包括若干不同的第一器件，各所述第一器件包括若干不同类的第一器件结构，各所述第一器件的每类第一器件结构具有第一结构信息；根据所述第一规则模型，获取若干与各所述第一器件对应的检查模型，各所述检查模型包括若干组器件组以及各器件组对应的检查条件信息，每组器件组包括与所述检查模型对应的所述第一器件中两类不同的所述第一器件结构以及所述第一器件结构的所述第一结构信息；提供工艺设计套件，所述工艺设计套件包括若干不同的第二器件，各所述第二器件具有器件信息；通过提取模块，在所述工艺设计套件中获取待检测信息，所述待检测信息包括全部所述第二器件，各所述第二器件与各所述第一器件一一对应；采用所述第一规则模型，在所述待检测信息中获取各所述第二器件的若干不同类第二器件结构，且每类所述第二器件结构具有第二结构信息；根据所述检查模型判断各所述第二器件中的不同类的所述第二器件结构是否位置重叠。
[0007]可选的，各所述第一结构信息包括：所述第一器件结构对应的第一器件结构位置信息、若干不同种第一器件层、所述第一器件结构与所述若干不同种第一器件层的第一图形关系、所述若干不同种第一器件层对应的若干第一器件层位置信息、以及所述第一器件结构位置信息与所述若干第一器件层位置信息的位置关系。
[0008]可选的，所述第一图形关系包括：各所述第一器件结构包括的所述第一器件层的种类、以及各所述第一器件结构不包括的所述第一器件层的种类。
[0009]可选的，所述第一器件层包括：多晶硅层、有源区、N型注入、P型注入、N型栅极层、N型多晶硅层、N型扩散区、P型栅极层、P型多晶硅层和P型扩散区中的一者或多者。
[0010]可选的，各所述器件信息包括：若干不同种第二器件层、以及所述若干不同种第二
器件层对应的若干第二器件层位置信息。
[0011]可选的，各所述第二结构信息包括：所述第二器件结构对应的第二器件结构位置信息、若干不同种第二器件层、所述第二器件结构与所述若干不同种第二器件层的第二图形关系，各所述第二器件结构与各所述第一器件结构一一对应，各所述第二结构信息与各所述第一结构信息一一对应，各所述第二器件结构的所述第二图形关系与各所述第二器件结构对应的各所述第一器件结构的所述第一图形关系相同。
[0012]可选的，获取各所述第二器件的若干不同类第二器件结构的方法包括：根据所述待检测信息中各所述第二器件的若干不同种所述第二器件层，获取各所述第二器件对应的各所述第一器件；获取各所述第二器件中若干不同种所述第二器件层对应的若干不同种所述第一器件层；根据对应的若干不同种所述第一器件层的第一图形关系，获取各所述第二器件的若干不同类第二器件结构。
[0013]可选的，所述第二图形关系包括：各所述第二器件结构包括的所述第二器件层的种类、以及各所述第二器件结构不包括的所述第二器件层的种类。
[0014]可选的，所述第二器件层包括：多晶硅层、有源区、N型注入、P型注入、N型栅极层、N型多晶硅层、N型扩散区、P型栅极层、P型多晶硅层和P型扩散区中的一者或多者。
[0015]可选的，还包括：在根据所述检查模型判断各所述第二器件中的不同类的所述第二器件结构是否位置重叠之后，当所述第二器件中的不同类的第二器件结构存在位置重叠时，在所述第一规则模型中修改所述第二器件中重叠的第二器件结构对应的所述第一器件结构的所述第一结构信息。
[0016]可选的，还包括：在根据所述检查模型判断各所述第二器件中的不同类的所述第二器件结构是否位置重叠之后，当每个所述第二器件中的每类所述第二器件结构均不存在位置重叠时，重叠检查完毕。
[0017]可选的，所述第一器件包括：N型MOS管、P型MOS管、NPN型三极管和NPN型三极管中的一者或多者。
[0018]可选的，所述第二器件包括：N型MOS管、P型MOS管、NPN型三极管和NPN型三极管中的一者或多者。
[0019]可选的，所述第一器件结构包括：N型栅极层、N型多晶硅层、N型扩散区、P型栅极层、P型多晶硅层和P型扩散区中的一者或多者。
[0020]可选的，所述第二器件结构包括：N型栅极层、N型多晶硅层、N型扩散区、P型栅极层、P型多晶硅层和P型扩散区中的一者或多者。
[0021]相应的，本专利技术的技术方案提供一种版图仿真装置，所述版图仿真装置包括：第一规则模型，所述第一规则模型包括若干不同的第一器件，各所述第一器件包括若干不同类的第一器件结构，各所述第一器件的每类第一器件结构具有第一结构信息；检查模块，用于根据所述第一规则模型，获取若干与各所述第一器件对应的检查模型，各所述检查模型包括若干组器件组以及各器件组对应的检查条件信息，每组器件组包括与所述检查模型对应的所述第一器件中两类不同的所述第一器件结构以及所述第一器件结构的所述第一结构信息；工艺设计套件，所述工艺设计套件包括若干不同的第二器件，各所述第二器件具有器件信息；提取模块，在所述工艺设计套件中获取待检测信息，所述待检测信息包括全部所述第二器件，各所述第二器件与各所述第一器件一一对应；结构模块，用于采用所述第一规则
模型，在所述待检测信息中获取各所述第二器件的若干不同类第二器件结构，且每类所述第二器件结构具有第二结构信息；判断模块，用于根据所述检查模型判断各所述第二器件中的不同类的所述第二器件结构是否位置重叠。
[0022]可选的，各所述第一结构信息包括：所述第一器件结构对应的第一器件结构位置信息、若干不同种第一器件层、所述第一器件结构与所述若干不同种第一器件层的第一图形关系、所述若干不同种第一器件层对应的若干第一器件层位置信息、以及所述第一器件结构位置信息与所述若干第一器件层位置信息的位置关系。
