System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 差分低噪声放大器制造技术_技高网

差分低噪声放大器制造技术

技术编号:40713420 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-22 11:15
本发明专利技术涉及无线通讯技术领域,本发明专利技术公开了一种差分低噪声放大器及射频芯片,差分低噪声放大器包括第一信号输入端、第一低噪声放大器和第一信号输出端、以及第二信号输入端、第二低噪声放大器和第二信号输出端;第一低噪声放大器包括第一输入匹配电路、第一变压器电路、第一MOS管、第一放大电路以及第一输出匹配电路;第一输入匹配电路的输出端分别连接第一变压器电路的第一端和第一MOS管的源极,第一变压器电路的第三端连接第一MOS管的栅极;第二低噪声放大器包括第二输入匹配电路、第二变压器电路、第二MOS管、第二放大电路以及第二输出匹配电路。本发明专利技术的差分低噪声放大器具有良好的增益和噪声性能的同时提供较高的线性度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无线通讯,尤其是涉及一种差分低噪声放大器


技术介绍

1、在现代通信系统中,低噪声放大器被广泛应用于信号的放大和增强。在许多应用中,如无线通信、光通信、雷达和音频放大等,低噪声放大器的性能对系统的整体性能至关重要。宽带低噪声放大器由于其较低的噪声和较宽的频带在许多应用中具有重要作用。

2、在宽带放大器中,差分架构被广泛应用,因为它具有较好的抗共模干扰能力和噪声性能。差分放大器由两个互补工作的放大器组成,通过差分模式输出信号,抑制了共模噪声。然而,传统的差分放大器在宽频段内难以同时实现低噪声和高线性度。

3、对于传统的共栅放大器,输入匹配往往会利用共栅管所提供的实部阻抗1/gm来完成,与共源结构相比,共栅结构可以在更宽的频率范围内实现良好的匹配,并且具有更高的线性度和稳定性,在面对不同pvt条件时性能更加可靠。但与此同时,由于输入匹配的限制,共栅结构的噪声系数往往不能调至最优,二者相互矛盾。

4、因此,现有的差分低噪声放大器的噪声抑制效果差,增益低,低噪声放大器的整体性能不佳的问题。


技术实现思路

1、本专利技术实施例的目的在于提供一种差分低噪声放大器,通过在低噪声放大电路增加变压器电路,用以解决现有的差分低噪声放大器的噪声抑制效果差,增益低,低噪声放大器的整体性能不佳的问题。

2、为了解决上述技术问题,本专利技术实施例提供了一种差分低噪声放大器,所述差分低噪声放大器包括依次电连接的第一信号输入端、第一低噪声放大器和第一信号输出端、以及依次电连接的第二信号输入端、第二低噪声放大器和第二信号输出端;

3、所述第一低噪声放大器包括第一输入匹配电路、第一变压器电路、第一mos管、第一放大电路以及第一输出匹配电路;所述第一输入匹配电路的输入端连接所述第一信号输入端,所述第一输入匹配电路的输出端分别连接所述第一变压器电路的第一端和所述第一mos管的源极,所述第一变压器电路的第二端用于连接外部第一偏置电压,所述第一变压器电路的第三端连接所述第一mos管的栅极,所述第一mos管的漏极连接所述第一放大电路的输入端,所述第一放大电路的输出端连接所述第一输出匹配电路的输入端,所述第一输出匹配电路的输出端连接至所述第一信号输出端;

4、所述第二低噪声放大器包括第二输入匹配电路、第二变压器电路、第二mos管、第二放大电路以及第二输出匹配电路;所述第二输入匹配电路的输入端连接所述第二信号输入端,所述第二输入匹配电路的输出端分别连接所述第二变压器电路的第一端和所述第二mos管的源极,所述第二变压器电路的第二端用于连接所述外部第一偏置电压,所述第二变压器电路的第三端连接所述第二mos管的栅极,所述第二mos管的漏极连接所述第二放大电路的输入端,所述第二放大电路的输出端连接所述第二输出匹配电路的输入端,所述第二输出匹配电路的输出端连接至所述第二信号输出端。

5、优选的,所述第一变压器电路包括相互耦合的第一初级线圈和第一次级线圈,所述第一初级线圈的第一端作为所述第一变压器电路的第一端连接至所述第一mos管的源极,所述第一初级线圈的第二端接地,所述第一次级线圈的第一端作为所述第一变压器电路的第二端,所述第一次级线圈的第二端作为所述第一变压器电路的第三端。

6、优选的,所述第二变压器电路包括相互耦合的第二初级线圈和第二次级线圈,所述第二初级线圈的第一端作为所述第二变压器电路的第一端连接至所述第二mos管的源极,所述第二初级线圈的第二端接地,所述第二次级线圈的第一端作为所述第二变压器电路的第二端,所述第二次级线圈的第二端作为所述第二变压器电路的第三端。

