硅单晶提拉用石英玻璃坩埚的制造方法技术

本发明专利技术提供不进行内表面的全面磨削处理即可减少透明层中气泡量的硅单晶提拉用石英玻璃坩埚的新型制造方法。该方法包括下述步骤：通过对由石英原料粉形成的坩埚形状成型体从内表面向外表面方向减压、并使上述坩埚形状成型体旋转的同时进行电弧熔融形成内表面侧为透明层、外表面侧为起泡层的石英玻璃坩埚的步骤；底部方向移动步骤，即利用电弧熔融使石英玻璃坩埚的壁部内表面再熔，使存在于上述壁部内表面的透明层中的气泡向上述壁部内表面的底部方向移动的步骤；以及，外周方向移动步骤，即利用电弧熔融使石英玻璃坩埚的底部内表面再熔，使存在于上述底部内表面的透明层中的气泡向上述底部内表面的外周方向移动的步骤。通过本发明专利技术的制造方法，可得到在壁部内表面和底部内表面形成的透明层的角落处积聚气泡的石英玻璃坩埚。不论是先实施底部方向移动步骤还是外周方向移动步骤都可以。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。特别地，本专利技术涉及可制造具有下述特征的石英玻璃坩埚的，其中，所述石英玻璃坩埚的内表面具有高度平滑性，且当将其用于硅单晶提拉时，可高产率地获得硅单晶。
技术介绍
用于半导体装置基板的硅单晶一般用丘克拉尔斯基法(Czochralskimethod，CZ法)制造。CZ法是在硅单晶提拉用石英玻璃坩埚中装填入多晶硅原料，将该硅原料从周围加热使之熔融，使从上方悬吊的晶种与硅的熔融液接触后进行提拉的方法。 以往的石英玻璃坩埚用减压熔融等方法形成。用这种方法形成的石英玻璃坩埚在硅单晶提拉时一旦产生高温就在透明层中产生气泡，石英玻璃坩埚在产生变形的同时，从其表面开始被硅熔融液侵蚀。由于该侵蚀，石英玻璃坩埚的透明层(内层)中的气泡变为露出在该透明层与硅融液的界面处的状态，使单晶化变得不稳定，结果产生降低单晶化产率的问题。 具体地说，在石英玻璃坩埚的内表面附近存在微小的气泡时，石英玻璃坩埚开口附近存在的气泡在单晶提拉中膨胀、开裂，落入硅融液中，此外，由于与石英玻璃坩埚的硅融液接触，导致含有气泡的部分剧烈地溶损。认为该现象是由于硅单晶的单晶化产率降低的原因。 因此，近年来研究本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅单晶提拉用石英玻璃坩埚的制造方法，该方法包括如下步骤：　　向旋转的模具中供给石英原料粉形成坩埚形状的成型体的步骤；　　石英玻璃坩埚形成步骤，该步骤包括，通过对上述坩埚形状成型体从内表面向外表面方施加减压，并使上述坩埚形状成型体旋转，同时对其进行电弧熔融，由此形成石英玻璃坩埚，所述石英玻璃坩埚的内表面侧为透明层、外表面侧为气泡层，在上述形成石英玻璃坩埚的步骤中，至少在电弧熔融的一部分过程中进行上述减压；　　底部方向移动步骤，即利用电弧熔融使所述石英玻璃坩埚的壁部内表面再熔融，使上述壁部内表面的透明层中存在的气泡向上述壁部内表面的底部方向移动；和　　外周方向移动步骤，即利用电弧熔融使所述石英...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤忠广，森川正树，
申请(专利权)人：日本超精石英株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]