System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种偏置电压增强电路及射频功率放大器制造技术_技高网

一种偏置电压增强电路及射频功率放大器制造技术

技术编号:40705488 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-22 11:05
本发明专利技术适用于无线通讯技术领域,尤其涉及一种偏置电压增强电路及射频功率放大器。所述偏置电压增强电路包括依次电连接的信号输入端、电流源产生电路、过充产生电路、线性稳压器电路以及信号输出端;所述过充产生电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻、第二电阻以及第一电容。与现有技术相比,通过本发明专利技术提出的偏置电压增强电路,在偏置电压建立瞬间,产生可控的电压过充,在偏置电压建立瞬间这一阶段,提升射频功率放大器的偏置电压,进一步提升其开启阶段线性度,有效提高射频功率放大器的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术适用于无线通讯,尤其涉及一种偏置电压增强电路及射频功率放大器


技术介绍

1、在无线射频通信系统中,射频功率放大器主要作用为实现射频信号尽可能小失真的放大,其线性度受偏置电压影响,现有的方法的偏置电压由线性稳压器产生稳定的电压值,但对于时分通信系统来说,在射频功放的开启阶段线性度往往会受限,对射频功率放大器的性能造成影响。为了解决这一问题,需要在偏置电压建立阶段,产生电压增强过充,以有效提升射频功率放大器线性度。

2、因此亟需一种新的偏置电压增强电路及射频功率放大器解决上述问题。


技术实现思路

1、本专利技术提供一种偏置电压增强电路及射频功率放大器,旨在解决偏置电压在射频功放的开启阶段线性度受限的问题。

2、第一方面,本专利技术提供所述偏置电压增强电路包括依次电连接的信号输入端、电流源产生电路、过充产生电路、线性稳压器电路以及信号输出端;

3、所述信号输入端用于输入电压;所述电流源产生电路用于产生电流;所述过充产生电路用于产生过充电压;所述线性稳压器电路用于输出稳压信号;所述信号输出端用于输出基准电压;

4、所述过充产生电路包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第一电阻、第二电阻以及第一电容;

5、所述第一电容的第一端分别与所述第一nmos管的漏极、所述第一pmos管的漏极以及所述第四pmos管的栅极连接,所述第一电容的第二端分别与所述第一nmos管的源极以及所述第二nmos管的源极连接并接地,所述第一nmos管的栅极连接于外部逻辑控制电路,所述第二nmos管的漏极与所述第三nmos管的源极连接,所述第二nmos管的栅极作为所述过充产生电路的第一输出端,所述第三nmos管的栅极作为所述过充产生电路的第二输出端,所述第三nmos管的漏极分别与所述第一电阻的第一端以及所述第二nmos管的栅极连接,所述第一电阻的第二端分别与所述第四pmos管的漏极以及所述第三nmos管的栅极连接,所述第四pmos管的源极与所述第二电阻的第一端连接,所述第二电阻的第二端与第三pmos管的漏极连接,所述第三pmos管的栅极连接于外部逻辑控制电路,所述第三pmos管的源极和第二pmos管的源极连接于电源电压,所述第二pmos管的漏极与所述第一pmos管的源极连接,所述第一pmos管的栅极作为所述过充产生电路的第一输入端,所述第二pmos管的栅极作为所述过充产生电路的第二输入端。

6、优选的,所述电流源产生电路包括第一滤波稳压电路、第一运算放大器、第一米勒补偿电路、第三电阻、第五pmos管以及第六pmos管;所述第一滤波稳压电路的第一端作为所述电流源产生电路的输入端与所述信号输入端连接,所述第一滤波稳压电路的第二端接地,所述第一滤波稳压电路的第三端与所述第一运算放大器的负输入端连接,所述第一运算放大器的输出端分别与所述第一米勒补偿电路的第一端、所述第六pmos管的栅极连接,所述第一运算放大器的正输入端分别与所述第一米勒补偿电路的第二端、第五pmos管的漏极以及第三电阻的第一端连接,所述第三电阻的第二端与所述第一电容的第二端连接,所述第五pmos管的源极与所述第六pmos管的漏极连接,所述第五pmos管的栅极作为所述电流源产生电路的第一输出端与所述过充产生电路的第一输入端连接,所述第六pmos管的源极连接于电源电压,所述第六pmos管的栅极作为所述电流源产生电路的第二输出端与所述过充产生电路的第二输入端连接。

7、优选的,所述第一滤波稳压电路包括第二电容和第四电阻,所述第四电阻的第一端作为所述第一滤波稳压电路的第一端,所述第四电阻的第二端与所述第二电容的第一端连接,所述第四电阻的第二端作为所述滤波稳压电路的第三端,所述第二电容的第二端作为所述滤波稳压电路的第二端。

