System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种基于电感负反馈的低噪声放大器制造技术_技高网

一种基于电感负反馈的低噪声放大器制造技术

技术编号:40713095 阅读:3 留言:0更新日期:2024-03-22 11:15
本发明专利技术公开了一种基于电感负反馈的低噪声放大器,涉及射频放大器和接收机技术领域,解决了低噪声放大器在特定工作频率的噪声系数较高的技术问题,其技术方案要点是将电感一端与信号输入端相连,另一端与第二级噪声消除电路相连,通过反馈网络在特定频率的谐振,使放大器工作在特定频率,消除了寄生反馈电容的影响,降低了低噪声放大器在特定工作频率的噪声系数。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及射频放大器和接收机,尤其涉及一种基于电感负反馈的低噪声放大器


技术介绍

1、在接收机系统中,低噪声放大器的噪声系数和系统灵敏度直接相关,低噪声系数可以实现更好的灵敏度,从而提高接收机系统的通信距离。对于传统的共源共栅型低噪声放大器,随着其工作频率的升高,尤其到了毫米波频段,由于受到寄生电容的影响,其噪声性能会下降,噪声系数会恶化。因此,如何在射频和毫米波频段实现低噪声系数的低噪声放大器,从而实现更好的接收机系统灵敏度,成为了该领域亟待解决的问题。


技术实现思路

1、本申请提供了一种基于电感负反馈的低噪声放大器,其技术目的是降低低噪声放大器在特定工作频率的噪声系数。

2、本申请的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:

3、一种基于电感负反馈的低噪声放大器,包括第一级放大电路和第二级放大电路,所述第一级放大电路包括第一nmos管、第一pmos管、第一电容和第一电感,所述第二级放大电路包括第二nmos管、第三nmos管、第一电阻和第二电容;

4、第一nmos管的栅极、第一pmos管的栅极、第一电容的一端以及第一电感的一端均与信号输入端连接,第一nmos管的漏极、第一pmos管的漏极、第一电容的另一端、第一电感的另一端以及第二电容的一端均相互连接,第一nmos管的源极接地,pmos管的源极与电源电压连接;

5、第二电容的另一端、第一电阻的一端以及第二nmos管的栅极均相互连接,第一电阻的另一端以及第二nmos管的漏极均与电源电压连接,第二nmos管的源极和第三nmos管的漏极均与信号输出端连接,第三nmos管的源极接地,第三nmos管的栅极与信号输入端连接。

6、本申请的有益效果在于:本申请所述的基于电感负反馈的低噪声放大器,将电感一端与信号输入端相连,另一端与第二级噪声消除电路相连,通过反馈网络在特定频率的谐振,使放大器工作在特定频率,消除了寄生反馈电容的影响,降低了低噪声放大器在特定工作频率的噪声系数。

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【技术保护点】

1.一种基于电感负反馈的低噪声放大器,其特征在于,包括第一级放大电路和第二级放大电路,所述第一级放大电路包括第一NMOS管、第一PMOS管、第一电容和第一电感,所述第二级放大电路包括第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻和第二电容;

2.如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,所述第二NMOS管和所述第三NMOS管构成共源共栅结构。

【技术特征摘要】

1.一种基于电感负反馈的低噪声放大器,其特征在于,包括第一级放大电路和第二级放大电路,所述第一级放大电路包括第一nmos管、第一pmos管、第一电容和第一电感,所述第二级放大电...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈琪罗为毛银伟周济明
申请(专利权)人:圭步微电子南京有限公司
类型:发明
国别省市:

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