一种射频开关电路制造技术

技术编号:37463256 阅读:14 留言:0更新日期:2023-05-06 09:36
本发明专利技术提供了一种射频开关电路,其包括依次连接的驱动单元和开关单元,所述开关单元包括天线接口端、射频接口端、开关管和电阻;所述天线接口端用于连接外部的天线以收发射频信号;所述射频接口端用于将所述射频信号传输至内部的系统;所述开关管包括多个,多个所述开关管依次串联设置;所述电阻包括多个,所述电阻与所述开关管一一对应;所述驱动单元分别通过串联至少一个所述电阻后连接至相应的一个所述开关管的开关控制端;沿由所述天线接口端至所述射频接口端的方向,各所述开关管所对应串联的所述电阻的电阻值依次递减。与相关技术相比,本发明专利技术的射频开关电路的可有效隔离射频信号且输入功率高。信号且输入功率高。信号且输入功率高。

【技术实现步骤摘要】
一种射频开关电路


[0001]本专利技术涉及射频开关电路
,尤其涉及一种射频开关电路。

技术介绍

[0002]目前,随着人类进入信息化时代,无线通信技术有了飞速发展,在无线通信技术的无线收发系统中,射频开关电路是射频前端重要的组成部分之一。
[0003]相关技术的射频开关电路包括驱动单元和开关单元,所述开关单元包括多个电阻和串联设置的多个开关管。其中,所述驱动单元的输出端分别通过串联一个所述电阻后连接至其中一个所述开关管的控制端。串联设置的多个所述开关管的两个射频口分别为射频口ANT和射频口RF1,射频口ANT用于连接外部的天线,射频口RF1用于连接内部的系统。所述电阻采用固定电阻方案,即每一所述电阻的电阻值相同。
[0004]然而,相关技术的射频开关电路在处于关闭(OFF)状态时,一般情况下射频口RF1会接固定电平,比如:0V。射频口ANT需要承受很大的峰值射频功率(比如:48dBm)而不产生较大谐波信号,这时靠近射频口ANT发生射频信号泄露的风险较大。如何有效隔离射频信号,同时提高射频开关电路的输入功率高并提高射频开关在关闭状态下的承受功率的能力是一个需要解决的技术问题。
[0005]因此,实有必要提供一种新的射频开关电路解决上述问题。

技术实现思路

[0006]针对以上现有技术的不足,本专利技术提出一种可有效隔离射频信号且输入功率高的射频开关电路。
[0007]为了解决上述技术问题,本专利技术的实施例提供了一种射频开关电路,所述射频开关电路包括依次连接的驱动单元和开关单元,所述开关单元包括天线接口端、射频接口端、开关管和电阻;所述天线接口端用于连接外部的天线以收发射频信号;所述射频接口端用于将所述射频信号传输至内部的系统;所述开关管包括多个,多个所述开关管依次串联设置;所述电阻包括多个,所述电阻与所述开关管一一对应;所述驱动单元分别通过串联至少一个所述电阻后连接至相应的一个所述开关管的开关控制端;沿由所述天线接口端至所述射频接口端的方向,各所述开关管所对应串联的所述电阻的电阻值依次递减。
[0008]优选的,沿由所述天线接口端至所述射频接口端的方向,流经依次串联连接的多个所述开关管的所述射频信号的幅度依次递减。
[0009]优选的,所述开关管包括N个,沿由所述天线接口端至所述射频接口端的方向依次为第一开关管至第N开关管;N为大于或等于2的正整数;所述第一开关管的第一端作为所述天线接口端;所述第N

1开关管的第二端连接至所述第N开关管的第一端;所述第N开关管的第二端作为所述开关单元的射频接口端;
[0010]所述电阻包括N个,沿由所述天线接口端至所述射频接口端的方向依次为第一电阻至第N电阻,且N个所述电阻的电阻值由所述第一电阻至所述第N电阻逐渐递减;
[0011]所述驱动单元的输出端分别依次串联所述第一电阻至所述第N电阻后分别连接于所述第一开关管的开关控制端至所述第N开关管的开关控制端。
[0012]优选的,所述开关管包括N个,沿由所述天线接口端至所述射频接口端的方向依次为第一开关管至第N开关管,N为大于或等于2的正整数;所述第一开关管的第一端作为所述天线接口端;所述第N