8、优选的,所述第一米勒补偿电路包括第三电容和第五电阻,所述第五电阻的第一端作为所述第一米勒补偿电路的第一端,所述第五电阻的第二端与所述第三电容的第一端连接,所述第三电容的第二端作为所述第一米勒补偿电路的第二端。

9、优选的,所述线性稳压器电路包括第二滤波稳压电路、第二运算放大器、第二米勒补偿电路、第四nmos管、第五nmos管、第七pmos管、第六电阻以及第七电阻,所述第二滤波稳压电路的第一端与所述信号输入端连接,所述第二滤波稳压电路的第二端接地,所述第二滤波稳压电路的第三端与所述第二运算放大器的负输入端连接,所述第二运算放大器的输出端分别与所述第二米勒补偿电路的第一端以及所述第七pmos管的栅极连接,所述第六电阻的第一端分别与所述第二米勒补偿电路的第二端以及第七pmos管的漏极连接,所述第二运算放大器的正输入端分别与所述第五nmos管的漏极、第六电阻的第二端以及第七电阻的第一端连接,所述第七pmos管的源极与电源电源连接,所述第七pmos管的漏极作为所述线性稳压器电路的输出端与所述信号输出端连接,所述第五nmos管的源极与所述第四nmos管的漏极连接,所述第四nmos管的源极与所述第七电阻的第二端连接以及第二nmos管的源极连接,所述第四nmos管的栅极作为所述线性稳压器电路的第一输入端与所述过充产生电路的第一输出端连接,所述第五nmos管的栅极作为所述线性稳压器电路的第二输入端与所述过充产生电路的第二输出端连接。

10、优选的,所述第二滤波稳压电路包括第八电阻以及第四电容,所述第八电阻的第一端作为所述第二滤波稳压电路的第一端,所述第八电阻的第二端与所述第四电容的第一端连接,所述第四电容的第二端作为所述第二滤波稳压电路的第二端,所述第八电阻的第二端作为所述第二滤波稳压电路的第三端。

11、优选的,所述第二米勒补偿电路包括第九电阻以及第五电容,所述第九电阻的第一端作为所述第二米勒补充电路的第一端,所述第九电阻的第二端与所述第五电容的第一端连接,所述第五电容的第二端作为所述第二米勒补偿的第二端。

12、第二方面,本专利技术还提供一种射频功率放大器,所述射频功率放大器包括如上述实施例任一项所述的偏置电压增强电路。

13、与现有技术相比,通过本专利技术提出的偏置电压增强电路,在偏置电压建立瞬间,产生可控的电压过充,在偏置电压建立瞬间这一阶段,提升射频功率放大器的偏置电压,进一步提升其开启阶段线性度,有效提高射频功率放大器的性能。

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【技术保护点】

1.一种偏置电压增强电路,其特征在于,所述偏置电压增强电路包括依次电连接的信号输入端、电流源产生电路、过充产生电路、线性稳压器电路以及信号输出端;

2.如权利要求1所述的偏置电压增强电路,其特征在于,所述电流源产生电路包括第一滤波稳压电路、第一运算放大器、第一米勒补偿电路、第三电阻、第五PMOS管以及第六PMOS管;所述第一滤波稳压电路的第一端作为所述电流源产生电路的输入端与所述信号输入端连接,所述第一滤波稳压电路的第二端接地,所述第一滤波稳压电路的第三端与所述第一运算放大器的负输入端连接;所述第一运算放大器的输出端分别与所述第一米勒补偿电路的第一端、所述第六PMOS管的栅极连接,所述第一运算放大器的正输入端分别与所述第一米勒补偿电路的第二端、第五PMOS管的漏极以及第三电阻的第一端连接,所述第三电阻的第二端与所述第一电容的第二端连接;所述第五PMOS管的源极与所述第六PMOS管的漏极连接,所述第五PMOS管的栅极作为所述电流源产生电路的第一输出端,所述第六PMOS管的源极连接于电源电压,所述第六PMOS管的栅极作为所述电流源产生电路的第二输出端。

3.如权利要求2所述的偏置电压增强电路,其特征在于,所述第一滤波稳压电路包括第二电容和第四电阻,所述第四电阻的第一端作为所述第一滤波稳压电路的第一端,所述第四电阻的第二端与所述第二电容的第一端连接,所述第四电阻的第二端作为所述滤波稳压电路的第三端,所述第二电容的第二端作为所述滤波稳压电路的第二端。

