一种排除硅片体金属测量中表金属干扰的方法技术

本发明专利技术提供一种排除硅片体金属测量中表金属干扰的方法，包括：（1）准备待测硅片和制备金属取样液；（2）利用气相分解系统去除所述待测硅片表面的氧化膜；（3）利用一份所述金属取样液处理上述硅片表面，得到回收液1，收集并测量回收液1，计算出金属浓度

【技术实现步骤摘要】
一种排除硅片体金属测量中表金属干扰的方法


[0001]本专利技术属于硅片检测
，具体涉及一种排除硅片体金属测量中表金属干扰的方法
。
[0002]
技术介绍

[0003]硅片作为集成电路行业的重要原材料，硅片体金属的升高会对导致少数载流子寿命恶化并产生结晶缺陷，严重影响芯片质量
。
硅片在生产制造过程中极易受到金属污染，如在腐蚀工艺中，硅片与含有金属杂质的腐蚀药液接触后，硅片的表面金属含量大大提高，如果是高温腐蚀工艺，由于此时的硅片体金属浓度低，表面金属浓度高，那么硅片表面的金属原子还会在高温的作用下向低浓度的体内扩散，导致体金属的升高
。
因此硅片的体金属监控意义重大，与表金属相比，硅片的体金属测试难度高，效率低，如果测量结果不够精准，容易造成不必要的报废或者返工
。
例如中国专利申请
CN109904089A
公开了一种硅片体金属的测试方法，所述方法包括在恒温加热炉上恒温烘烤硅片，金属原子在高温环境中从硅片体内扩散到硅片表面，但此工艺忽略了硅片表面金属和膜层金属对体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种排除硅片体金属测量中表金属干扰的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：（1）准备待测硅片和制备金属取样液，所述金属取样液包括：
2.5wt%
氢氟酸
, 4.5wt%
双氧水和超纯水
;
（2）利用气相分解系统去除所述待测硅片表面的氧化膜；（3）利用一份金属取样液对上述硅片表面进行处理得到回收液1，收集并测量回收液1，计算出金属浓度
C1;
（4）加热硅片，然后将硅片自然冷却至室温；（5）利用一份所述金属取样液处理降温后的硅片表面，得到回收液2，收集并测量回收液2，计算出金属浓度
C2；（6）所述硅片的体金属浓度值为
C2，表金属及膜层金属浓度和值的为 C1。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测硅片类型为单晶抛光片和单晶非抛光片
。3.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，一份取样液的体积为1‑
2mL。4.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤（2）中，所述利用气相分解系统去除所述待测硅片表面氧化膜的具体做法包括，将所述待测硅片水平放置在气相分解系统内，气相分解系统喷洒分解液，所述分解液与硅片表面的氧化膜反应并将氧化膜分解
。5.
根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述分解液为
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈晋川，张俊宝，陈猛，
申请(专利权)人：重庆超硅半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：