一种硅片清洗干燥方法技术

本申请涉及硅片生产制造技术领域，公开了一种硅片清洗干燥方法，包括如下步骤：S1:增设IPA液槽和气体槽；S2:第一次清洗；S3:第二次清洗；S4:第三次清洗；S5:IPA液体浸泡：将完成第三次清洗的硅片浸没在IPA液槽的IPA液体中；S6:初次预干燥：利用通入的热氮气作用于硅片表面，使部分IPA初次挥发并带走部分水分，实现对硅片的初步预干燥；S7:再次预干燥：利用加热后的氮气对硅片再次预干燥；S8:烘干。本发明专利技术在硅片进入烘干机前增加了对硅片的预干燥环节，利用IPA的挥发来促进硅片表面水分的去除，通过加热后的氮气对硅片表面进行预干燥，较大程度地提升了硅片干燥的效果，从而提升硅片的质量。量。量。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片清洗干燥方法


[0001]本专利技术属于硅片生产制造
，尤其涉及一种硅片清洗干燥方法。。

技术介绍

[0002]硅片在加工过程中，其表面会被各种杂质污染，为获得洁净的表面，需要采用多种方法，对硅片进行清洗，实现洁净化。一般每道工序结束之后，都有一次清洗的过程，并且在最终出货前，还有一次最终清洗。多次清洗工序可以保证最终硅片表面的洁净性。
[0003]现有的清洗方法主要是：利用不同的清洗液对硅片进行清洗，并在每次清洗后均用超纯水进行冲洗，最后将冲洗后的硅片放入烘干箱中进行干燥。采用这种方法进行干燥，硅片表面可能会残留水痕，干燥效果不佳。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种硅片清洗干燥方法，以解决现有硅片的干燥方法效果不佳的问题。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术的基础方案提供一种硅片清洗干燥方法，包括如下步骤：S1:增设IPA液槽和气体槽：清洗设备包括第一清洗槽、第一冲洗槽、第二清洗槽、第二冲洗槽、第三清洗槽、第三冲洗槽，在所述第三冲洗槽之后增设IPA液槽，IPA液槽上设有液体循环系统；IPA液槽之后设置气体槽，气体槽中通入加热后的氮气，氮气的温度高于IPA的沸点；气体槽中部设有一根连通管，连通管的另一端通入IPA液槽的中部并位于IPA液槽液面的上方；IPA液槽的顶部设有排气管；S2:第一次清洗：通过机械手夹持花篮，将花篮中的硅片放入到第一清洗槽中，对硅片进行第一次清洗；完成清洗后用超纯水对硅片进行冲洗，冲洗时间为500
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700s；S3: 第二次清洗：将硅片放入到第二清洗槽中进行清洗；完成清洗后用超纯水对硅片进行冲洗，冲洗时间为500
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700s；S4: 第三次清洗：将硅片放入到第三清洗槽中进行清洗；完成清洗后用超纯水对硅片进行冲洗，冲洗时间为500
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700s；S5: IPA液体浸泡：将完成第三次清洗的硅片浸没在IPA液槽的IPA液体中，时间为180s
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420s，液体循环系统使IPA液体在IPA液槽中流动起来；S6:初次预干燥：机械手将花篮从IPA液槽中升出液面后，在进入气体槽之前，连通管内通入的加热后的氮气作用于硅片表面，使部分IPA初次挥发并带走部分水分，实现对硅片的初步预干燥；S7: 再次预干燥：将经过初次预干燥的硅片放入气体槽中，利用加热后的氮气对硅片进行再次预干燥，时间为300s
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600s；S8: 烘干：将经过预干燥的硅片送入烘干机中，持续烘干一定时间，对硅片进行烘干。
[0006]可选地，所述S1中，IPA液槽的顶部设有排气管。
[0007]排气管可将IPA液槽中混杂有IPA气体的氮气顺利排走。
[0008]可选地，所述S5的IPA液体的温度为40
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50℃。
[0009]温度为40
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50℃的IPA液体既能够提升硅片的温度，使之逐步适应升温，又不会导致IPA挥发，尽可能地保留IPA的液体状态。
[0010]可选地，所述S4中，第三次清洗后的冲洗温度为30
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40℃。
[0011]温度为30
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40℃的冲洗液体能够让硅片适应升温的过程，避免硅片进入IPA液槽时因温度提高而产生不良影响。
[0012]本方案的原理和有益效果在于：本专利技术在第三冲洗槽之后，增设了IPA液槽和气体槽，增加了对硅片的预干燥环节，先利用IPA液体使硅片逐步适应升温，接着利用气体槽通入的加热后的氮气填充到IPA液槽的中上部，对从IPA液槽中升起的硅片进行进一步的预热，一方面使部分附着在硅片表面的IPA液体实现初步挥发并带走部分水分，完成初次预干燥；另一方面也可提升能源的利用率，减少能源浪费。再通过气体槽中加热后的氮气对硅片表面进行再次预干燥，较大程度地提升了硅片干燥的效果，从而提升硅片的质量，同时也给硅片提供一个适应烘干机温度的过程，使硅片进入烘干机后能快速适应烘干环境。
