本实用新型专利技术公开了一种高温键合用真空盖板，包括抬杆、基板、加压块和真空环，所述抬杆与所述基板的顶面连接，所述加压块固定连接于所述基板的下表面，所述加压块的下表面设有气膜，所述真空环固定连接于所述加压块的下表面并将所述气膜的边缘压合于所述加压块的下表面，所述气膜与所述加压块之间形成上腔室，所述真空盖板设有第一气路和第二气路，所述第一气路贯通所述基板和所述加压块并与所述上腔室连通，所述第二气路贯通所述基板、所述加压块和所述真空环，所述第二气路在所述真空环的内圈侧壁形成端口。本实用新型专利技术在真空盖板形成双气路结构，避免晶圆位移，同时减少了高温漏气的风险。气的风险。气的风险。
【技术实现步骤摘要】
一种高温键合用真空盖板
[0001]本技术涉及一种真空盖板，特别是涉及一种高温键合用真空盖板，属于半导体器件加工设备。
技术介绍
[0002]在半导体晶圆的后道工艺制程中，一般先使用特制的蜡把晶圆粘接在蓝宝石衬底上，这个过程称为晶圆键合，键合完成以后对晶圆的背面进行减薄抛光。在键合过程主要使用由真空盖板与加热体组成的键合装置完成。在现有技术中，真空盖板盖合在加热体上，两者之间构成一个腔室，在真空盖板上设置有一个气膜，气膜将腔室分为上下两部分，即为上腔室和下腔室。其中，上腔室通正压，气膜鼓出对晶圆施压。下腔室则抽真空，使蜡液形成均匀的膜层。抽真空的气路是设置在加热体上，而随着加热体被设计得越来越小，加热体上设置抽真空的气路逐渐出现了以下问题：抽真空时晶圆收到气压影响而位移，并且在高温加热时，下腔室真空容易受热漏气而产生不良影响，影响后续工艺和生产。
技术实现思路
[0003]针对上述现有技术的缺陷，本技术提供了一种高温键合用真空盖板，目的是解决晶圆键合装置中下腔室真空易受加热体影响以及键合过程中晶圆易发生位移的问题。
[0004]本技术技术方案如下：一种高温键合用真空盖板，包括抬杆、基板、加压块和真空环，所述抬杆与所述基板的顶面连接，所述加压块固定连接于所述基板的下表面，所述加压块的下表面设有气膜，所述真空环固定连接于所述加压块的下表面并将所述气膜的边缘压合于所述加压块的下表面，所述气膜与所述加压块之间形成上腔室，所述真空盖板设有第一气路和第二气路，所述第一气路贯通所述基板和所述加压块并与所述上腔室连通，所述第二气路贯通所述基板、所述加压块和所述真空环，所述第二气路在所述真空环的内圈侧壁形成端口。
[0005]进一步地，为了提升抽真空时气流的均匀性，进一步减少对晶圆位置的影响，所述第二气路在所述真空环的内圈侧壁形成的所述端口设有多个并周向等分分布于所述真空环的内圈侧壁。
[0006]进一步地，所述真空环包括上下固定贴合的上环和下环，所述端口设置于所述上环和所述下环的贴合面，该结构方便加工。
[0007]进一步地，所述基板的下表面设有若干同心布置的环状凹槽。
[0008]进一步地，为了便于外部气路与真空盖板进行连接，所述基板的顶面设有偏心布置的接口通孔，所述加压块的中心设有气道通孔，所述基板与所述加压块的结合面上设有连通所述接口通孔和所述气道通孔的径向气道，所述接口通孔、所述径向气道和所述气道通孔构成所述第一气路。
[0009]进一步地，所述基板的顶面设有与所述抬杆配合连接的第一结构面，所述抬杆设有与所述第一结构面相对的第二结构面，所述第一结构面和所述第二结构面为相互配合的
凹凸曲面。利用曲面的配合，可以在盖合真空盖板时使基板准确定位。
[0010]本技术所提供的技术方案的优点在于：
[0011]通过真空盖板设置的两条气路，使真空盖板实现中心正压和外侧环形负压的功能，满足晶圆键合的工况要求。将形成键合腔室的下腔室真空的第二气路布置在真空盖板的真空环能够减少对键合晶圆的扰动，避免晶圆位移。等分分布多个第二气路的端口，在抽真空时可以进一步提高蜡液的成型质量。同时该第二气路也远离了加热体，可避免高温漏气的风险，提高生产成品率。
附图说明
[0012]图1为具有实施例的高温键合用真空盖板的键合装置结构示意图。
[0013]图2为实施例的高温键合用真空盖板的立体结构示意图。
[0014]图3为实施例的高温键合用真空盖板的剖面结构示意图。
[0015]图4为实施例的高温键合用真空盖板的爆炸结构示意图。
[0016]图5为基板的下视角结构示意图。
[0017]图6为加压块的下视角结构示意图。
[0018]图7为上环的下视角结构示意图。
[0019]图8为下环的下视角结构示意图。
具体实施方式
