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本发明公开了一种减少再生晶圆再生后表面有机沾污的方法，其特征在于：将有多层不同膜层的再生晶圆分层分次的剥离，在剥离前都使用SPM溶液清洗一次以去除表面或层间残留的各类有机脏污；所述方法，可以把再生晶圆每层膜层表面沾染的有机脏污清洗干净以保障...
该专利属于重庆超硅半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆超硅半导体有限公司授权不得商用。

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