再生晶圆的制备方法及再生晶圆技术

本公开提供了一种再生晶圆的制备方法，其包括如下步骤：采用第一清洗剂对晶圆进行第一清洗处理，采用第二清洗剂对所述晶圆进行第二清洗处理，采用第三清洗剂对所述晶圆进行第三清洗处理，采用第四清洗剂对所述晶圆进行第四清洗处理，在对所述晶圆进行第四清洗处理时，使所述晶圆旋转，朝向旋转的所述晶圆表面喷淋所述第四清洗剂，并使得所述第四清洗剂在清洗过程中于所述晶圆表面形成液膜，所述第四清洗剂包括双氧水；采用第五清洗剂对所述晶圆进行第五清洗处理，在对所述晶圆进行第五清洗处理时，控制所述晶圆旋转，并且朝向所述晶圆表面喷淋所述第五清洗剂。该再生晶圆的制备方法能够有效降低再生晶圆表面的锌残留以及颗粒残留。留。留。

【技术实现步骤摘要】
再生晶圆的制备方法及再生晶圆


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种再生晶圆的制备方法及再生晶圆。

技术介绍

[0002]半导体的生产成本和效率与硅片尺寸直接相关，通常硅片尺寸越大，单位芯片的生产成本就越低。但大尺寸硅片的制备和加工也对生产工艺和设备性能有着更高的要求。
[0003]根据硅片的应用场景分类，硅片可分为正片和陪片，陪片中又包括挡片(Dummy Wafer)和控片(Monitor Wafer)。挡片多用于新产线的调试以及在晶圆生产过程中对正片的保护，控片多用于在正式生产前对新工艺进行测试及监控良率，挡片和控片使用后会进入报废程序。挡片和控片作为晶圆制程中的重要附件，被广泛的应用于半导体的加工过程。随着12英寸晶圆的普及以及相关制程的进步，半导体器件的生产过程对挡片和控片的需求越来越大。对报废晶圆进行再生利用能够在节约资源、保护环境的同时，降低生产成本。
[0004]在传统的晶圆再生过程中，晶圆的清洗是非常关键的步骤，清洗的效果往往决定着晶圆再生的成败。然而传统的晶圆再生过程中清洗的效果不是很理想，特别本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种再生晶圆的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：采用第一清洗剂对晶圆进行第一清洗处理，所述第一清洗剂包括氨水、双氧水和水；采用第二清洗剂对所述晶圆进行第二清洗处理，所述第二清洗剂包括盐酸、双氧水和水；采用第三清洗剂对所述晶圆进行第三清洗处理，所述第三清洗剂包括氨水、双氧水和水，氨水、双氧水和水的体积比为1:(3～5):(160～240)；采用第四清洗剂对所述晶圆进行第四清洗处理，在对所述晶圆进行第四清洗处理时，使所述晶圆旋转，朝向旋转的所述晶圆表面喷淋所述第四清洗剂，并使得所述第四清洗剂在清洗过程中于所述晶圆表面形成液膜，所述第四清洗剂包括双氧水；采用第五清洗剂对所述晶圆进行第五清洗处理，在对所述晶圆进行第五清洗处理时，控制所述晶圆旋转，并且朝向所述晶圆表面喷淋所述第五清洗剂，所述第五清洗剂包括氨水、双氧水和水，氨水、双氧水和水的体积比为1:(3～5):(160～240)。2.根据权利要求1所述的再生晶圆的制备方法，其特征在于，在采用第四清洗剂对所述晶圆进行第四清洗处理的步骤中，先控制所述晶圆旋转，并向所述晶圆表面喷淋第四清洗剂，再降低所述晶圆的转速，使所述第四清洗剂在所述晶圆表面铺开形成稳定的液膜。3.根据权利要求2所述的再生晶圆的制备方法，其特征在于，先控制所述晶圆的转速为50r/min～500r/min，降低所述晶圆的转速时，控制所述晶圆的转速降低为3r/min～20r/min。4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，戴维廷，马强，王泰元，
申请(专利权)人：晶芯半导体黄石有限公司，
类型：发明
国别省市：