半导体器件的制备方法技术

树脂密封的半导体封装的辐射性能得到提高并且其出产量增 加。与半导体芯片的背表面漏极电极相耦合的漏极端子在密闭树脂 部分的背表面处暴露。下述部分以及端子的一部分在密闭树脂部分 的顶表面处暴露：与半导体芯片的源极焊盘电极相耦合的源极端子 的第一部分以及与半导体芯片的栅极焊盘电极相耦合的栅极端子。 源极端子以及栅极端子的第二部分的剩余部分暴露在密闭树脂部分 的背表面处。当制备这种半导体器件时，在漏极端子和半导体芯片 之间放置键合材料和膜构件。同时，在源极端子3和栅极端子以及 半导体芯片之间放置膏状键合材料和膜构件。该膏状键合材料被固 化并且变成键合材料。使用膜构件的结果是，键合材料厚度的变化 被抑制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，并且特别地涉及一种有效 术。 '" '、''" ' 、'
技术介绍
在所使用的各种半导体封装中，有通过利用密闭树脂部分对半 导体芯片进行密封而获得的树脂密封半导体封装。在树脂密封半导 体封装中，半导体芯片密封在密闭树脂部分中；因此，可以增强半 导体芯片的可靠性。当端子在密闭树脂部分的背表面处暴露时，就 可以对树脂密封的半导体封装进行表面安装。日本未审专利公开No.2004-266096 (专利文件1 )公开了 一种与 半导体器件有关的技术。这种半导体器件包括对半导体芯片进行 密封的树脂密封体；在半导体芯片的第一主表面之上与第一电极相 耦合的第一导电构件；在与该第一主表面相对侧上的半导体芯片的 第二主表面之上与第二电极相耦合的第二导电构件。该第一导电构 件从树脂密封体的第一主表面暴露出来。该第二导电构件从在与该 第一主表面相对侧上的树脂密封体的第二主表面以及侧表面暴露出 来。日本未审专利公开No.2006-222121 (专利文件2)公开了一种用 于在形成密闭树脂部分之后将端子从该密闭树脂部分暴露出来的技术。通过利用液体对磨对密闭树脂部分进行抛光来对端子进行暴露。 (本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制备方法，其中该半导体器件包括：半导体芯片；结合到该半导体芯片的第一主表面的第一导体部分；结合到在该第一主表面相对侧的该半导体芯片的第二主表面的第二导体部分；以及将该半导体芯片以及该第一导体部分和第二导体部分的一部分密封起来的密闭树脂部分，并且在该半导体器件中，该第一导体部分的前表面从该密闭树脂部分的第一表面暴露出来并且该第二导体部分的前表面从位于与该第一表面相对侧的该密闭树脂部分的第二表面暴露出来，　所述制备方法包括步骤：　（ａ）通过其间的第一膜 构件和第一键合材料将该半导体芯片安装在该第一导体部分之上使得该半导体芯片的该第一主表面与该第一导体部分相对；...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：武藤晃，小池信也，新井克夫，藤城敦，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP