一种晶片稳定清洗控制方法技术

本发明专利技术涉及一种晶片稳定清洗控制方法，特别是晶片清洗过程中的补液方法，包括溶液浓度测量模块、溶液液面测量模块、控制模组、清洗槽、溶液槽、供应计量泵，使用浓度测量模块和液面测量模块精准分时测量溶液浓度和高度，测量结果反馈给控制模组，当化学液测量浓度或液面高度呈现较快下降趋势时，控制模组开启化学液供应计量泵，进行补液，与此同时，测量模块分时测量浓度并将测量数据反馈给控制模组，当测量值高于预先设定的浓度下限或液面下限且液面浓度保持在一定范围内稳定，补液停止。本发明专利技术通过实时监控液面浓度和高度数据，当数据呈现下降趋势时，开始补液，始终保持溶液浓度和高度在预设范围内，从而保证晶片清洗质量。从而保证晶片清洗质量。从而保证晶片清洗质量。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片稳定清洗控制方法


[0001]本专利技术属于晶片的加工
，涉及晶片清洗工艺，特别涉及一种晶片稳定清洗控制方法。

技术介绍

[0002]晶片是一种广泛使用的半导体材料，它在生产加工中其表面受到严重的污染，而抛光晶片的表面洁净度是产品最为关键的质量参数之一，即使存在亚微米级别微量污染也会导致后续电路器件加工失效。晶片经过化学机械镜面抛光后，表面上残留有被抛光晶片、抛光液、抛光蜡等带来的杂质颗粒、金属离子和有机污染物，必须经过湿法清洗去除晶片表面的污染物，才可以达到晶片超洁净度的要求。
[0003]槽式清洗机是一种在行业内普遍使用的晶片湿法清洗机台，它由若干个化学液清洗槽、纯水槽，以及干燥器组成。目前，行业内使用最多的清洗技术是RCA清洗技术，采用多个标准一号液（英文缩写SC
‑
1）和标准二号液（英文缩写SC
‑
2）对晶片表面进行清洗，分别去除表面颗粒和金属离子污染。其中，SC
‑
1液是氨水、双氧水和纯水按照一定的比例配置而成的溶液，在50~70℃下对晶片清洗，达到去除颗粒的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片稳定清洗控制方法，其特征在于，包括溶液浓度测量模块、溶液液面测量模块、控制模组、清洗槽、溶液槽、供应计量泵，其中所述方法包括如下步骤：S1：浓度测量模块和液面测量模块分时测量清洗槽内溶液浓度C1、C2……
C
m
、C
n
，液面高度H1、H2……
H
m
、H
n
；S2：分时测量结果反馈给控制模组，控制模组按照关系式
△
C=和
△
H=分析测量结果，其中C0、H0为预先设定值；S3：当测量结果满足3%<
△
C<8%或3%<
△
H<5%时，控制模组开启化学液供应计量泵，进行补液；S4：当测量结果满足
△

【专利技术属性】
技术研发人员：池泽龙，张俊宝，陈猛，
申请(专利权)人：重庆超硅半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：