[0020]下面结合实施例对本技术作进一步说明，应理解这些实施例仅用于说明本技术而不用于限制本技术的范围，在阅读了本说明之后，本领域技术人员对本说明的各种等同形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围内。
[0021]请结合图1至图4所示，本实施例的高温键合用真空盖板包括抬杆1、基板2、加压块3和真空环，其中抬杆1与基板2的顶面悬吊连接，具体的，在抬杆1的中部和基板2的顶面中央分别开设一个螺纹孔a，然后通过柔性索连接抬杆1和基板2。同时为了使真空盖板在打开时，抬杆1与基板2间受力更加平衡，在基板2的顶面靠近边缘处开设另一悬吊孔b，并于抬杆1连接。在一个优选的实施例中，基板2的顶面中央设置一个凸台201，凸台201的顶面为凹曲面，而对应的抬杆1的中部的底面101为凸曲面，两者配合使抬杆1下压时能够更准确地使基板2定位。
[0022]基板2的边缘下翻使其整体呈盖子形状，在基板2上靠近边缘位置设置两个通孔，分别为第一通孔202和第二通孔203。第一通孔202即接口通孔，第一通孔202和第二通孔203不连通。其中，如图5所示，在基板2的底面设有一条径向上气道204，该径向上气道204一端与第一通孔202连接，另一端延伸至基板2的中心。应特别指出的是，径向上气道204与基板2上的螺纹孔a是不连通的，基板2上的螺纹孔a为盲孔。在基板2的底面，围绕径向上气道204以及第二通孔203的孔端设置有密封圈205，通过密封圈205保证基板2与加压块3之间形成的气道的密封。
[0023]加压块3通过四周螺钉固定连接于基板2的下表面，加压块3的下表面设有气膜301，气膜301的边缘由真空环压合在加压块3的下表面，如此使得气膜301与加压块3之间形成上腔室4。请结合图6所示，在加压块3的底面设置有同心布置的环状凹槽303，并且在加压
块3的中心设置一个第三通孔302，第三通孔302即气道通孔，其贯穿加压块3与上腔室4连通，环状凹槽303可以优化上腔室4内气流分布。在加压块3的顶面，设置有一条与基板2的径向上气道204对应的径向下气道304。加压块3与基板2固定在一起时，径向上气道204和径向下气道304拼合为径向气道，由此第一通孔202、径向气道以及第三通孔302构成了真空盖板的第一气路，该第一气路用于向上腔室4通入正压气流，以使气膜301下鼓，用于对晶圆施加下压力。加压块3上围绕径向下气道304的四周，在对应的密封圈205的外围设置多个螺钉固定点305，用于加固加压块3与基板2的连接，保证径向气道位置的密封。另外，在加压块3的边缘，与基板2的第二通孔203对应位置设置第四通孔306，第四通孔306导通至真空环。
[0024]再请结合图7、图8所示，真空环是由同轴布置的上环5和下环6固定连接而成，上环5和下环6通过螺钉与加压块3和基板2都固定。其中上环5设有第五通孔503，在上环5和下环6与加压块3及基板2固定后，第五通孔503与第四通孔306导通。在上环5和下环6上位于两者的接合面上分别设置环形槽501,601，并且向内圈连接若干个径向槽502,602，上本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高温键合用真空盖板，其特征在于，包括抬杆、基板、加压块和真空环，所述抬杆与所述基板的顶面连接，所述加压块固定连接于所述基板的下表面，所述加压块的下表面设有气膜，所述真空环固定连接于所述加压块的下表面并将所述气膜的边缘压合于所述加压块的下表面，所述气膜与所述加压块之间形成上腔室，所述真空盖板设有第一气路和第二气路，所述第一气路贯通所述基板和所述加压块并与所述上腔室连通，所述第二气路贯通所述基板、所述加压块和所述真空环，所述第二气路在所述真空环的内圈侧壁形成端口。2.根据权利要求1所述的高温键合用真空盖板，其特征在于，所述第二气路在所述真空环的内圈侧壁形成的所述端口设有多个并周向等分分布于所述真空环的内圈侧壁。3.根据权利要求1所述的高温键合用真空盖板，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：李奕，谢华伟，
申请(专利权)人：苏州铼铂机电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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