一种低锗废渣快速检测锗的方法技术

本发明专利技术涉及低锗废渣检测技术领域，且公开了一种低锗废渣快速检测锗的方法，包括以下步骤：S1、将含有低锗的废渣通过粉碎设备对其废渣块进行粉碎，并将粉碎后得到的低锗废渣粉粒与煤粉和氧化铁矿粉进行搅拌混合一端时间，使其混合均匀，混合均匀后在混捏机内压制成渣块。该一种低锗废渣快速检测锗的方法，通过先将低锗废渣粉碎并与一些促进燃烧的物质结合，使其在焙烧的过程中被焙烧的更加充分，提高焙烧的效率，避免了低锗废渣正常焙烧时间长和焙烧不充分的问题，同时通过将焙烧残渣进行取出，对其进行除杂和磁选，使其焙烧后的残渣中的锗被提取出，在缩短了锗回收检测时间的同时也提高了对低锗废渣中锗含量检测的精准性。也提高了对低锗废渣中锗含量检测的精准性。也提高了对低锗废渣中锗含量检测的精准性。

【技术实现步骤摘要】
一种低锗废渣快速检测锗的方法


[0001]本专利技术涉及低锗废渣检测
，具体为一种低锗废渣快速检测锗的方法。

技术介绍

[0002]锗具备多方面的特殊性质，在半导体、航空航天测控、核物理探测、光纤通讯、红外光学、太阳能电池、化学催化剂、生物医学等领域都有广泛而重要的应用，是一种重要的战略资源。在电子工业中，在合金预处理中，在光学工业上，还可以作为催化剂。高纯度的锗是半导体材料，一般通过将高纯度的氧化锗还原，再经熔炼提取而得。掺有微量特定杂质的锗单晶，可用于制各种晶体管、整流器及其他器件。锗的化合物还可用于制造荧光板及各种高折光率的玻璃。锗、锡和铅在元素周期表中是同属一族，后两者早被古代人们发现并利用，而锗长时期以来没有被工业规模的开采。这并不是由于锗在地壳中的含量少，而是因为它是地壳中最分散的元素之一，含锗的矿石是很少的。各种含锗废杂物料的锗品位较高，是宝贵的锗二次资源。充分利用锗的二次资源不但具有重要的经济意义，而且在保护资源和保护环境方面具有特殊意义。
[0003]目前从锗废渣中回收检测锗比较常见的方法为高温挥发富集，即利用锗在高温下易挥发的性质使锗与其他物质分离，并在锗烟尘中得到富集，但是这种方法会导致焙烧中的废渣中还会残留锗，导致低锗废渣回收检测的数据精准度存在一定的偏差。因此提出一种低锗废渣快速检测锗的方法，解决上述问题。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种低锗废渣快速检测锗的方法。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种低锗废渣快速检测锗的方法，包括以下步骤：
[0008]S1、将含有低锗的废渣通过粉碎设备对其废渣块进行粉碎，并将粉碎后得到的低锗废渣粉粒与煤粉和氧化铁矿粉进行搅拌混合一端时间，使其混合均匀，混合均匀后在混捏机内压制成渣块；
[0009]S2、将上述中得到的渣块通过挥发炉进行焙烧，对形成气态的一氧化锗进行收集，并通过氧化凝聚为二氧化锗，对其二氧化锗进行收集存放；
[0010]S3、将挥发炉中的焙烧后的渣料进行收集，并通过盐酸和硫酸进行浸泡，去除渣料中的杂质，得到含锗废渣；
[0011]S4、将含锗废渣进行球磨粉碎，将球磨粉碎后的含锗废渣粉加入至热水中进行磁场除杂，磁选出锗与铁的混合物；
[0012]S5、通过锗含量检测设备，分别对S2中的二氧化锗和S4中的混合物进行锗的还原和筛选，然后将二者得到的锗进行含量检测，最后得出低锗废渣中锗含量数据。
[0013]优选的，所述S1中低锗废渣粉粒与煤粉和氧化铁矿粉搅拌的时间为5分钟至10分钟。
[0014]优选的，所述S2中焙烧温度为600～800℃，焙烧时间1～1.5小时，控制焙烧炉气的气氛中CO气体体积百分比为10～12％，CO2气体体积百分比为10～15％，且O2气体体积百分比小于1％。
[0015]优选的，所述S1中低锗废渣、煤粉和氧化铁矿粉的投料质量比为25:1～20～1:6；压制成的团块直径为40～55mm，团块强度为：抛高1.2m至少2次不粉碎。
[0016]优选的，所述S4中球磨粉碎的方式为湿式球磨，球磨介质为纯水，球料比为4～6：1，转速350～450转/分钟。
[0017]优选的，所述S4中含锗废渣粉和热水的质量比为1：3～4；所述热水的温度为75～85℃，球磨粉碎得到的锗废渣粉粒度不大于94μm。
[0018]优选的，所述S4中磁选的磁感应强度为700～950Gs。
[0019]优选的，所述S2中挥发炉对渣料焙烧的过程中需要通入氩气进行保护。
[0020]一种锗含量检测设备，包括底座，所述底座的上表面设置有还原机构、分离机构和锗含量检测仪；
[0021]所述还原机构包括还原箱，所述还原箱的内部固定安装有加热座，所述加热座的上表面固定安装有加热板，所述还原箱的上表面固定安装有控制面板；
