System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 低噪声放大器制造技术_技高网

低噪声放大器制造技术

技术编号:40671815 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-18 19:08
本发明专利技术提供了一种低噪声放大器,其包括信号输入端、输入防护电路、输入匹配电路、有源电路、输出匹配电路以及信号输出端;所述输入防护电路包括功率检测电路以及泄放电路;所述功率检测电路包括分压电容电路、电源流、第一晶体管、第一电阻、第一电容、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管以及比较器电路。本发明专利技术的低噪声放大器可以在较大的射频功率信号输入时,迅速开启泄放电路,以将射频输入功率泄放到地,从而避免低噪声放大器的信号输入端由于压差过大而导致器件损坏,以更好的保护低噪声放大器的器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无线通信,尤其涉及一种低噪声放大器


技术介绍

1、随着无线通信技术的迅速发展,手机、平板电脑等具备无线通信作用的小型电子设备已成为人们生活中的必需品,而射频接收机作为电子设备中的关键一环,其性能的好坏直接影响了小型电子设备的体验感。

2、相关技术的无线通信系统中,射频接收机的天线输入端往往面临比较复杂的空间环境,同时由于通信频段的增多,多种模式和多种频带的通信共存,小型电子设备的射频器件和天线数量相应增多,且空间隔离度恶化,而低噪声放大器的信号输入端则需要承受更高功率的射频信号输入,且低噪声放大器的器件不能有任何损坏。

3、所以,现急需一种在较大的射频功率信号输入时,能迅速将射频输入功率泄放到地,以避免相关技术中低噪声放大器的信号输入端由于压差过大导致器件损坏的新低噪声放大器。


技术实现思路

1、针对以上现有技术的不足,本专利技术提出了一种新的低噪声放大器,以解决相关技术中低噪声放大器的信号输入端由于压差过大导致器件损坏的问题。

2、为了解决上述技术问题,本专利技术采用如下技术方案:

3、本专利技术提供了一种低噪声放大器,其包括信号输入端、输入防护电路、输入匹配电路、有源电路、输出匹配电路以及信号输出端;

4、所述输入防护电路的第一输入端连接至所述信号输入端;

5、所述输入匹配电路的输入端分别连接至所述信号输入端和所述输入防护电路的第二输出端;

6、所述有源电路的输入端连接至所述输入匹配电路的输出端;

7、所述输出匹配电路的输入端连接至所述有源电路的输出端;

8、所述信号输出端连接至所述输出匹配电路的输出端;

9、所述输入防护电路包括功率检测电路以及泄放电路;

10、所述功率检测电路包括分压电容电路、电源流、第一晶体管、第一电阻、第一电容、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管以及比较器电路;

11、所述分压电容电路的输入端作为所述输入防护电路的第一输入端,所述分压电容电路用于对所述信号输入端接入的射频功率信号进行分压;

12、所述电源流的输入端连接至工作电压,所述电源流用于经过所述第一晶体管分别为所述第二晶体管、所述第五晶体管以及所述第六晶体管产生偏置电压;

13、所述第一晶体管的漏极和所述第一晶体管的栅极分别连接至所述电源流的输出端,所述第一晶体管的源极接地;

14、所述第一电阻的第一端连接至所述分压电容电路的输出端,所述第一电阻的第二端连接至所述第一晶体管的栅极;

15、所述第一电容的第一端连接至所述第一电阻的第二端,所述第一电容的第二端接地;

16、所述第二晶体管的栅极连接至所述分压电容电路的输出端;

17、所述第三晶体管的漏极和所述第三晶体管的栅极分别连接至所述第二晶体管的漏极,所述第三晶体管的源极连接至所述工作电压;

18、所述第四晶体管的栅极连接至所述第三晶体管的栅极,所述第四晶体管的源极连接至所述工作电压;

19、所述第五晶体管的漏极连接至所述第四晶体管的漏极;

20、所述第六晶体管的栅极分别连接至所述第一电容的第一端和所述第五晶体管的栅极,所述第六晶体管的漏极分别连接至所述第二晶体管的源极和所述第五晶体管的源极,所述第六晶体管的源极接地;

