【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及电平移位电路。
技术介绍
1、电平移位电路是在需要比电源电压高的基准电压的装置中对能够从电源电压取得的信号电压进行升压的电路，适用于设有输入输出接口、总线等的各种半导体集成电路。电平移位电路通常由p型mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor)以及n型mosfet构成。
2、电平移位电路被供给电源电压，若相对于输入的信号电压升压而输出的输出的信号电压电平变大，则有时在动作中在mosfet的端子间被施加耐压允许值以上的电压。若施加比耐压性能高的高电压，则mosfet被破坏。为了避免该mosfet的破坏，还能够使用以高耐压的mosfet为首的各种晶体管。然而，存在其成本变高的问题。
技术实现思路
1、专利技术将要解决的课题在于提供能够兼顾高速动作与消耗电流减少的电平移位电路。
2、一实施方式的电平移位电路具备第一阻抗、第二阻抗、第一晶体管、第二晶体管、电流源及第一电容器。第一阻抗的第一端连接于正侧电源电压。第二阻抗的第一端连接于所述正侧电源电压，从第二端输出输出信号。第一晶体管的控制端子被输入输入信号，第一端连接于所述第一阻抗的第二端。第二晶体管的控制端子被输入所述输入信号的差动信号，第一端连接于所述第二阻抗的第二端，第二端连接于所述第一晶体管的第二端。电流源的第一端连接于所述第一晶体管的第二端，第二端连接于负侧电源电压。第一电容器的第一端连接于所述第二阻抗的第二端，第二
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1.一种电平移位电路，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，还具备：
3.根据权利要求2所述的电平移位电路，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的电平移位电路，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，还具备：
8.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的电平移位电路，其特征在于，
10.根据权利要求8所述的电平移位电路，其特征在于，
11.根据权利要求8所述的电平移位电路，其特征在于，
12.根据权利要求8所述的电平移位电路，其特征在于，
13.根据权利要求1至12中任一项所述的电平移位电路，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种电平移位电路，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，还具备：
3.根据权利要求2所述的电平移位电路，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的电平移位电路，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特...
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