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半导体器件的制备方法技术
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文档序号:3764695
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树脂密封的半导体封装的辐射性能得到提高并且其出产量增 加。与半导体芯片的背表面漏极电极相耦合的漏极端子在密闭树脂 部分的背表面处暴露。下述部分以及端子的一部分在密闭树脂部分 的顶表面处暴露:与半导体芯片的源极焊盘电极相耦合的源极端子 的第一...
该专利属于株式会社瑞萨科技所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社瑞萨科技授权不得商用。
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