半导体器件的制备方法技术

树脂密封的半导体封装的辐射性能得到提高并且其出产量增 加。与半导体芯片的背表面漏极电极相耦合的漏极端子在密闭树脂 部分的背表面处暴露。下述部分以及端子的一部分在密闭树脂部分 的顶表面处暴露：与半导体芯片的源极焊盘电极相耦合的源极端子 的第一部分以及与半导体芯片的栅极焊盘电极相耦合的栅极端子。 源极端子以及栅极端子的第二部分的剩余部分暴露在密闭树脂部分 的背表面处。当制备这种半导体器件时，在漏极端子和半导体芯片 之间放置键合材料和膜构件。同时，在源极端子3和栅极端子以及 半导体芯片之间放置膏状键合材料和膜构件。该膏状键合材料被固 化并且变成键合材料。使用膜构件的结果是，键合材料厚度的变化 被抑制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，并且特别地涉及一种有效 术。 '" '、''" ' 、'
技术介绍
在所使用的各种半导体封装中，有通过利用密闭树脂部分对半 导体芯片进行密封而获得的树脂密封半导体封装。在树脂密封半导 体封装中，半导体芯片密封在密闭树脂部分中；因此，可以增强半 导体芯片的可靠性。当端子在密闭树脂部分的背表面处暴露时，就 可以对树脂密封的半导体封装进行表面安装。日本未审专利公开No.2004-266096 (专利文件1 )公开了 一种与 半导体器件有关的技术。这种半导体器件包括对半导体芯片进行 密封的树脂密封体；在半导体芯片的第一主表面之上与第一电极相 耦合的第一导电构件；在与该第一主表面相对侧上的半导体芯片的 第二主表面之上与第二电极相耦合的第二导电构件。该第一导电构 件从树脂密封体的第一主表面暴露出来。该第二导电构件从在与该 第一主表面相对侧上的树脂密封体的第二主表面以及侧表面暴露出 来。日本未审专利公开No.2006-222121 (专利文件2)公开了一种用 于在形成密闭树脂部分之后将端子从该密闭树脂部分暴露出来的技术。通过利用液体对磨对密闭树脂部分进行抛光来对端子进行暴露。 (专利文件1 )日本未审专利公开No.2004-266096(专利文件2)曰本未审专利公开No.2006-22212
技术实现思路
本专利技术人的一项研究表明当在树脂密封的半导体封装中，在密闭树脂部分的下表面(背 表面)处对端子进行了暴露时，可以对该树脂密封的半导体封装进 行表面安装。进一步，当端子不是在密闭树脂部分的下表面处而是 在密闭树脂部分的顶表面和下表面处暴露时，可以增强树脂密封的 半导体封装的辐射性能。可以通过将密闭树脂材料注入上部模和下 部模中的空腔并且在模制步骤对该材料进行固化来形成密闭树脂部 分。为了制备端子暴露在其密闭树脂部分的顶表面和下表面处的树 脂密封半导体封装，要进行如下工序。在半导体芯片上方以及下方 放置多个端子，这些端子通过例如焊料或是银膏的键合材料而键合 在一起，并且将所获得的组合件布置在模具的空腔里。将模具进行 固定(钳位)使得半导体芯片的上部端子与上部模进行接触而半导 体芯片的下部端子与下部模进行接触。在这种状态下，将密闭树脂 材料注入模具的空腔并且进行固化。结果是，这样形成的密闭树脂 部分使得端子暴露在该密闭树脂部分的顶表面和底表面处。进行接触而半导体芯片的下部端子与下部模进行接触时，问题就产 生了 。如果刚好在模制步骤之前的组合件的高度或者半导体芯片的 上部端子和下部端子的平行性发生了变化，会发生如下情况存在从上部模和下部模施加强压力到半导体芯片的可能性。该压力通过 半导体芯片的上部端子和半导体芯片的下部端子自上方及下方而施加。当自上方和下方向半导体芯片施加有压力时，就有可能在半导体芯片中发生断裂或类似情况。这会使得树脂密封的半导体封装类 型的半导体器件的出产量降级。如果树脂密封的半导体封装的高度发生变化，例如，当在安装 板上安装多个半导体封装并且接着在所有的半导体封装上安装热沉时会产生如下问题热沉和每一个半导体封装之间的耦合状态发生变化并且有可能各个半导体封装的辐射状态各不相同。出于这种原 因，为了增强树脂密封的半导体封装的热辐射特性，希望减少各个 半导体封装之间高度的不同。本专利技术的一个目的在于提供一种使得半导体器件的产出量可能 增加的技术。本专利技术的另 一 个目的在于提供 一 种使得半导体器件的热辐射特 性可能增强的技术。本专利技术的上述及其它目的以及其新颖的特征将通过本说明书和 附图中的描述而变得清楚。随后是对在本申请中所公开专利技术的代表性要素的主旨的简要描述。树脂部分的顶表面和下表面处具有暴露的导体(第一导体部分和第 二导体部分)的树脂密封的半导体器件。此时，进行如下的工序。通过其间的第 一膜构件以及第 一键合材料将半导体芯片安装在第一 导体部分之上。通过其间的第二膜构件以及第二键合材料将第二导 体部分安装在该半导体芯片之上。