用于低倾角沟槽蚀刻的薄遮蔽环制造技术

一种用于衬底处理系统的薄遮蔽环包含环形主体，所述环形主体具有内直径和外直径。所述内直径和所述外直径限定所述环形主体的在所述内直径与所述外直径之间的横截面宽度。至少两个突出部从所述环形主体向外径向延伸。所述内直径与所述外直径之间的所述环形主体的所述横截面宽度小于1.0英寸。所述横截面宽度小于1.0英寸。所述横截面宽度小于1.0英寸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于低倾角沟槽蚀刻的薄遮蔽环
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2020年7月31日申请的美国临时申请No.63/059,936以及于2020年8月21日申请的美国临时申请No.63/068,677的权益。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。


[0002]本公开内容涉及一种用于半导体处理系统的遮蔽环。

技术介绍

[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
[0004]在例如半导体晶片之类的衬底的制造期间，蚀刻工艺和沉积工艺可在处理室内执行。衬底被设置在处理室中的衬底支撑件上，衬底支撑件例如为静电卡盘(ESC)或基座。引入工艺气体，以及在处理室中激励等离子体。
[0005]一些衬底处理系统可配置成用来执行深硅蚀刻(DSiE)处理和/或快速交替工艺(RAP)，其中包括在蚀刻和沉积工艺之间的快速切换。例如，RAP可用于微电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于衬底处理系统的薄遮蔽环，所述薄遮蔽环包含：环形主体，所述环形主体具有内直径和外直径，其中所述内直径和所述外直径限定所述环形主体的在所述内直径与所述外直径之间的横截面宽度；以及至少两个突出部，所述至少两个突出部从所述环形主体向外径向延伸，其中所述内直径与所述外直径之间的所述环形主体的所述横截面宽度小于1.0英寸。2.根据权利要求1所述的薄遮蔽环，其中所述内直径与所述外直径之间的所述环形主体的所述横截面宽度小于0.5英寸。3.根据权利要求1所述的薄遮蔽环，其中所述内直径与所述外直径之间的所述环形主体的所述横截面宽度小于0.25英寸。4.根据权利要求1所述的薄遮蔽环，其中所述至少两个突出部包含从所述环形主体向外径向延伸的至少三个突出部。5.根据权利要求1所述的薄遮蔽环，其中所述至少两个突出部中的至少一者包含延伸穿过所述突出部的开口。6.根据权利要求1所述的薄遮蔽环，其中所述至少两个突出部中的至少一者的下表面包含凹陷部，所述凹陷部被配置成接收升降销。7.根据权利要求1所述的薄遮蔽环，其中所述环形主体的上表面是倾斜的。8.一种衬底支撑件，其包含根据权利要求1的薄遮蔽环，且还包含：至少两个升降销，所述至少两个升降销被配置成与所述薄遮蔽环的所述至少两个突出部接合，以使所述薄遮蔽环抬升和下降。9.根据权利要求8所述的衬底支撑件，其中所述薄遮蔽环的所述至少两个突出部中的至少一者在所述衬底支撑件的外边缘上方延伸。10.根据权利要求8所述的衬底支撑件，其中所述衬底支撑件被配置成支撑具有外直径的衬底，且其中所述环形主体的内直径小于所述衬底的所述外直径。11.根据权利要求8所述的衬底支撑件，其中所述衬底支撑件的上表面限定凹陷部，所述凹陷部被配置成接收衬底，且其中所述薄遮蔽环的所述环形主体的一部分与所述凹陷部重叠。12.根据权利要求1所述的薄遮蔽环，其中锐角被限定在所述环形主体的所述内直径处，介于所述环形主体的一上表面与所述环形主体的下表面之间，且其中：所述上表面与所述下表面在所述薄遮蔽环的内边缘处形成锋利角；所述内边缘是圆弧形的；所述内边缘具有介于0.0与0.025英寸之间的半径；所述锐角介于1与35度之间；或者所述内边缘的厚度小于0....

【专利技术属性】
技术研发人员：大卫，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：