特征内的湿式蚀刻速率比减小制造技术

本发明专利技术的多种实施方案涉及使用热ALD或热CVD沉积硅氧化物的方法与装置。在所公开的实施方案的一方面，提供了一种沉积硅氧化物的方法，所述方法包含：(a)在反应室中接收衬底；(b)将第一反应物的第一流导入到所述反应室中，并且将所述衬底暴露于所述第一反应物，其中所述第一反应物包含含硅反应物；(c)将第二反应物的第二流导入到所述反应室中，以引起所述第一反应物与所述第二反应物之间的反应，(i)其中所述第二反应物包含氢(H2)和含氧反应物，(ii)其中所述反应使硅氧化物沉积在所述衬底上，且(iii)其中当所述反应室内的压强大于10托并且等于或小于约40托时，引发所述反应。引发所述反应。引发所述反应。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】特征内的湿式蚀刻速率比减小
相关申请
[0001]PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。在同时提交的PCT申请表中所确定的本申请主张其权益或者优先权的每个申请均通过引用全文并入本文并用于所有目的。

技术介绍

[0002]许多半导体设备加工工艺包含膜的形成，该膜包含含硅膜，例如硅氧化物。硅氧化物膜的某种沉积包含原子层沉积(ALD)及/或化学气相沉积(CVD)，但在某些情况下，其可能难以获得高质量的膜。
[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

技术实现思路

[0004]此处的多种实施方案涉及使用以热蒸气为基础的沉积技术在半导体衬底上沉积高质量硅氧化物的方法与装置。在所公开的实施方案的一方面，提供了一种使用热原子层沉积法或热化学气相沉积法在衬底上沉积硅氧化物的方法，所述方法包含：(a)在反应室中接收衬底；(b)将第一反应物的第一流导入到所述反应室本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种使用热原子层沉积法或热化学气相沉积法在衬底上沉积硅氧化物的方法，所述方法包含：a.在反应室中接收衬底；b.将第一反应物的第一流导入到所述反应室中，并且将所述衬底暴露于所述第一反应物，其中所述第一反应物包含含硅反应物；c.将第二反应物的第二流导入到所述反应室中，以引起所述第一反应物与所述第二反应物之间的反应，i.其中所述第二反应物包含氢(H2)和含氧反应物，ii.其中所述反应使硅氧化物沉积在所述衬底上，且iii.其中当所述反应室内的压强大于10托并且等于或小于约40托时，引发所述反应。2.根据权利要求1所述的方法，其中(b)与(c)是在不同的时间发生，且所述硅氧化物通过热原子层沉积法所沉积。3.根据权利要求1所述的方法，其中(b)与(c)同时发生，且所述硅氧化物通过热化学气相沉积法沉积。4.根据权利要求1所述的方法，其中当所述反应室内的所述压强大于10托并且等于或小于约20托时，引发所述反应。5.根据权利要求1所述的方法，其中当所述反应室内的所述压强大于10托并且等于或小于约30托时，引发所述反应。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述氢与所述含氧反应物同时流入所述反应室中。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中高压限制开关与所述反应室流体连通，且其中所述高压限制开关被设置成在最大压强下跳闸。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述最大压强等于或小于约40托。9.根据权利要求7所述的方法，其中所述最大压强等于或小于约30托。10.根据权利要求7所述的方法，其中所述最大压强等于或小于约20托。11.根据权利要求7所述的方法，其中在引发所述反应之后，所述反应室内的所述压强增加到至少所述最大压强，从而使所述高压限制开关跳闸，所述方法还包含：d.由于使所述高压限制开关跳闸而停止或减少所述第二反应物的所述第二流。12.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述含氧反应物包含选自于由下列项所组成的群组的反应物：氧(O2)、臭氧(O3)、过氧化氢(H2O2)、水(H2O)、以及其组合。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述含氧反应物包含氧(O2)。14.一种使用热原子层沉积法或热化学气相沉积法在衬底上沉积硅氧化物的装置，所述装置包含：a.反应室；b.入口，其被配置成将反应物导入至所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿维尼什，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：