4.如权利要求2所述的偏置电压增强电路,其特征在于,所述第一米勒补偿电路包括第三电容和第五电阻,所述第五电阻的第一端作为所述第一米勒补偿电路的第一端,所述第五电阻的第二端与所述第三电容的第一端连接,所述第三电容的第二端作为所述第一米勒补偿电路的第二端。

5.如权利要求1所述的偏置电压增强电路,其特征在于,所述线性稳压器电路包括第二滤波稳压电路、第二运算放大器、第二米勒补偿电路、第四NMOS管、第五NMOS管、第七PMOS管、第六电阻以及第七电阻;所述第二滤波稳压电路的第一端与所述信号输入端连接,所述第二滤波稳压电路的第二端接地,所述第二滤波稳压电路的第三端与所述第二运算放大器的负输入端连接;所述第二运算放大器的输出端分别与所述第二米勒补偿电路的第一端以及所述第七PMOS管的栅极连接,所述第六电阻的第一端分别与所述第二米勒补偿电路的第二端以及第七PMOS管的漏极连接,所述第二运算放大器的正输入端分别与所述第五NMOS管的漏极、第六电阻的第二端以及第七电阻的第一端连接;所述第七PMOS管的源极与电源电源连接,所述第七PMOS管的漏极作为所述线性稳压器电路的输出端与所述信号输出端连接;所述第五NMOS管的源极与所述第四NMOS管的漏极连接,所述第四NMOS管的源极与所述第七电阻的第二端连接以及第二NMOS管的源极连接,所述第四NMOS管的栅极作为所述线性稳压器电路的第一输入端,所述第五NMOS管的栅极作为所述线性稳压器电路的第二输入端。

6.如权利要求5所述的偏置电压增强电路,其特征在于,所述第二滤波稳压电路包括第八电阻以及第四电容,所述第八电阻的第一端作为所述第二滤波稳压电路的第一端,所述第八电阻的第二端与所述第四电容的第一端连接,所述第四电容的第二端作为所述第二滤波稳压电路的第二端,所述第八电阻的第二端作为所述第二滤波稳压电路的第三端。

7.如权利要求5所述的偏置电压增强电路,其特征在于,所述第二米勒补偿电路包括第九电阻以及第五电容,所述第九电阻的第一端作为所述第二米勒补充电路的第一端,所述第九电阻的第二端与所述第五电容的第一端连接,所述第五电容的第二端作为所述第二米勒补偿的第二端。

8.一种射频功率放大器,其特征在于,所述射频功率放大器包括如权利要求1-7任一项所述的偏置电压增强电路。

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【技术特征摘要】

1.一种偏置电压增强电路,其特征在于,所述偏置电压增强电路包括依次电连接的信号输入端、电流源产生电路、过充产生电路、线性稳压器电路以及信号输出端;

2.如权利要求1所述的偏置电压增强电路,其特征在于,所述电流源产生电路包括第一滤波稳压电路、第一运算放大器、第一米勒补偿电路、第三电阻、第五pmos管以及第六pmos管;所述第一滤波稳压电路的第一端作为所述电流源产生电路的输入端与所述信号输入端连接,所述第一滤波稳压电路的第二端接地,所述第一滤波稳压电路的第三端与所述第一运算放大器的负输入端连接;所述第一运算放大器的输出端分别与所述第一米勒补偿电路的第一端、所述第六pmos管的栅极连接,所述第一运算放大器的正输入端分别与所述第一米勒补偿电路的第二端、第五pmos管的漏极以及第三电阻的第一端连接,所述第三电阻的第二端与所述第一电容的第二端连接;所述第五pmos管的源极与所述第六pmos管的漏极连接,所述第五pmos管的栅极作为所述电流源产生电路的第一输出端,所述第六pmos管的源极连接于电源电压,所述第六pmos管的栅极作为所述电流源产生电路的第二输出端。

3.如权利要求2所述的偏置电压增强电路,其特征在于,所述第一滤波稳压电路包括第二电容和第四电阻,所述第四电阻的第一端作为所述第一滤波稳压电路的第一端,所述第四电阻的第二端与所述第二电容的第一端连接,所述第四电阻的第二端作为所述滤波稳压电路的第三端,所述第二电容的第二端作为所述滤波稳压电路的第二端。

4.如权利要求2所述的偏置电压增强电路,其特征在于,所述第一米勒补偿电路包括第三电容和第五电阻,所述第五电阻的第一端作为所述第一米勒补偿电路的第一端,所述第五电阻的第二端与所述第三电容的第一端连接,所述第三电容的第二端作为所述第一米勒补偿电路的第二端。

5.如权利要求1所述的偏置电压增强电路,其特征在于,所述线性稳压器电...

【专利技术属性】
技术研发人员:尚鹏飞周永峰郭嘉帅
申请(专利权)人:深圳飞骧科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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