7、优选的,所述第一放大电路包括第三mos管和第四mos管,所述第三mos管的栅极作为所述第一放大电路的输入端,所述第三mos管的源极接地,所述第三mos管的漏极连接所述第四mos管的源极,所述第四mos管的栅极用于连接外部第二偏置电压,所述第四mos管的漏极作为所述第一放大电路的输出端。

8、优选的,所述差分低噪声放大器还包括第一电感;所述第一电感的第一端连接所述第三mos管的源极,所述第一电感的第二端接地。

9、优选的,所述第二放大电路包括第五mos管和第六mos管,所述第五mos管的栅极作为所述第二放大电路的输入端,所述第五mos管的源极接地,所述第五mos管的漏极连接所述第六mos管的源极,所述第六mos管的栅极用于连接外部第二偏置电压,所述第六mos管的漏极作为所述第二放大电路的输出端;

10、所述差分低噪声放大器还包括第二电感;所述第二电感的第一端连接所述第五mos管的源极,所述第二电感的第二端接地。

11、优选的,所述差分低噪声放大器还包括第一级间匹配电路和第二级间匹配电路;所述第一级间匹配电路的输入端连接所述第一mos管的漏极,所述第一级间匹配电路的输出端连接所述第二放大电路的输入端;所述第二级间匹配电路的输入端连接所述第二mos管的漏极,所述第二级间匹配电路的输出端连接所述第二放大电路的输入端。

12、优选的,所述第一输出匹配电路包括第一电容、第三电感和第四电感;所述第一电容的第一端作为所述第一输出匹配电路的输出端,所述第一电容的第二端连接所述第三电感的第一端并作为所述第一输出匹配电路的输入端,所述第三电感的第二端用于连接供电电源,所述第四电感的第一端分别连接至所述第一mos管的输出端和所述第一放大电路的输入端,所述第四电感的第二端连接所述供电电源。

13、优选的,所述第一变压器电路的所述第一初级线圈的电感和所述第一次级线圈的电感分别与其电压的关系满足如下表达式(1):

14、(1)

15、其中,、分别为所述第一变压器电路的所述第一初级线圈和所述第一次级线圈的电压,为所述第一变压器电路的所述第一初级线圈和所述第一次级线圈的匝数比,为耦合系数,l1表示所述第一变压器电路的所述第一初级线圈的感值,l2表示所述第一变压器电路的所述第一次级线圈的感值;

16、可得所述第一mos管满足如下表达式(2):

17、;

18、;

19、;

20、即,

21、(2)

22、其中,为所述第一mos管的输入电压,为所述第一信号输出端的输出电压,为所述第一mos管的跨导,为所述第四电感的并联电阻,表示所述第一mos管的栅极和其源极的电压的变化量。

23、优选的,所述第二输出匹配电路包括第二电容、第五电感和第六电感;所述第二电容的第一端作为所述第二输出匹配电路的输出端,所述第二电容的第二端连接所述第五电感的第一端并作为所述第二输出匹配电路的输入端,所述第五电感的第二端用于连接供电电源,所述第六电感的第一端分别连接至所述第一mos管的输出端和所述第一放大电路的输入端,所述第六电感的第二端连接所述供电电源。

24、与现有技术相比,本专利技术中的差分低噪声放大器,通过将第一输入匹配电路的输入端连接第一信号输入端本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种差分低噪声放大器,所述差分低噪声放大器包括依次电连接的第一信号输入端、第一低噪声放大器和第一信号输出端、以及依次电连接的第二信号输入端、第二低噪声放大器和第二信号输出端;其特征在于,

2.如权利要求1所述的差分低噪声放大器,其特征在于,所述第一变压器电路包括相互耦合的第一初级线圈和第一次级线圈,所述第一初级线圈的第一端作为所述第一变压器电路的第一端连接至所述第一MOS管的源极,所述第一初级线圈的第二端接地,所述第一次级线圈的第一端作为所述第一变压器电路的第二端,所述第一次级线圈的第二端作为所述第一变压器电路的第三端。

3.如权利要求1所述的差分低噪声放大器,其特征在于,所述第二变压器电路包括相互耦合的第二初级线圈和第二次级线圈,所述第二初级线圈的第一端作为所述第二变压器电路的第一端连接至所述第二MOS管的源极,所述第二初级线圈的第二端接地,所述第二次级线圈的第一端作为所述第二变压器电路的第二端,所述第二次级线圈的第二端作为所述第二变压器电路的第三端。

