带有透明导电膜的透明基体及其制造方法、以及含有该基体的光电转换元件技术

本发明专利技术提供一种带有透明导电膜的透明基体的制造方法，包括向透明基体上提供含有金属化合物、氧化原料以及氯化氢的原料气体并利用热分解氧化法在透明基体上形成以结晶性金属氧化物为主成分的透明导电膜的工序，上述工序按照顺序包括：在原料气体中氯化氢相对于金属化合物的摩尔比为０．５～５的第１工序；上述摩尔比为２～１０且大于第１工序中的上述摩尔比的第２工序。利用本发明专利技术，可以提供一种透明导电膜的厚度为３００ｎｍ～７５０ｎｍ、模糊率（ｈａｚｅ　ｒａｔｉｏ）为１５％以上的带有透明导电膜的透明基体。由此，本发明专利技术提供一种具有即使膜厚度薄也有高的表面凹凸不平的透明导电膜的透明基体。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在透明基体上形成透明导电膜的带有透明导电膜的透明基体及其制造方法，以及含有带透明导电膜的透明基体作为构成要素的光电转换元件。
技术介绍
含有玻璃等透明基体和在其上形成的透明导电膜的带有透明导电膜的透明基体，进一步在其上形成功能性薄膜，被用于光电转换元件、光传感器、图像显示装置、发光装置等。作为图像显示装置，可以例示液晶显示器、有机EL显示器、等离子显示器。作为发光装置，可以例示FED(fieldemission display)、发光二极管、固体激光器。带有透明导电膜的透明基体也可以被用作建筑物用窗玻璃、店铺用冰箱的窗玻璃、复印机的原稿台，具体地说被用作Low—E(low—emissivity)玻璃、电磁波屏蔽玻璃、防雾玻璃等。光电转换元件是将电能转换为光能或者进行相反的转换的能量转换元件。太阳电池将光能转换为电能。硅半导体薄膜系太阳电池包括在带有透明导电膜的透明基体的透明导电膜上按照该顺序形成具有光电转换功能的硅半导体膜(光电转换层)以及背面电极膜的结构。从透明基体侧入射到带有透明导电膜的透明基体的太阳光，通过透明导电膜而达到光电转换层。在光电转换层中产生的电能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带有透明导电膜的透明基体，包括透明基体和在所述透明基体上形成的以结晶性金属氧化物为主成分的透明导电膜，其中，　所述透明导电膜的厚度为３００ｎｍ～７５０ｎｍ，所述带有透明导电膜的透明基体的模糊率为１５％以上，　对于从Ｘ线衍射图形计算出的与所述结晶性氧化物的取向面对应的峰面积，将（１１０）面的峰面积作为１００，其它所有取向面的峰面积为８０以下。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：濑户康德，吉田英将，藤泽章，末吉幸雄，
申请(专利权)人：日本板硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]