附图说明
[0013]图1为本专利技术一种硅片清洗干燥方法的工艺流程图。
[0014]图2为本专利技术一种硅片清洗干燥方法各个环节的示意图。
[0015]图3为本专利技术一种硅片清洗干燥方法中IPA液槽和气体槽的结构示意图。
具体实施方式
[0016]下面通过具体实施方式进一步详细说明：说明书附图中的附图标记包括：第一清洗槽1、第一冲洗槽11、第二清洗槽2、第二冲洗槽21、第三清洗槽3、第三冲洗槽31、IPA液槽4、气体槽5、循环管道6、连通管7。
实施例
[0017]一种硅片清洗干燥方法，包括如下步骤：S1:增设IPA液槽4和气体槽5：清洗设备包括第一清洗槽1、第一冲洗槽11、第二清洗槽2、第二冲洗槽21、第三清洗槽3、第三冲洗槽31，在第三冲洗槽31之后增设IPA液槽4，IPA液体的温度为40
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50℃，优选为43℃，温度为40
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50℃的IPA液体既能够提升硅片的温度，使之逐步适应升温，又不会导致IPA挥发，尽可能地保留IPA的液体状态。IPA液槽4上设有液体循环系统，液体循环系统的循环管道6安装在IPA液槽4的外部，其顶端穿入IPA液槽4的中上部并高于IPA液面7
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9cm处，其底端穿入IPA液槽4底部，使IPA液体在IPA液槽4中循环流动起来；将完成第三次清洗的硅片浸没在IPA液槽4的IPA液体中，时间为180s
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420s，优选为300s。单向流动的IPA液体既能够更好地与硅片接触，又能够降低液体流动对硅片产生的不良影响。IPA液体以60L/min的流量进行循环。
[0018]IPA液槽4之后设置气体槽5，气体槽5中通入加热后的氮气，氮气的温度高于IPA的沸点，优选为95℃；气体槽5中部设有一根连通管7，连通管7的另一端通入IPA液槽4的中部
并位于IPA液槽4液面的上方，用于将气体槽5中的使用后的加热的氮气通入IPA液槽4的中上部，对从IPA液槽4中升起的硅片进行初步预干燥。IPA液槽4的顶部设有排气管；可将IPA液槽4中混杂有IPA气体的氮气顺利排走。
[0019]S2:第一次清洗：通过机械手夹持花篮，将花篮中的硅片放入到第一清洗槽1中，对硅片进行第一次清洗；完成清洗后放入到第一冲洗槽11中，用超纯水对硅片进行冲洗，冲洗时间为500
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700s，优选为560s；S3: 第二次清洗：将硅片放入到第二清洗槽2中进行清洗；完成清洗后放入到第二冲洗槽21中，用超纯水对硅片进行冲洗，冲洗时间为500
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700s，优选为600s。
[0020]S4: 第三次清洗：将硅片放入到第三清洗槽3中进行清洗；完成清洗后放入到第三冲洗槽31中，用超纯水对硅片进行冲洗，冲洗时间为500
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700s，优选620s；冲洗温度为30
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40℃，优选为35℃，温度为30
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40℃的冲洗液体能够让本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片清洗干燥方法，其特征在于：包括如下步骤：S1:增设IPA液槽和气体槽：清洗设备包括第一清洗槽、第一冲洗槽、第二清洗槽、第二冲洗槽、第三清洗槽、第三冲洗槽，在所述第三冲洗槽之后增设IPA液槽，IPA液槽上设有液体循环系统；IPA液槽之后设置气体槽，气体槽中通入加热后的氮气，氮气的温度高于IPA的沸点；气体槽中部设有一根连通管，连通管的另一端通入IPA液槽的中部并位于IPA液槽液面的上方；IPA液槽的顶部设有排气管；S2:第一次清洗：通过机械手夹持花篮，将花篮中的硅片放入到第一清洗槽中，对硅片进行第一次清洗；完成清洗后用超纯水对硅片进行冲洗，冲洗时间为500
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700s；S3: 第二次清洗：将硅片放入到第二清洗槽中进行清洗；完成清洗后用超纯水对硅片进行冲洗，冲洗时间为500
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700s；S4: 第三次清洗：将硅片放入到第三清洗槽中进行清洗；完成清洗后用超纯水对硅片进行冲洗，冲洗时间为500
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700s；S5: IPA液体浸泡：将完成第三次清洗的硅片浸...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄燕秋，张俊宝，陈猛，
申请(专利权)人：重庆超硅半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：