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本发明提供一种排除硅片体金属测量中表金属干扰的方法，包括：（1）准备待测硅片和制备金属取样液；（2）利用气相分解系统去除所述待测硅片表面的氧化膜；（3）利用一份所述金属取样液处理上述硅片表面，得到回收液1，收集并测量回收液1，计算出金属浓度...
该专利属于重庆超硅半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆超硅半导体有限公司授权不得商用。

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