安放用于随机掩模版图的印刷辅助图形的方法和系统技术方案

本发明专利技术涉及安放用于随机掩模版图的印刷辅助图形的方法和系统。本发明专利技术的实施例提供了一种在掩模版图中安放印刷辅助图形的方法。该方法包括：提供具有一个或多个设计图形的设计版图；产生一组参数，该参数组与一个或多个印刷辅助图形（ＰｒＡＦ）相关联；将该参数组的该一个或多个ＰｒＡＦ添加到设计版图以产生修改的设计版图；对该修改的设计版图执行该一个或多个ＰｒＡＦ以及该一个或多个设计图形的仿真；基于该仿真的结果验证该一个或多个ＰｒＡＦ是否是可移除的；以及如果该一个或多个ＰｒＡＦ被验证为是可移除的，则基于该参数组生成一组ＰｒＡＦ安放规则。该ＰｒＡＦ安放规则组可用于生成一组最终的用以生成掩模版图的ＰｒＡＦ图形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制造领域中的分辨率增强技术(RET)，并且特别地，涉 及在两次构图(double patterning)工艺中安放印刷辅助图形以印刷半导体器件图形 (feature)的方法。
技术介绍
在半导体器件制造中，在将半导体器件的图形印刷到要在其上形成该器件的晶片 上时使用光刻。通常通过分辨率并且特别是通过可分辨半节距(Pmin/2)的尺寸来测量通过 光刻印刷的器件的图案或图形的质量。在本领域中公知的是，光刻曝光系统可给出的最小 可分辨半节距由瑞利判据(Rayleigh criterion)Pmin/2 = ^ · λ/NA确定，其中λ是曝光 工艺中使用的光的波长，NA是系统物镜的数值孔径，并且1^是依赖于工艺的因子。数十年 来，由于λ的减小、NA的增加和1^的减小，尽管是逐渐的，但是光刻曝光系统的分辨率稳定 提高。例如，在历史上，最小可分辨半节距每两年按比例缩小约30%。然而，已成为半导体业界的主流方法的单次曝光光刻正在快速达到其继续应用于 尺寸不断缩小的器件的物理障碍。例如，简单地通过单次曝光系统在1.35的NA下印刷22nm 节点(具有32nm的半节距)正在变本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在掩模版图中安放印刷辅助图形的方法，所述方法包括：提供具有一个或多个设计图形的设计版图；产生一组参数，所述参数组与一个或多个印刷辅助图形ＰｒＡＦ相关联；将所述参数组的所述一个或多个ＰｒＡＦ添加到所述设计版图以产生修改的设计版图；对所述修改的设计版图执行所述一个或多个ＰｒＡＦ以及所述一个或多个设计图形的仿真；基于所述仿真的结果验证所述一个或多个ＰｒＡＦ是否是可移除的；以及如果所述一个或多个ＰｒＡＦ被验证为是可移除的，则基于所述参数组生成一组ＰｒＡＦ安放规则。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：JE梅林，H哈夫纳尔，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，英芬能技术公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]