[0022]所述分离机构包括分离箱，所述分离箱的内部固定安装有第一电磁板，所述分离箱的内部固定安装有第二电磁板，所述分离箱的内部固定安装有导板，所述分离箱的内部插接有接料抽屉。
[0023]优选的，所述还原箱的正面通过铰链铰接有箱门，所述还原箱的上表面设置有氢气接入管口，所述还原箱的上表面设置有排气管口，所述分离箱的上表面开设有进料口，所述进料口上固定安装有进料斗。
[0024](三)有益效果
[0025]与现有技术相比，本专利技术提供了一种低锗废渣快速检测锗的方法，具备以下有益效果：
[0026]该一种低锗废渣快速检测锗的方法，通过先将低锗废渣粉碎并与一些促进燃烧的物质结合，使其在焙烧的过程中被焙烧的更加充分，提高焙烧的效率，避免了低锗废渣正常焙烧时间长和焙烧不充分的问题，同时通过将焙烧残渣进行取出，对其进行除杂和磁选，使其焙烧后的残渣中的锗被提取出，在缩短了锗回收检测时间的同时也提高了对低锗废渣中锗含量检测的精准性。
附图说明
[0027]附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：
[0028]图1为本专利技术整体结构示意图；
[0029]图2为本专利技术还原箱内部结构示意图；
[0030]图3为本专利技术分离箱剖面结构示意图。
[0031]图中：1、底座；2、还原机构；201、还原箱；202、加热座；203、加热板；204、控制面板；
205、氢气接入管口；206、排气管口；207、箱门；3、分离机构；301、分离箱；302、第一电磁板；303、第二电磁板；304、导板；305、接料抽屉；306、进料斗；4、锗含量检测仪。
具体实施方式
[0032]下面将结合本专利技术的实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0033]实施例一：
[0034]一种低锗废渣快速检测锗的方法，包括以下步骤：
[0035]S1、将含有低锗的废渣通过粉碎设备对其废渣块进行粉碎，并将粉碎后得到的低锗废渣粉粒与煤粉和氧化铁矿粉进行搅拌混合一端时间，使其混合均匀，混合均匀后在混捏机内压制成渣块；
[0036]其中，低锗废渣粉粒与煤粉和氧化铁矿粉搅拌的时间为5分钟至10分钟，低锗废渣、煤粉和氧化铁矿粉的投料质量比为25:1～20～1:6；压制成的团块直径为40mm，团块强度为：抛高1.2m至少2次不粉碎。
[0037]S2、将上述中得到的渣块通过挥发炉进行焙烧，对形成气态的一氧化锗进行收集，并通过氧化凝聚为二氧化锗，对其二氧化锗进行收集存放；
[0038]其中，焙烧温度为600℃，焙烧时间1小时，控制焙烧炉气的气氛中CO气体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低锗废渣快速检测锗的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将含有低锗的废渣通过粉碎设备对其废渣块进行粉碎，并将粉碎后得到的低锗废渣粉粒与煤粉和氧化铁矿粉进行搅拌混合一端时间，使其混合均匀，混合均匀后在混捏机内压制成渣块；S2、将上述中得到的渣块通过挥发炉进行焙烧，对形成气态的一氧化锗进行收集，并通过氧化凝聚为二氧化锗，对其二氧化锗进行收集存放；S3、将挥发炉中的焙烧后的渣料进行收集，并通过盐酸和硫酸进行浸泡，去除渣料中的杂质，得到含锗废渣；S4、将含锗废渣进行球磨粉碎，将球磨粉碎后的含锗废渣粉加入至热水中进行磁场除杂，磁选出锗与铁的混合物；S5、通过锗含量检测设备，分别对S2中的二氧化锗和S4中的混合物进行锗的还原和筛选，然后将二者得到的锗进行含量检测，最后得出低锗废渣中锗含量数据。2.根据权利要求1所述的一种低锗废渣快速检测锗的方法，其特征在于，所述S1中低锗废渣粉粒与煤粉和氧化铁矿粉搅拌的时间为5分钟至10分钟。3.根据权利要求1所述的一种低锗废渣快速检测锗的方法，其特征在于，所述S2中焙烧温度为600～800℃，焙烧时间1～1.5小时，控制焙烧炉气的气氛中CO气体体积百分比为10～12％，CO2气体体积百分比为10～15％，且O2气体体积百分比小于1％。4.根据权利要求1所述的一种低锗废渣快速检测锗的方法，其特征在于，所述S1中低锗废渣、煤粉和氧化铁矿粉的投料质量比为25:1～20～1:6；压制成的团块直径为40～55mm，团块强度为：抛高1.2m至少2次不粉碎。5.根据权利要求1所述的一种低锗废渣快速检测锗的方法，其特征在于，所述S4中球磨粉碎的方式为湿式球磨，球磨介质为纯水，球料比为4～6：1，转...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊启鸿，刘新军，周全法，袁承乾，田庆华，李栋，王亲猛，许志鹏，张建平，
申请(专利权)人：江苏宁达环保股份有限公司，
类型：发明
国别省市：