用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头制造技术

一种用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头，包括：封闭型外壳体，该外壳体包括上层板、中层板和下层板，在上层板与中层板之间形成供气体进入的进气腔室，在中层板和下层板之间形成冷却腔室，进气腔室被分隔成彼此隔离的多个扇形区域。对于每一个扇形区域，在中层板与下层板之间固定有多个导热的细管，细管在外壳体的高度方向上延伸过冷却腔室，且细管的开口端与进气腔室连通，细管的出口端朝向邻近的衬底表面；进气腔室的至少两个扇形区域引入彼此不同的反应气体。本发明专利技术可以使不同的反应气体通过扇形区域均匀送入反应室。通过控制衬底旋转速度，可以减少预反应，实现高质量的材料外延生长，也可以通过提高衬底转速，实现普通外延生长模式。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设备制造
，特别是涉及一种用于金属有机物化学沉积 设备的扇形进气喷头。
技术介绍
MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition)设备，即金属有机物化学气 相沉积设备，是化合物半导体外延材料研究和生产的关键设备，特别适合化合物半导体功 能结构材料的规模化工业生产，是其它半导体设备所无法替代的核心半导体设备，是当今 世界上生产半导体光电器件和微波器件材料的主要手段，是当今信息产业发展、国防高新 技术突破不可缺少的战略性高技术半导体设备。用金属有机物化学沉积(MOCVD)设备生长薄膜材料，通常需要各种源材料以及携 带气体。源材料包括金属有机物(MO)和气体源，是参与化学反应并且在生成物中含有本原 料成分的材料，携带气体包括氮气、氢气及惰性气体等，这些气体只携带原材料进入反应室 中，本身并不参加化学反应。通常的原材料MO源和气体源之间在高温下有强烈的预反应，如三甲基铝和氨气 之间在高温下预反应强烈，反应后生成不能分解的聚合物。为了减少两者之间的预反应，通 常将MO源和气体源分开进而反应室，直到反应室中衬底附近才相遇，之后参加化学反应， 由于反应非常复杂，通常有几十个反应，只有在衬底上参加反应的生成物才可能形成高质 量的薄膜材料。目前用于气相沉积设备的喷头设计基本上都可以将两种反应气源分别送入反应 室，但在未到达衬底时已经相遇并混合，在高温下产生预反应，之后预反应的生成物在衬底 上沉积，影响晶体质量。
技术实现思路
基于上述问题提出本专利技术。本专利技术提供了一种用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头，包括封闭型 的外壳体，该外壳体包括上层板、中层板和下层板，在上层板与中层板之间形成供气体进入 的进气腔室，在中层板和下层板之间形成冷却腔室，其中进气腔室被分隔成彼此隔离的多 个扇形区域，对于每一个扇形区域，在中层板与下层板之间固定有多个导热的细管，细管在 外壳体的高度方向上延伸过冷却腔室，且细管的开口端与进气腔室连通，细管的出口端朝 向邻近的衬底表面；且进气腔室的至少两个扇形区域引入彼此不同的反应气体。可选地，扇形进气喷头还包括设置在冷却腔室上的进水管和出水管，冷却水从进 水管进入冷却腔室，再经过出水管流出冷却腔室。所述细管可以为不锈钢细管。进一步可 选地，不锈钢细管的内径在0. 2mm至3mm之间，不锈钢细管之间的距离在0. 5mm至IOmm之 间，且不锈钢细管的管壁厚度在0. 5mm至2mm之间。可选地，多个扇形区域被分成引入第一反应气体的第一扇形区域、引入适于与第一反应气体发生反应的第二反应气体的第二扇形区域和引入不与第一反应气体和第二反应气体发生反应的隔离气体的第三扇形区域，第一扇形区域与第二扇形区域被第三扇形区 域在进气腔室中间隔开。这样，第一扇形区域通入第一反应气体，第二扇形区域通入第二反 应气体，第三扇形区域通入隔离气体，反应气体被隔离气体隔离，通过控制衬底旋转速度， 可以进行原子层模式外延生长。所述隔离气体可选自氢气，氮气，氩气或其它惰性气体中 的一种，氢气、氮气、氩气和其它惰性气体中的一种的至少两种气体的组合。或可选地，多个扇形区域被分成引入第一反应气体的第一扇形区域、引入适于与 第一反应气体发生反应的第二反应气体的第二扇形区域。可选地，进气腔室被均分成2η个扇形区域，η为小于13的整数。每个扇形区域的 扇形圆心角的度数可在0-180度之间。