材料沉积方法技术

本发明专利技术涉及包括如下的材料沉积方法：使用1

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】材料沉积方法


[0001]本专利技术涉及微系统制造领域，且特别涉及通过在镀铂硅衬底上喷墨印刷或旋涂沉积获得的电活性(热电或压电或铁电或反铁电或电致伸缩或介电)器件的制造。
[0002]专利技术背景
[0003]已经显示，薄膜的晶体取向影响例如压电器件中的电活性膜的铁电性质(Trolier
‑
Mckinstry等人，“Thin Film Piezoelectrics for MEMS”,Journal ofElectroceramics,第12期,第7
‑
17页,2004)。结晶取向(100)是特别优选的。
[0004]至于用于薄膜沉积的技术，旋涂或喷墨印刷已经显示具有一些益处。喷墨印刷的实例在WO 2020/084066 A1中给出。
[0005]然而，文献似乎缺少能够使喷墨印刷或旋涂在衬底上的Pb(Zr,Ti)O3、Bi(Fe,Mn,Ti)O3或PbZrO3的薄膜达到取向(100)的程序。

技术实现思路

[0006]技术问题
[0007]本专利技术解决了上述不足，并旨本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.材料沉积方法，其包括如下步骤：使用1
‑
甲氧基
‑2‑
丙醇作为溶剂和乙酰丙酮作为改性剂制备Pb(Zr
x
,Ti1‑
x
)O3的前体溶液，其中0≤x≤1；通过在衬底(10)上旋涂所述前体溶液来形成籽晶层(20)；和进一步将压电层(30)沉积到所述籽晶层上。2.根据权利要求1所述的材料沉积方法，其中沉积的压电层(30)由选自如下的化合物形成：Pb(Zr,Ti)O3、PbZrO3、BaTiO3、SrTiO3、(Ba,Sr)TiO3、Pb(Mg,Nb)
‑
PbTiO3、BiFeO3、(K,Na)NbO3、PbTiO3、掺杂有La、Mn或Nb的Pb(Zr,Ti)O3，和Pb(Sc,Ta)O3，或其混合物。3.根据权利要求1所述的材料沉积方法，包括在沉积所述压电层之前，制备用于钙钛矿结构化合物的所述压电层的溶液，其中所述化合物例如选自Pb(Zr,Ti)O3、Bi(Fe,Mn,Ti)O3、PbZrO3、PbTiO3和掺杂的
‑
Pb(Zr,Ti)O3或其混合物。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述溶液的浓度在0.1mol/L和2mol/L之间，所述溶剂为1
‑
甲氧基
‑2‑
丙醇或2
‑
甲氧基乙醇。5.根据权利要求3或4所述的方法，其中沉积所述压电层的步骤包括在所述籽晶层(20)上旋涂所述溶液。6.根据权利要求3或4所述的方法，包括用1,3
‑
丙二醇或甘油或乙二醇及其混合物将用于所述压电层的所述溶液稀释至0.4M，并通过喷墨印刷将稀释的溶液沉积在所述籽晶层(20)上。7.根据权利要求1所述的材料沉积方法，包括：在沉积所述压电层之前，制备在1
‑
甲氧基
‑2‑
丙醇或2
‑
甲氧基乙醇的溶剂中任选地用Mn和/或Fe掺杂的BiFeO3的用于所述压电层的溶液，浓度为在0.1mol/L和2mol/L之间、优选0.25mol/L的浓度。8.根据权利要求7所述的方法，其中沉积所述压电层的步骤包括在所述籽晶层(20)上旋涂BiFeO3的所述溶液。9.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：N，
申请(专利权)人：卢森堡科学技术研究院，
类型：发明
国别省市：