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本申请涉及硅片生产制造技术领域，公开了一种硅片清洗干燥方法，包括如下步骤：S1:增设IPA液槽和气体槽；S2:第一次清洗；S3:第二次清洗；S4:第三次清洗；S5:IPA液体浸泡：将完成第三次清洗的硅片浸没在IPA液槽的IPA液体中；S6:...
该专利属于重庆超硅半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆超硅半导体有限公司授权不得商用。

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