本专利技术具有如下至少一种优点1)能够将不同的反应原材料分别送入反应室，通过通入隔离气体，可以实现原子 层模式外延生长，完全消除预反应，大大提高晶体质量；2)能够将不同的反应原材料分别送入反应室，通过衬底高速旋转，使反应的原材 料充分混合均勻，实现普通的外延生长模式；3)只有一层进气室，相对于其它双层进气室来说加工简单，成品率高，可以降低制 造成本；4)喷气口的分布可以更密集，从而提高均勻性；5)该喷头适用于常压和低压生长技术。附图说明图1为本专利技术一个实施例的剖视示意图；图2为图1去掉上层板之后的上视图，其中示例性地示出了 8个扇形区域。 具体实施例方式下面通过实施例，并结合附图，对本专利技术的技术方案作进一步具体的说明。在说明 书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本专利技术实施方式的 说明旨在对本专利技术的总体专利技术构思进行解释，而不应当理解为对本专利技术的一种限制。根据本专利技术的用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头，包括封闭型的外 壳体1，该外壳体包括上层板2、中层板3和下层板4，在上层板与中层板之间形成供气体进 入的进气腔室5，在中层板和下层板之间形成冷却腔室6。其中进气腔室5被分隔成彼此 隔离的多个扇形区域，对于每一个扇形区域，在中层板与下层板之间固定有多个导热的细 管7，细管在外壳体的高度方向上延伸过冷却腔室，且细管的开口端与进气腔室连通，细管 的出口端朝向邻近的衬底14表面；且进气腔室的至少两个扇形区域引入彼此不同的反应 气体。扇形进气喷头还包括设置在冷却腔室上的进水管9和出水管10，冷却水从进水 管进入冷却腔室，再经过出水管流出冷却腔室。细管7为不锈钢细管，当然也可以为其它适合的材料制成的细管。不锈钢细管的 内径在0. 2mm至3mm之间，不锈钢细管之间的距离在0. 5mm至IOmm之间，且不锈钢细管的管壁厚度在0. 5mm至2mm之间。如图2中所示，多个扇形区域被分成引入第一反应气体的第一扇形区域11、引入 适于与第一反应气体发生反应的第二反应气体的第二扇形区域12和引入不与第一反应气 体和第二反应气体发生反应的隔离气体的第三扇形区域13，第一扇形区域与第二扇形区域 被第三扇形区域在进气腔室中间隔开。所述隔离气体选自氢气，氮气，氩气或其它惰性气 体中的一种，氢气、氮气、氩气和其它惰性气体中的一种的至少两种气体的组合。尽管没有示出，但是多个扇形区域可以被分成引入第一反应气体的第一扇形区 域、引入适于与第一反应气体发生反应的第二反应气体的第二扇形区域。需要指出的是，第一扇形区域、第二扇形区域、第三扇形区域均可以设置为包括若 干个扇形区域，也可以设置为仅包括一个扇形区域。有利地，进气腔室被均分成2η个扇形区域，η为小于13的整数。每个扇形区域的 扇形圆心角的度数在0-180度之间。本专利技术的扇形进气喷头可以实现两种生长模式一是将不同的原材料分别送入反 应室，并且用隔离气体将容易参加预反应的原材料彻底分开，通过衬底旋转，使不同反应原 材料交替到达衬底，最终实现原子层模式的外延生长；二是将不同的原材料分别送入反应 室，通过衬底高速旋转，使不同的原材料充分混合均勻，之后到达衬底进行反应，最终实现 普通模式的外延生长。具体地对于原子层模式外延生长例如如图1和图2中所示，第一路反应原材料从对应的气管8进入第一扇形区域 11再经过第一扇形区域11的细不锈钢管到达衬底表面，第二路反应原材料从对应的气管 8进入第二扇形区域12再经过第二扇形区域12的细不锈钢管到达衬底表面，隔离气体从 对应的气管8进入第三扇形区域13再经过第三扇形区域13的细不锈钢管到达衬底表面， 通过控制衬底14旋转速度，两路原材料交替到达衬底表面并反应，实现原子层模式外延生 长。对于普通模式外延生长例如，第一路反应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头，包括：　　封闭型的外壳体，该外壳体包括上层板、中层板和下层板，在上层板与中层板之间形成供气体进入的进气腔室，在中层板和下层板之间形成冷却腔室，其中：　　进气腔室被分隔成彼此隔离的多个扇形区域，对于每一个扇形区域，在中层板与下层板之间固定有多个导热的细管，细管在外壳体的高度方向上延伸过冷却腔室，且细管的开口端与进气腔室连通，细管的出口端朝向邻近的衬底表面，且　　进气腔室的至少两个扇形区域引入彼此不同的反应气体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡国新，王晓亮，冉军学，肖红领，殷海波，张露，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]