【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管芯片的返工方法
[0001]本专利技术涉及半导体光电领域，尤其涉及一种发光二极管芯片的返工方法。
技术介绍
[0002]疫情发生以来，人们积极寻求一种杀菌效率高的方法，深紫外发光二极管产品应运而生，该产品在生物、医学、家用电器等多方面杀菌能力达到99.999％，能有效抑制病毒的传播。
[0003]深紫外发光二极管在芯片生产过程中存在一定比例的外延片未能达到预期的制程要求，如果直接报废会造成成本上升，因此需要对这些不佳的外延片进行制程返工工序，但目前没有较好的制程返工手段，其原因在于，深紫外发光二极管的电极材料含有大量的Al，Al在返工清洗过程中容易被强氧化性酸如浓硫酸或者浓硝酸氧化成Al2O3，从而使得Al2O3容易残留在外延片的表层，进而对制程返工后的效果造成影响。现有发光二极管芯片的返工方法难以除去外延片表面多余的Al2O3，需要重复返工流程多次，未处理干净的芯片可能需要用无尘布擦拭才能去除，导致返工效率极低。
[0004]因此，亟需一种发光二极管芯片的返工方法以解决上述技术问题。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片的返工方法，其特征在于，所述方法包括：对待返工的发光二极管芯片进行一次酸浸泡处理；对所述发光二极管芯片进行一次氟化物浸泡处理；对所述发光二极管芯片进行二次酸浸泡处理；采用芯片清洗剂浸泡所述发光二极管芯片；采用第一溶液浸泡所述发光二极管芯片，所述第一溶液的pH值大于10。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的返工方法，其特征在于，所述对待返工的发光二极管芯片进行一次酸浸泡处理的步骤还包括：采用第二溶液浸泡所述发光二极管芯片，所述第二溶液的pH值小于5；采用去离子水冲洗所述发光二极管芯片；对所述发光二极管芯片进行撕金处理。3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片的返工方法，其特征在于，所述对所述发光二极管芯片进行撕金处理的步骤还包括：对所述发光二极管芯片进行撕金处理的步骤至少重复一次。4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的返工方法，其特征在于，所述对所述发光二极管芯片进行一次氟化物浸泡处理的步骤中，所述氟化物浸泡处理中所使用的溶液为氢氟酸和缓冲物质的混合溶液，所述缓冲物质为氟化物。5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的返工方法，其特征在于，所述对所述发光二极管芯片进行...
【专利技术属性】
技术研发人员：张顺，张爽，罗红波，陈景文，
申请(专利权)人：武汉优炜芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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