21、所述比较器电路的输入端连接至所述第四晶体管的漏极,所述比较器电路的输出端连接至所述泄放电路的第一输入端,所述比较器电路用于控制所述泄放电路的导通;

22、所述泄放电路的第二输入端作为所述输入防护电路的第二输入端,所述泄放电路的输出端接地,所述泄放电路用于将所述信号输入端接入的射频功率信号泄放到地。

23、优选的,所述分压电容电路包括第二电容和第三电容;

24、所述第二电容的第一端作为所述分压电容电路的输入端,所述第二电容的第二端作为所述分压电容电路的输出端;

25、所述第三电容的第一端连接至所述第二电容的第二端,所述第三电容的第二端接地。

26、优选的,所述比较器电路包括第一比较器和第二比较器;

27、所述第一比较器的输入端作为所述比较器电路的输入端;

28、所述第二比较器的输入端连接至所述第一比较器的输出端,所述第二比较器的输出端作为所述比较器电路的输出端。

29、优选的,所述泄放电路包括第七晶体管和第八晶体管;

30、所述第七晶体管的漏极作为所述泄放电路的第二输入端;

31、所述第八晶体管的栅极和所述第七晶体管的栅极共同作为所述泄放电路的第一输入端,所述第八晶体管的漏极连接至所述第七晶体管的源极,所述第八晶体管的源极作为所述泄放电路的输出端。

32、优选的,所述输入匹配电路包括第四电容、第五电容以及第一电感;

33、所述第四电容的第一端作为所述输入匹配电路的输入端,所述第四电容的第二端作为所述输入匹配电路的输出端;

34、所述第五电容的第一端连接至所述第四电容的第二端;

35、所述第一电感的第一端连接至所述第五电容的第二端,所述第一电感的第二端接地。

36、优选的,所述有源电路包括第九晶体管和第十晶体管;

37、所述第九晶体管的栅极作为所述有源电路的输入端,所述第九晶体管的源极连接至所述第一电感的第一端;

38、所述第十晶体管的源极连接至所述第九晶体管的漏极,所述第十晶体管的栅极连接至外部偏置电压,所述第十晶体管的漏极作为所述有源电路的输出端。

39、优选的,所述输出匹配电路包括第二电感和第六电容;

40、所述第二电感的第一端连接至所述工作电压;

41、所述第六电容的第一端和所述第二电感的第二端共同作为所述输出匹配电路的输入端,所述第六电容的第二端作为所述输出匹配电路的输出端。

42、与相关技术相比,本专利技术中的低噪声放大器通过在信号输入端处设计输入防护电路,并限定输入防护电路包括功率检测电路以及泄放电路,还限定功率检测电路包括分压电容电路、电源流、第一晶体管、第一电阻、第一电容、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管以及比较器电路,泄放电路用于将信号输入端接入的射频功率信号泄放到地,从而可以在较大的射频功率信号输入时,迅速开启泄放电路,以将射频输入功率泄放到地,进而避免低噪声放大器的信号输入端由于压差过大导致器件损坏,以更好的保护低噪声放大器的器件。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低噪声放大器,所述低噪声放大器包括信号输入端、输入防护电路、输入匹配电路、有源电路、输出匹配电路以及信号输出端;

2.如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,所述分压电容电路包括第二电容和第三电容;

3.如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,所述比较器电路包括第一比较器和第二比较器;

4.如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,所述泄放电路包括第七晶体管和第八晶体管;

5.如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,所述输入匹配电路包括第四电容、第五电容以及第一电感;

6.如权利要求5所述的低噪声放大器,其特征在于,所述有源电路包括第九晶体管和第十晶体管;

7.如权利要求6所述的低噪声放大器,其特征在于,所述输出匹配电路包括第二电感和第六电容;

【技术特征摘要】

1.一种低噪声放大器,所述低噪声放大器包括信号输入端、输入防护电路、输入匹配电路、有源电路、输出匹配电路以及信号输出端;

2.如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,所述分压电容电路包括第二电容和第三电容;

3.如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,所述比较器电路包括第一比较器和第二比较器;

4.如权利要求1所述的低噪声放大器...

【专利技术属性】
技术研发人员:尚鹏飞周永峰郭嘉帅
申请(专利权)人:深圳飞骧科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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