4.如权利要求1所述的差分低噪声放大器,其特征在于,所述第一放大电路包括第三MOS管和第四MOS管,所述第三MOS管的栅极作为所述第一放大电路的输入端,所述第三MOS管的源极接地,所述第三MOS管的漏极连接所述第四MOS管的源极,所述第四MOS管的栅极用于连接外部第二偏置电压,所述第四MOS管的漏极作为所述第一放大电路的输出端。

5.如权利要求4所述的差分低噪声放大器,其特征在于,所述差分低噪声放大器还包括第一电感;所述第一电感的第一端连接所述第三MOS管的源极,所述第一电感的第二端接地。

6.如权利要求1所述的差分低噪声放大器,其特征在于,所述第二放大电路包括第五MOS管和第六MOS管,所述第五MOS管的栅极作为所述第二放大电路的输入端,所述第五MOS管的源极接地,所述第五MOS管的漏极连接所述第六MOS管的源极,所述第六MOS管的栅极用于连接外部第二偏置电压,所述第六MOS管的漏极作为所述第二放大电路的输出端;

7.如权利要求1所述的差分低噪声放大器,其特征在于,所述差分低噪声放大器还包括第一级间匹配电路和第二级间匹配电路;所述第一级间匹配电路的输入端连接所述第一MOS管的漏极,所述第一级间匹配电路的输出端连接所述第二放大电路的输入端;所述第二级间匹配电路的输入端连接所述第二MOS管的漏极,所述第二级间匹配电路的输出端连接所述第二放大电路的输入端。

8.如权利要求2所述的差分低噪声放大器,其特征在于,所述第一输出匹配电路包括第一电容、第三电感和第四电感;所述第一电容的第一端作为所述第一输出匹配电路的输出端,所述第一电容的第二端连接所述第三电感的第一端并作为所述第一输出匹配电路的输入端,所述第三电感的第二端用于连接供电电源,所述第四电感的第一端分别连接至所述第一MOS管的输出端和所述第一放大电路的输入端,所述第四电感的第二端连接所述供电电源。

9.如权利要求8所述的差分低噪声放大器,其特征在于,所述第一变压器电路的所述第一初级线圈的电感和所述第一次级线圈的电感分别与其电压的关系满足如下表达式(1):

10.如权利要求1所述的差分低噪声放大器,其特征在于,所述第二输出匹配电路包括第二电容、第五电感和第六电感;所述第二电容的第一端作为所述第二输出匹配电路的输出端,所述第二电容的第二端连接所述第五电感的第一端并作为所述第二输出匹配电路的输入端,所述第五电感的第二端用于连接供电电源,所述第六电感的第一端分别连接至所述第一MOS管的输出端和所述第一放大电路的输入端,所述第六电感的第二端连接所述供电电源。

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【技术特征摘要】

1.一种差分低噪声放大器,所述差分低噪声放大器包括依次电连接的第一信号输入端、第一低噪声放大器和第一信号输出端、以及依次电连接的第二信号输入端、第二低噪声放大器和第二信号输出端;其特征在于,

2.如权利要求1所述的差分低噪声放大器,其特征在于,所述第一变压器电路包括相互耦合的第一初级线圈和第一次级线圈,所述第一初级线圈的第一端作为所述第一变压器电路的第一端连接至所述第一mos管的源极,所述第一初级线圈的第二端接地,所述第一次级线圈的第一端作为所述第一变压器电路的第二端,所述第一次级线圈的第二端作为所述第一变压器电路的第三端。

3.如权利要求1所述的差分低噪声放大器,其特征在于,所述第二变压器电路包括相互耦合的第二初级线圈和第二次级线圈,所述第二初级线圈的第一端作为所述第二变压器电路的第一端连接至所述第二mos管的源极,所述第二初级线圈的第二端接地,所述第二次级线圈的第一端作为所述第二变压器电路的第二端,所述第二次级线圈的第二端作为所述第二变压器电路的第三端。

4.如权利要求1所述的差分低噪声放大器,其特征在于,所述第一放大电路包括第三mos管和第四mos管,所述第三mos管的栅极作为所述第一放大电路的输入端,所述第三mos管的源极接地,所述第三mos管的漏极连接所述第四mos管的源极,所述第四mos管的栅极用于连接外部第二偏置电压,所述第四mos管的漏极作为所述第一放大电路的输出端。

5.如权利要求4所述的差分低噪声放大器,其特征在于,所述差分低噪声放大器还包括第一电感;所述第一电感的第一端连接所述第三mos管的源极,所述第一电感的第二端接地。

6.如权利要求1所述的差分低噪声放大器,其特征在于,所述第二放大电路包括第五mos管和第六mos管,所述第五mos管的栅极作为所...

【专利技术属性】
技术研发人员:曾珣郭嘉帅
申请(专利权)人:深圳飞骧科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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