1开关管的第二端连接至所述第N开关管的第一端;所述第N开关管的第二端作为所述开关单元的射频接口端;所述电阻包括N个且每个所述电阻的电阻值相同;所述驱动单元的输出端分别依次连接至所述第一开关管的开关控制端至所述第N开关管的开关控制端;且所述第一开关管与所述驱动单元之间串联的所述电阻的数量,至所述第N开关管与所述驱动单元之间串联的所述电阻的数量依序递减。
[0013]优选的,所述第一开关管至所述第N开关管均为晶体管。
[0014]优选的,所述第一开关管至所述第N开关管均为NMOS管;所述NMOS管的栅极作为所述开关管的开关控制端,所述NMOS管的漏极作为所述开关管的第一端,所述NMOS管的源极作为所述开关管的第二端。
[0015]优选的,所述电阻均为碳膜电阻,金属膜电阻、合成膜电阻、氧化膜电阻、实芯电阻、金属线绕电阻、敏感电阻、压控电阻、场效应晶体管电阻中的任一种。
[0016]与相关技术相比,本专利技术的射频开关电路通过设置驱动单元和开关单元,所述开关单元包括天线接口端、射频接口端、开关管和电阻;将所述电阻与所述开关管一一对应;所述驱动单元分别通过串联至少一个所述电阻后连接至相应的一个所述开关管的开关控制端;再依次流经所述天线接口端、多个串联连接的所述开关管和所述射频接口端的所述射频信号的幅度依次递减的基础上;并设置所述电阻的电阻值,沿由所述天线接口端至所述射频接口端的方向,各所述开关管所对应串联的所述电阻的电阻值依次递减。该结构通过电阻值依次递减的所述电阻匹配串联的多个所述开关管中不同位置的所述射频信号的幅度,可以防止所述射频信号泄露到所述驱动单元,从而提高本专利技术的射频开关电路的输入功率;该结构还可以提高本专利技术的射频开关电路在关闭状态下的承受功率的能力。因此,采用本专利技术的射频开关电路可有效隔离射频信号且输入功率高。
附图说明
[0017]下面结合附图详细说明本专利技术。通过结合以下附图所作的详细描述,本专利技术的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中,
[0018]图1为本专利技术实施例一的射频开关电路的电路图;
[0019]图2为本专利技术实施例一的部分电路节点的幅度时间关系图;
[0020]图3为本专利技术实施例二的射频开关电路的电路图。
具体实施方式
[0021]下面结合附图详细说明本专利技术的具体实施方式。
[0022]在此记载的具体实施方式/实施例为本专利技术的特定的具体实施方式,用于说明本专利技术的构思,均是解释性和示例性的,不应解释为对本专利技术实施方式及本专利技术范围的限制。除在此记载的实施例外,本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书和说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案,这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任
何显而易见的替换和修改的技术方案,都在本专利技术的保护范围之内。
[0023](实施例一)
[0024]本专利技术提供一种射频开关电路100。请参考图1所示,图1为本专利技术实施例一的射频开关电路100的电路图。
[0025]具体的,所述射频开关电路100包括依次连接的驱动单元1和用于传输射频信号的开关单元2。
[0026]所述驱动单元1用于控制所述开关单元2的开关。所述驱动单元1为本领域常用的电路模块。
[0027]所述开关单元2包括天线接口端ANT、射频接口端RF、开关管3和电阻4。
[0028]所述天线接口端ANT用于连接外部的天线以收发射频信号。所述射频接口端RF用于将所述射频信号传输至内部的系统。
[0029]所述开关管3包括多个。本实施例一中,所述开关管3包括N个。N为大于或等于2的正整数。
[0030]沿由所述天线接口端ANT至所述射频接口端的方向依次为第一开关管S1至第N开关本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频开关电路,其特征在于,所述射频开关电路包括依次连接的驱动单元和开关单元,所述开关单元包括天线接口端、射频接口端、开关管和电阻;所述天线接口端用于连接外部的天线以收发射频信号;所述射频接口端用于将所述射频信号传输至内部的系统;所述开关管包括多个,多个所述开关管依次串联设置;所述电阻包括多个,所述电阻与所述开关管一一对应;所述驱动单元分别通过串联至少一个所述电阻后连接至相应的一个所述开关管的开关控制端;沿由所述天线接口端至所述射频接口端的方向,各所述开关管所对应串联的所述电阻的电阻值依次递减。2.根据权利要求1所述的射频开关电路,其特征在于,沿由所述天线接口端至所述射频接口端的方向,流经依次串联连接的多个所述开关管的所述射频信号的幅度依次递减。3.根据权利要求1所述的射频开关电路,其特征在于,所述开关管包括N个,沿由所述天线接口端至所述射频接口端的方向依次为第一开关管至第N开关管;N为大于或等于2的正整数;所述第一开关管的第一端作为所述天线接口端;所述第N

1开关管的第二端连接至所述第N开关管的第一端;所述第N开关管的第二端作为所述开关单元的射频接口端;所述电阻包括N个,沿由所述天线接口端至所述射频接口端的方向依次为第一电阻至第N电阻,且N个所述电阻的电阻值由所述第一电阻至所述第N电阻逐渐递减;所述驱动单元的输出端分别依次串联所述第一电阻至所...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭嘉帅吉博
申请(专利权)人:深圳飞骧科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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