该第 一键合材料和第二键合材料 被固化从而分别将第一导体部分和第二导体部分键合到半导体芯片 的两个表面上。之后，形成密闭树脂部分以将半导体芯片、第一导 体部分以及第二导体部分进行密封。闭树脂部分的顶表面和下表面处具有暴露的导体(第一导体部分和 第二导体部分)的树脂密封的半导体器件。此时，进行如下的工序。12通过其间的第一银膏将半导体芯片安装在第一导体部分之上。通过 其间的第二银膏将第二导体部分安装在半导体芯片之上。该第一银 膏和第二银膏被固化从而分别将第 一导体部分和第二导体部分键合 到半导体芯片的两个表面上。之后，形成密闭树脂部分以将半导体 芯片、第一导体部分和第二导体部分进行密封。该第一银膏和第二 银膏包含Ag填充料、作为基底树脂的热固性树脂以及垫隔微粒。在另 一 个代表性实施例中的进行如下工 序。将第一导体部分和第二导体部分都键合到半导体芯片的两个表 面上。将绝缘薄片粘贴到第二导体部分的、与半导体芯片相对的一 侧的相对的一侧的表面上。之后，形成密闭树脂部分以密封半导体芯片、第一导体部分和第二导体部分以及绝缘薄片。此时，绝缘薄片的表面从密闭树脂部分的第一表面暴露出来；并且第一导体部分 的表面从在与密闭树脂部分的第 一 表面相对侧的密闭树脂部分的第 二表面暴露出来。下的措施。将各自具有在其密闭树脂部分的顶表面和下表面处暴露 的导体的第 一树脂密封的半导体器件和第二树脂密封的半导体器件 堆叠并且键合在一起。此时，进行如下的工序。通过其间的第一膜 构件以及传导第一键合材料将第二半导体器件安装在第一半导体器 件的第一密闭树脂部分的第一表面之上。之后，对第一键合材料进 行固化从而将第二半导体器件键合在第一半导体器件的第一密闭树 脂部分的第一表面之上。在另 一个代表性实施例中的中，采取以 下的措施。将各自具有在其密闭树脂部分的顶表面和下表面处暴露 的导体的第一树脂密封的半导体器件和第二树脂密封的半导体器件 堆叠并且键合在一起。此时，进行如下工序。通过其间的银膏将第 二半导体器件安装在第一半导体器件的第一密闭树脂部分的第一表面之上。之后，将银膏进行固化从而将第二半导体器件键合在第一 半导体器件的第一密闭树脂部分的第一表面之上。该银膏包含Ag填充料、作为基底树脂的热固性树脂以及垫隔微粒。通过在将压力施 加至其间夹有银膏的第一半导体器件和第二半导体器件之间的同时 进行热处理而将银膏进行固化。封的半导体器件。这种半导体器件具有在其密闭树脂部分的顶表面 和下表面暴露的导体(第一导体部分和第三导体部分)，该处密封 有多个半导体芯片。此时，进行如下的工序。通过其间的第一银膏将第一半导体芯片安装在第一导体部分之上并且通过其间的第二银 膏将第二导体部分安装在第一半导体芯片之上。通过其间的第三银膏将第二半导体芯片安装在第二导体部分之上并且通过其间的第四 银膏将第三导体部分安装在第二半导体芯片之上。将第一到第四银 膏进行固化并且接着形成密闭树脂部分从而将第一半导体芯片和第 二半导体芯片以及第一到第三导体部分进行密封。该第一到第四银膏包含Ag填充料、作为基底树脂的热固性树脂以及垫隔微粒。当第一到第四银膏固化时，在将压力施加至其间夹有第一半导体芯片、 第二导体部分以及第二半导体芯片的第一导体部分和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制备方法，其中该半导体器件包括：半导体芯片；结合到该半导体芯片的第一主表面的第一导体部分；结合到在该第一主表面相对侧的该半导体芯片的第二主表面的第二导体部分；以及将该半导体芯片以及该第一导体部分和第二导体部分的一部分密封起来的密闭树脂部分，并且在该半导体器件中，该第一导体部分的前表面从该密闭树脂部分的第一表面暴露出来并且该第二导体部分的前表面从位于与该第一表面相对侧的该密闭树脂部分的第二表面暴露出来，　所述制备方法包括步骤：　（ａ）通过其间的第一膜 构件和第一键合材料将该半导体芯片安装在该第一导体部分之上使得该半导体芯片的该第一主表面与该第一导体部分相对；　（ｂ）通过其间的第二膜构件和第二键合材料将该第二导体部分安装在该半导体芯片的该第二主表面之上；　（ｃ）固化该第一键合材 料和该第二键合材料以将该第一导体部分结合到该半导体芯片的该第一主表面并且将该第二导体部分结合到该半导体芯片的该第二主表面；并且　（ｄ）在步骤（ｃ）之后，形成将该半导体芯片、该第一导体部分和该第二导体部分密封起来的密闭树脂部分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：武藤晃，小池信也，新井克夫，藤城敦，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP