为掩模设计执行数据准备的系统、方法和计算机可读媒体技术方案

一种为掩模设计执行数据准备的系统、方法和计算机可读媒体。接收集成电路的设计且执行数个光学临近修正前处理程序，使得这些光学临近修正前处理程序同时进行。执行光学临近修正处理程序以响应每一光学临近修正前处理程序均已完成的决定。执行光学临近修正后处理程序以响应光学临近修正处理程序已完成的决定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种为掩模(mask)设计执行数据准备(data preparation)的 系统、方法和计算机可读媒体，特别涉及一种可减少掩模设计时数据准备的时 间的系统、方法和计算机可读媒体。
技术介绍
半导体集成电路晶片是在晶片厂(Fab)中利用多道工艺制作而成。这些 工艺与相关的制造设备可包括热氧化、扩散、离子植入、快速热处理(RTP)、 化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、外延、蚀刻和光刻。对某些 产品而言，半导体晶片可能经过600道以上的处理步骤。在光刻和其它的图案化工艺中，数据准备和掩模设计是集成电路(IC)工 艺中相当重要的部分。掩模设计传统上包括依序进行的多个设计和计算的过 程。例如在掩模设计过程中，在提供光学临近修正(Optical Proximity Correction; OPC)之前，需要有各种的程序。然后，再执行其余多个光学临 近修正后(Post-OPC)程序。在掩模设计过程的调配上，依序进行的程序在下 一个程序可执行前，必须先等待前一个程序完成。在提供初始的掩模设计后， 整个掩模设计过程一般可耗费超过三天的处理时间。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种实施掩模设计所需的数据准备的系统、方法和 计算机可读取的媒体，由此提高并行处理方法，以縮短数据准备的周期时间。根据本专利技术的一个实施例，提供一种在掩模设计过程中执行数据准备的方 法，至少包括接收集成电路设计、执行多个光学临近修正前处理程序、执行 光学临近修正处理程序、执行光学临近修正后处理程序、与提供集成电路设计 到掩模绘图机(mask writer)。其中多个光学临近修正前处理程序可同时进行， 接着执行光学临近修正处理程序，以响应每一光学临近修正前处理程序已完成的决定，而光学临近修正处理程序完成后，执行光学临近修正后处理程序，以 响应光学临近修正处理程序已完成的决定。其中送到掩模绘图机的集成电路已 完成光学临近修正前处理程序、光学临近修正处理程序与光学临近修正后处理 程序。根据本专利技术的另一个实施例，提供一种计算机可读媒体，至少包括用来 接收集成电路设计的指令、用来执行多个光学临近修正前处理程序的指令、用 来执行光学临近修正处理程序的指令、与用来执行光学临近修正后处理程序的 指令。该计算机可读媒体包含由处理系统执行的多个计算机可执行指令，用以 执行数据准备程序。其中光学临近修正前处理程序系同时进行，执行光学临近 修正处理程序的多个指令系用来响应每一光学临近修正前处理程序已完成的 决定，而执行光学临近修正后处理程序则用以响应光学临近修正处理程序已完 成的决定。根据本专利技术的又一实施例，提供一种执行数据准备的系统，至少包括设 计服务设备、晶片制造设备。其中设计服务设备适用于接收集成电路设计； 执行多个光学临近修正前处理程序；执行光学临近修正处理程序；执行光学临近修正后处理程序。其中多个光学临近修正前处理程序可同时进行，光学临近 修正处理程序系用来响应每一光学临近修正前处理程序已完成的决定，而光学 临近修正后处理程序系为响应光学临近修正处理程序已完成的决定。而晶片制 造设备包括有掩模绘图机。因此，应用本专利技术的实施例，可减少数据准备的时间，使掩模设计所需的 数据准备可以更有效率。附图说明通过结合附图阅读下述的详细说明，可以更好地理解本专利技术的各个方面。 图1为半导体制造系统的实施例的简化方块图，在该半导体制造系统中， 可以实施这里所公开的实施例，以在掩模设计时执行数据准备处理-,图2为集成电路制造中数据准备所扮演的角色的示意图； 图3为不使用光学临近修正所产生的晶片结构和使用光学临近修正所产 生的类似结构间的对比的示意图4为可在掩模设计过程中执行的示例性数据准备程序的示意图；图5为根据一个实施例的一般掩模设计处理程序的流程图；以及 图6为根据一个实施例的一种可于掩模设计过程中执行的示例性数据准 备程序的示意图，其中各种光学临近修正前和光学临近修正后阶段可并行。主要组件符号说明10:半导体制造系统12:设计服务设备14:晶片厂设备16:电路探测设备18:制造执行系统模块20:组装/最终测试设备40:网络200:资料准备210:设计公司212:集成电路设计220:电子束操作设备222:数据准备程序224:掩模处理设备230:晶片厂设备232:晶片厂设备240:集成电路300:对比310:掩模图形311:特征312:特征313:特征314:特征320:晶片结构321:特征322:特征323:特征324:特征330:光学临近修正掩模图案331:特征332:特征333:特征334:特征336a:光学临近修正特征336b:光学临近修正特征336c:光学临近修正特征336d:光学临近修正特征336e:光学临近修正特征336f::光学临近修正特征336g:光学临近修正特征336h:光学临近修正特征340:晶片结构341:特征342:特征343:特征344:特征400:数据准备程序410:客服工程师输入阶段412:虚拟阶段 414:加载数据库磁带阶段416:布尔阶段7散射条阶段420:光学临近修正阶422:文件读取阶段424:切割阶段426:异或阶段428:工作审查阶段430:写入文件阶段432:传输阶段500:步骤502:步骤504:步骤506:步骤508:步骤510:步骤512:步骤514:步骤516:步骤600:数据准备程序610:客服工程师输入阶段612:虚拟阶段614:加载数据库磁带阶段616:布尔阶段618:散射条和光学临近修正处理阶段620:切割阶段622:异或阶段624:Cref转VSB12阶段626: fchkl2阶段628:工作审查阶段630:传输阶段具体实施例方式可以理解的是，下列公开提供了许多不同的实施例或例子，用来实施各种 实施例的不同特征。以下所述的组件和配置的特定例子用于简化本专利技术。当然， 这些特定例子仅作为举例说明，而不用于限定本专利技术。此外，本公开可在各例 子中重复使用参考标号和/或文字。然而，这样的重复是为了简化和清楚的目 的，其本身并非用以表示在各种讨论的实施例和/或配置之间的关系。至今，并未提出任何机制，在依序进行的系统中，利用一种可有效减少掩 模设计程序的方法来大幅改变掩模设计过程。图1为半导体制造系统10的实施例的简化方块图，在该系统中，这里所公开的实施例可应用于掩模的设计中。图1所示的仅作为实施例，并不用于限 制这里所描述的实施例的架构。半导体制造系统io可使用于半导体制造过程中的设计、开发和制造的过程、以及相关的服务。半导体制造系统10可包括多个产品或服务实体，包括 设计服务设备12，而设计服务设备12至少包括例如设计公司(Design House)、设计设备、或其它用来提供与集成电路产品相关的设计服务的产品或服务实 体。半导体制造系统10可包括晶片厂设备14，其中晶片厂设备14至少包括半导体晶片处理设备。半导体制造系统10也可包括电路探测设备16。而制造 执行系统模块18可配置于半导体制造系统10中，用来监视和控制在各种制造 设备和自动化系统中的晶片批次。组装/最终测试设备20可包括在半导体制造 系统10中，且组装/最终测试设备20至少包括可用来组装及/或测试一个或多 个产品的设备。所有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在掩模设计过程中执行数据准备的方法，至少包括：　　　　接收集成电路设计；　　　　执行多个光学临近修正前处理程序，使所述多个光学临近修正前处理程序同时进行；　　　　执行光学临近修正处理程序，以响应所述多个光学临近修正前处理程序中的每一个的已完成的决定；　　　　执行光学临近修正后处理程序，以响应该光学临近修正处理程序已完成的决定；以及　　　　提供已完成光学临近修正前处理程序、光学临近修正处理程序和光学临近修正后处理程序的所述集成电路设计至掩模绘图机。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈鹏任，黄健朝，涂志强，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]