具有埋入式电容元件的电路板制造技术

一种具有埋入式电容元件的电路板，其包括线路层、电容介电材料层、电极层与介电层。其中，线路层具有第一电极与相互电性隔绝的第二电极。电容介电材料层配置于第一电极与第二电极上，且电容介电材料层具有第一凹口，其暴露出部分第一电极。电极层配置于部分电容介电材料层上，并与第一凹口所暴露出的第一电极相连接，且电极层与第二电极相互电性隔绝。介电层配置于线路层上，并将电容介电材料层与电极层内埋入于该介电层中。因此，此电极层较不易发生断裂。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电路板，且特别涉及一种具有埋入式电容元件的电 路板。技术背景 一般而言，电路板可应用于封装基板或是模块板中。以封装基板为例， 随着线路层数的增加与线路的密集化，在封装基板中传递的电性信号，其电阻电容延迟效应(RC delay)或串音效应(crosstalk)所造成的影响也越来 越明显。因此，为考量封装基板的电性功能，在制作封装基板时，会于封装 基板内部增设无源元件以改善封装基板的电性性质。图1A至图1D是已知的一种具有埋入式电容元件的电路板工艺的剖面 图，而图2A至图2D分别绘示图1A至图1D的电容元件的俯视图。请参考 图1A与图2A,此种已知具有埋入式电容元件的电鴻4反工艺包括下列步骤。 首先，提供铜箔110，并在铜箔110上形成电容介电材料层120。此外，电 容介电材料层120具有凸出部120a。请参考图1B与图2B,在电容介电材料层120上形成电极层130,其中 电极层130具有凸出部130a，且凸出部130a与铜箔110相连。请参考图1C与图2C (为了便于说明，图2C未绘示核心层140与铜箔 150)，然后，提供核心层140与铜箔150，并压合此核心层140、铜箔150 与图1B或图2B所示的电容元件半成品。此时，核心层140位于铜箔150 与铜箔110之间，且电容介电材料层120与电极层130埋入核心层140内。请参考图1D与图2D (为了便于说明，图2D未绘示核心层140与第二 线路层150a)，然后，对于铜箔110与铜箔150进行图案化工艺，以形成第 一线路层110a与第二线路层150a,而图案化工艺包括光刻工艺与蚀刻工艺。 此外，第一线路层110a具有第一电极112与第二电极114,其中第一电极112 与第二电极114相互电性隔绝，且电极层130的凸出部130a连接至第一电 极112。至此，大致完成已知具有埋入式电容元件的电路板IOO的制造过程。3由于电极层130与第二电极114需电性隔绝，因此电极层130的凸出部 130a的宽度小于电容介电材料层120的凸出部120a的宽度。由于电容介电 材料层120的材料成本较高，因此电容介电材料层120的凸出部120a也就 越小越好。然而，当电容介电材料层120的凸出部120a的宽度越小时，电 极层130的凸出部130a的宽度也必须缩小。因此，在压合的过程中，电极 层130的凸出部130a便有可能断裂，而造成第一电极112与电极层130形 成电性断路。换言之，此种已知具有埋入式电容元件的电路板IOO便不具有 电容元件的功能。
技术实现思路
本技术提供一种具有埋入式电容元件的电鴻^板，以降低电极层发生 断裂的可能性。为解决上述问题，本技术提出一种具有埋入式电容元件的电路板， 其包括第一线路层、电容介电材料层、电极层与介电层。其中，第一线路层 具有第一电极与相互电性隔绝的第二电极。电容介电材料层配置于第一电极 与第二电极上，且电容介电材料层具有第一凹口，其暴露出部分第一电极。 电极层配置于部分电容介电材料层上，与至第一凹口所暴露出的第一电极相 连接，且电极层与第二电极相互电性隔绝。介电层配置于第一线路层上，并 将电容介电材料层与电极层内埋入于介电层中。在本技术的一实施例中，第二电极具有第二凹口，且部分第一电极 位于第二凹口内。在本技术的一实施例中，第一凹口位于第二凹口内。在本技术的一实施例中，具有埋入式电容元件的电路板还包括第二 线路层，其配置于介电层上。在本技术的一实施例中，介电层包括半固化树脂片(prepreg)或核 心层。在本技术的一实施例中，第 一线路层的材料包括铜。在本技术的 一 实施例中，电极层的材料包括铜膏或4艮膏。