[0023]可选的，所述第一图形关系包括：各所述第一器件结构包括的所述第一器件层的种类、以及各所述第一器件结构不包括的所述第一器件层的种类。
[0024]可选的，所述第一器件层包括：多晶硅层、有源区、N型注本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种版图仿真方法，其特征在于，包括：提供第一规则模型，所述第一规则模型包括若干不同的第一器件，各所述第一器件包括若干不同类的第一器件结构，各所述第一器件的每类第一器件结构具有第一结构信息；根据所述第一规则模型，获取若干与各所述第一器件对应的检查模型，各所述检查模型包括若干组器件组以及各器件组对应的检查条件信息，每组器件组包括与所述检查模型对应的所述第一器件中两类不同的所述第一器件结构以及所述第一器件结构的所述第一结构信息；提供工艺设计套件，所述工艺设计套件包括若干不同的第二器件，各所述第二器件具有器件信息；通过提取模块，在所述工艺设计套件中获取待检测信息，所述待检测信息包括全部所述第二器件，各所述第二器件与各所述第一器件一一对应；采用所述第一规则模型，在所述待检测信息中获取各所述第二器件的若干不同类第二器件结构，且每类所述第二器件结构具有第二结构信息；根据所述检查模型判断各所述第二器件中的不同类的所述第二器件结构是否位置重叠。2.如权利要求1所述的版图仿真方法，其特征在于，各所述第一结构信息包括：所述第一器件结构对应的第一器件结构位置信息、若干不同种第一器件层、所述第一器件结构与所述若干不同种第一器件层的第一图形关系、所述若干不同种第一器件层对应的若干第一器件层位置信息、以及所述第一器件结构位置信息与所述若干第一器件层位置信息的位置关系。3.如权利要求2所述的版图仿真方法，其特征在于，所述第一图形关系包括：各所述第一器件结构包括的所述第一器件层的种类、以及各所述第一器件结构不包括的所述第一器件层的种类。4.如权利要求2所述的版图仿真方法，其特征在于，所述第一器件层包括：多晶硅层、有源区、N型注入、P型注入、N型栅极层、N型多晶硅层、N型扩散区、P型栅极层、P型多晶硅层和P型扩散区中的一者或多者。5.如权利要求2所述的版图仿真方法，其特征在于，各所述器件信息包括：若干不同种第二器件层、以及所述若干不同种第二器件层对应的若干第二器件层位置信息。6.如权利要求5所述的版图仿真方法，其特征在于，各所述第二结构信息包括：所述第二器件结构对应的第二器件结构位置信息、若干不同种第二器件层、所述第二器件结构与所述若干不同种第二器件层的第二图形关系，各所述第二器件结构与各所述第一器件结构一一对应，各所述第二结构信息与各所述第一结构信息一一对应，各所述第二器件结构的所述第二图形关系与各所述第二器件结构对应的各所述第一器件结构的所述第一图形关系相同。7.如权利要求6所述的版图仿真方法，其特征在于，获取各所述第二器件的若干不同类第二器件结构的方法包括：根据所述待检测信息中各所述第二器件的若干不同种所述第二器件层，获取各所述第二器件对应的各所述第一器件；获取各所述第二器件中若干不同种所述第二器件层对应的若干不同种所述第一器件层；根据对应的若干不同种所述第一器件层的第一图形关系，获取各所述第二器件的若干不同类第二器件结构。
8.如权利要求6所述的版图仿真方法，其特征在于，所述第二图形关系包括：各所述第二器件结构包括的所述第二器件层的种类、以及各所述第二器件结构不包括的所述第二器件层的种类。9.如权利要求6所述的版图仿真方法，其特征在于，所述第二器件层包括：多晶硅层、有源区、N型注入、P型注入、N型栅极层、N型多晶硅层、N型扩散区、P型栅极层、P型多晶硅层和P型扩散区中的一者或多者。10.如权利要求1所述的版图仿真方法，其特征在于，还包括：在根据所述检查模型判断各所述第二器件中的不同类的所述第二器件结构是否位置重叠之后，当所述第二器件中的不同类的第二器件结构存在位置重叠时，在所述第一规则模型中修改所述第二器件中重叠的第二器件结构对应的所述第一器件结构的所述第一结构信息。11.如权利要求1所述的版图仿真方法，其特征在于，还包括：在根据所述检查模型判断各所述第二器件中的不同类的所述第二器件结构是否位置重叠之后，当每个所述第二器件中的每类所述第二器件结构均不存在位置重叠时，重叠检查完毕。12.如权利要求1所述的版图仿真方法，其特征在于，所述第一器件包括：N型MOS管、P型MOS管、NPN型三极管和NPN型三极管中的一者或多者。13.如权利要求1所述的版图仿真方法，其特征在于，所述第二器件包括：N型MOS管、P型MOS管、NPN型三极管和NPN型三极管中的一者或多者。14.如权利要求1所述的版图仿真方法，其特征在于，所述第一器件结构包括：N型栅极层、N型多晶硅层、N型扩散区、P型栅极层、P型多晶硅层和P型扩散区中的一者或多者。15.如权利要求1所述的版图仿真方法，其特征在于，所述第二器件结构包括：N型栅极层、N型多晶硅层、N型扩散区、P型栅极层、P型多晶硅层和P型扩散区中的一者或多者。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：张甜，李雪，潘见，邓含露，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：