一种减少再生晶圆再生后表面有机沾污的方法技术

本发明专利技术公开了一种减少再生晶圆再生后表面有机沾污的方法，其特征在于：将有多层不同膜层的再生晶圆分层分次的剥离，在剥离前都使用SPM溶液清洗一次以去除表面或层间残留的各类有机脏污；所述方法，可以把再生晶圆每层膜层表面沾染的有机脏污清洗干净以保障后续化学腐蚀液可以均匀完整的剥离膜层来获得表面高洁净度的裸硅晶圆，有效减少了膜层剥离后脏污片的产生，也就减少了需要研磨去除脏污来获得表面高洁净度的裸硅晶圆的数量；整体提高了再生晶圆的有效可用厚度，提高了晶圆再生利用成品率降低了IC制造企业生产成本。成品率降低了IC制造企业生产成本。成品率降低了IC制造企业生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种减少再生晶圆再生后表面有机沾污的方法


[0001]本专利技术为单晶硅片的再生利用研究领域，涉及一种减少再生晶圆再生后表面有机沾污的方法。

技术介绍

[0002]随着半导体、LED、太阳能等产业蓬勃发展，产品应用越来越广泛；在全球不断扩大的需求推动下，各大半导体企业不断扩建新厂区，提升产能以满足市场需求。但生产晶圆时，各个制程都必须监控，确认制程的稳定、良率的确保，才能生产出客户所需要的产品。因此在满足市场需求前提下，就必须实际考虑生产晶圆时所需投入测试晶圆的成本。
[0003]在晶圆制造过程中，不但需要正片，而且还需要大量起陪衬作用的假陪片，用以保证正片的质量。其假陪片的需求量不亚于正片的需求量。用于在晶圆制造过程中，对假陪片的品质要求高，因而许多晶圆制造商将各个生产工序中检测到的不合格晶圆通过再生工艺，将其返工成厚度稍薄的硅片用于假陪片，甚至返工成正片，从而降低生产成本。而这一类硅片又叫着再生片。
[0004]再生片除了厚度因研磨抛光而变薄之外与原始晶圆并无太大的质量差异，使用再生片作为假陪片可以减少对正片的消耗，同时如果本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减少再生晶圆再生后表面有机沾污的方法，其特征在于：将有多层不同膜层的再生晶圆根据膜层布局分层分次的剥离，在剥离前都使用SPM溶液清洗一次以去除表面或层间残留的胶黏剂和油脂类有机脏污。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，多层不同膜层包括但不限定于SiO2、Si3N4、多晶硅、PR、各类金属膜等，其组合方式根据IC制造不同工艺流程及工艺节点而各异。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，膜层的剥离为根据膜层布局构造分层分次进行。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所使用的SPM溶液为H2SO4和H2O2的混合液，其中H2SO4和H2O2比例和温度根据腐蚀清洗的内容物不同而不同。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，针对胶黏剂等含碳较高的有机脏污使用H2SO4和H2O2比例小于1温度不高于120℃的SPM溶液，针对油脂类等含碳较低的...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙强，张俊宝，宋洪伟，陈猛，
申请(专利权)人：重庆超硅半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：