一种硅片清洗干燥方法技术

本申请涉及硅片生产制造技术领域，公开了一种硅片清洗干燥方法，包括如下步骤：S1:增设IPA液槽和气体槽；S2:第一次清洗；S3:第二次清洗；S4:第三次清洗；S5:IPA液体浸泡：将完成第三次清洗的硅片浸没在IPA液槽的IPA液体中；S6:初次预干燥：利用通入的热氮气作用于硅片表面，使部分IPA初次挥发并带走部分水分，实现对硅片的初步预干燥；S7:再次预干燥：利用加热后的氮气对硅片再次预干燥；S8:烘干。本发明专利技术在硅片进入烘干机前增加了对硅片的预干燥环节，利用IPA的挥发来促进硅片表面水分的去除，通过加热后的氮气对硅片表面进行预干燥，较大程度地提升了硅片干燥的效果，从而提升硅片的质量。量。量。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片清洗干燥方法


[0001]本专利技术属于硅片生产制造
，尤其涉及一种硅片清洗干燥方法。。

技术介绍

[0002]硅片在加工过程中，其表面会被各种杂质污染，为获得洁净的表面，需要采用多种方法，对硅片进行清洗，实现洁净化。一般每道工序结束之后，都有一次清洗的过程，并且在最终出货前，还有一次最终清洗。多次清洗工序可以保证最终硅片表面的洁净性。
[0003]现有的清洗方法主要是：利用不同的清洗液对硅片进行清洗，并在每次清洗后均用超纯水进行冲洗，最后将冲洗后的硅片放入烘干箱中进行干燥。采用这种方法进行干燥，硅片表面可能会残留水痕，干燥效果不佳。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种硅片清洗干燥方法，以解决现有硅片的干燥方法效果不佳的问题。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术的基础方案提供一种硅片清洗干燥方法，包括如下步骤：S1:增设IPA液槽和气体槽：清洗设备包括第一清洗槽、第一冲洗槽、第二清洗槽、第二冲洗槽、第三清洗槽、第三冲洗槽，在所述第三冲洗槽之后增设IPA液槽，IPA液槽上设有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片清洗干燥方法，其特征在于：包括如下步骤：S1:增设IPA液槽和气体槽：清洗设备包括第一清洗槽、第一冲洗槽、第二清洗槽、第二冲洗槽、第三清洗槽、第三冲洗槽，在所述第三冲洗槽之后增设IPA液槽，IPA液槽上设有液体循环系统；IPA液槽之后设置气体槽，气体槽中通入加热后的氮气，氮气的温度高于IPA的沸点；气体槽中部设有一根连通管，连通管的另一端通入IPA液槽的中部并位于IPA液槽液面的上方；IPA液槽的顶部设有排气管；S2:第一次清洗：通过机械手夹持花篮，将花篮中的硅片放入到第一清洗槽中，对硅片进行第一次清洗；完成清洗后用超纯水对硅片进行冲洗，冲洗时间为500
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700s；S3: 第二次清洗：将硅片放入到第二清洗槽中进行清洗；完成清洗后用超纯水对硅片进行冲洗，冲洗时间为500
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700s；S4: 第三次清洗：将硅片放入到第三清洗槽中进行清洗；完成清洗后用超纯水对硅片进行冲洗，冲洗时间为500
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700s；S5: IPA液体浸泡：将完成第三次清洗的硅片浸...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄燕秋，张俊宝，陈猛，
申请(专利权)人：重庆超硅半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：