基于上述，由于本技术具有第一凹口的电容介电材料层，且电极层 与第一凹口所暴露出的第一电极相连接，因此相较于已知技术，此电极层的 宽度较宽。换言之，在压合过程中，此电极层较不易发生断裂。为让本技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施 例，并配合所附图式，作详细说明如下。附图说明图1A至图ID是已知的一种具有埋入式电容元件的电路板工艺的剖面图。图2A至图2D分别绘示图1A至图1D的电容元件的俯视图。 图3A至图3D是本技术的一实施例的一种具有埋入式电容元件的 电路板工艺的剖面图。图4A至图4D分别绘示图3A至图3D的电容元件的俯视图。 附图标记说明100:已知具有埋入式电容元件的电路板200:具有埋入式电容元件的电路板110:铜箔110a:第一线路层112:第一电极114:第二电极120:电容介电材料层120a:凸出部130:电极层130a:凸出部140:核心层150:铜箔150a:第二线路层210:第一导体层210a:第一线路层212:第一电极214:第二电极214a:第二凹口220:电容介电材料层220a:第一凹口230:电极层240:介电层250:第二导体层250a:第二线路层具体实施方式图3A至图3D是本技术的一实施例的一种具有埋入式电容元件的 电路板工艺的剖面图，而图4A至图4D分别绘示图3A至图3D的电容元件 的俯视图。请参考图3A与图4A，本实施例的具有埋入式电容元件的电路板 工艺包括下列步骤。首先，提供第一导体层210，而此第一导体层210可以 是铜箔或其他导电薄膜。然后，在第一导体层210上形成电容介电材料层220,而形成电容介电材料层220的方法可以是网版印刷工艺。此外，电容 介电材料层220具有第一凹口 220a。请参考图3B与图4B,在电容介电材料层220上形成电极层230。形成 电极层230的方法可以是以网版印刷工艺在电容介电材料层220上涂布导电 膏层，然后在固化此导电膏层，以形成电极层230。此外，形成此电极层230 的导电膏可以是铜膏或银膏，且此电极层与电容介电材料层220的第一凹口 220a所暴露出的第一导体层210相连接。请参考图3C与图4C (为了便于说明，图4C未绘示介电层240与第二 导体层250)，在形成电极层230之后，提供介电层240与第二导体层250, 其中介电层240可以是半固化树脂片或核心层。然后，压合此介电层240、 第二导体层250与图3C或图4C所示的由第一导体层210与其上的电容介 电材料层220与电极层230所形成的电容元件半成品。此时，介电层240位 于第一导体层210与第二导体层250之间，且电容介电材料层220与电极层 230埋入介电层240内。此外，本实施例并不限定第一导体层210与形成于 其上的电容元件半成品、介电层240与第二导体层250需同时压合；第一导 体层210与形成于其上的电容元件半成品也可以经由半固化树脂片而压合至 另 一单层线路板或多层线路板(未绘示)。请参考图3D与图4D (为了便于说明，图4D未绘示介电层240与第二 线路层250a)，然后，对于第一导体层210与第二导体层250进行图案化工 艺，以形成第一线路层210a与第二线路层250a,而图案化工艺包括光刻工 艺与蚀刻工艺。此外，本实施例并不限定对于第一导体层210与第二导体层 250进行图案化工艺的先后顺序。举例而言，本实施例也可以对于第二导体 层250进行图案化工艺，然后才对第一导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有埋入式电容元件的电路板，其特征在于，包括：　第一线路层，具有第一电极与相互电性隔绝的第二电极；　电容介电材料层，配置于该第一电极与该第二电极上，且该电容介电材料层具有第一凹口，暴露出部分该第一电极；　电极层，配置于 部分该电容介电材料层上，并与该第一凹口所暴露出的该第一电极相连接，且该电极层与该第二电极相互电性隔绝；以及　介电层，配置于该第一线路层上，并将该电容介电材料层与该电极层内埋入于该介电层中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：贾妍缇，黄重旗，范智朋，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]