【技术实现步骤摘要】
本专利技术适用于无线通信，尤其涉及一种跨导增强的低噪声放大器及射频芯片。
技术介绍
1、低噪声放大器是一种噪声系数很低的放大器，在利用放大器放大微弱信号的场合，放大器自身的噪声对信号的干扰可能会比信号本身带有的干扰更为严重，而低噪声放大器则是通过一定的结构来减小自身噪声，以提高信号输出的信噪比，从而达到更好的信号放大效果。
2、共源共栅结构的低噪声放大器是各种电路中最常使用到的结构。目前，共源共栅低噪声放大器为了实现功率增益，需要在电路结构中额外增加一级放大器，这样的设计增加了电路的大小，不利于微电路的实现。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种跨导增强的低噪声放大器及射频芯片，旨在解决现有的低噪声放大器实现功率增益会使得电路大小增加的问题。
2、为解决上述技术问题，第一方面，本专利技术提供一种跨导增强的低噪声放大器，包括信号输入端、输入匹配电路、放大电路、跨导增强电路、输出匹配电路和信号输出端，其中：
3、所述输入匹配电路包括第一电容和第一电感，所述第一电容的第一端连接所述信号输入端，所述第一电容的第二端连接所述第一电感的第一端，所述第一电感的第二端接地；
4、所述输出匹配电路包括第二电容和第二电感，所述第二电容的第一端连接所述信号输出端，所述第二电容的第二端连接所述第二电感的第一端，所述第二电感的第二端用于连接第一电源电压；
5、所述放大电路包括第一mos管和第一电阻，所述第一mos管的源极连接所述第一电容的第二端，所
6、所述跨导增强电路用于将输入至所述第一mos管的源极的信号反馈至所述第一mos管的栅极。
7、更进一步地，所述跨导增强电路包括第二mos管和第二电阻，所述第二mos管的栅极作为所述跨导增强电路的输入端连接至所述第一mos管的源极，所述第二mos管的漏极作为所述跨导增强电路的输出端连接至所述第一mos管的栅极，所述第二mos管的源极接地；所述第二电阻的第一端连接至所述第二mos管的栅极，所述第二电阻的第二端连接第二偏置电压。
8、更进一步地，所述跨导增强电路还包括第三电容，所述第三电容的第一端连接所述第一mos管的源极，所述第三电容的第二端分别与所述第二mos管的栅极及所述第二电阻的第一端连接。
9、更进一步地，所述跨导增强电路还包括第四电容和第三电感，所述第四电容的第一端连接所述第二mos管的漏极，所述第四电容的第二端与所述第一mos管的栅极连接，所述第三电感的第一端连接至所述第四电容的第一端，所述第三电感的第二端连接第二电源电压。
10、更进一步地，所述第一电感与所述第三电感耦合。
11、更进一步地，所述跨导增强电路包括第五电感和第六电容，所述第五电感的第一端与所述第六电容的第一端连接，所述第五电感的第二端接地，所述第六电容的第二端与所述第一mos管的栅极连接，所述第一电感与所述第五电感耦合。
12、更进一步地，所述输入匹配电路还包括第一输入电感、第二输入电感、第三电阻、第三mos管、第四电感以及第五电容，所述第一输入电感的第一端连接所述信号输入端，所述第一输入电感的第二端连接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端连接所述第三mos管的栅极，所述第三电阻的第一端连接所述第一电容的第二端，所述第三电阻的第二端连接第三偏置电压，所述第二输入电感的第一端连接所述第三mos管的源极，所述第二输入电感的第二端接地，所述第三mos管的漏极连接所述第五电容的第一端，所述第五电容的第二端连接所述第一mos管的源极，所述第四电感的第一端连接所述第五电容的第一端，所述第四电感的第二端连接第三电源电压。
13、第二方面，本专利技术还提供一种射频芯片，所述射频芯片包括如上所述的跨导增强的低噪声放大器。
14、本专利技术所达到的有益效果，在于提出了一种可以实现跨导增强的新型低噪声放大器及射频芯片，该低噪声放大器在不额外增加一级放大器的前提下，通过将输入信号反转后馈入共栅放大电路的mos管栅极的方式，增加了栅极电压的摆幅，从而有效增强低噪声放大器的跨导，进而在保持接收灵敏度的同时提升功率增益。
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1.一种跨导增强的低噪声放大器，其特征在于，包括信号输入端、输入匹配电路、放大电路、跨导增强电路、输出匹配电路和信号输出端，其中：
2.如权利要求1所述的跨导增强的低噪声放大器，其特征在于，所述跨导增强电路包括第二MOS管和第二电阻，所述第二MOS管的栅极作为所述跨导增强电路的输入端连接至所述第一MOS管的源极，所述第二MOS管的漏极作为所述跨导增强电路的输出端连接至所述第一MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极接地；所述第二电阻的第一端连接至所述第二MOS管的栅极，所述第二电阻的第二端连接第二偏置电压。
3.如权利要求2所述的跨导增强的低噪声放大器，其特征在于，所述跨导增强电路还包括第三电容，所述第三电容的第一端连接所述第一MOS管的源极，所述第三电容的第二端分别与所述第二MOS管的栅极及所述第二电阻的第一端连接。
4.如权利要求2所述的跨导增强的低噪声放大器，其特征在于，所述跨导增强电路还包括第四电容和第三电感，所述第四电容的第一端连接所述第二MOS管的漏极，所述第四电容的第二端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第三电感的第一端连接至所述第
5.如权利要求4所述的跨导增强的低噪声放大器，其特征在于，所述第一电感与所述第三电感耦合。
6.如权利要求1所述的跨导增强的低噪声放大器，其特征在于，所述跨导增强电路包括第五电感和第六电容，所述第五电感的第一端与所述第六电容的第一端连接，所述第五电感的第二端接地，所述第六电容的第二端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第一电感与所述第五电感耦合。
7.如权利要求1所述的跨导增强的低噪声放大器，其特征在于，所述输入匹配电路还包括第一输入电感、第二输入电感、第三电阻、第三MOS管、第四电感以及第五电容，所述第一输入电感的第一端连接所述信号输入端，所述第一输入电感的第二端连接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端连接所述第三MOS管的栅极，所述第三电阻的第一端连接所述第一电容的第二端，所述第三电阻的第二端连接第三偏置电压，所述第二输入电感的第一端连接所述第三MOS管的源极，所述第二输入电感的第二端接地，所述第三MOS管的漏极连接所述第五电容的第一端，所述第五电容的第二端连接所述第一MOS管的源极，所述第四电感的第一端连接所述第五电容的第一端，所述第四电感的第二端连接第三电源电压。
8.一种射频芯片，其特征在于，所述射频芯片包括如权利要求1-7任一项所述的跨导增强的低噪声放大器。
...【技术特征摘要】
1.一种跨导增强的低噪声放大器，其特征在于，包括信号输入端、输入匹配电路、放大电路、跨导增强电路、输出匹配电路和信号输出端，其中：
2.如权利要求1所述的跨导增强的低噪声放大器，其特征在于，所述跨导增强电路包括第二mos管和第二电阻，所述第二mos管的栅极作为所述跨导增强电路的输入端连接至所述第一mos管的源极，所述第二mos管的漏极作为所述跨导增强电路的输出端连接至所述第一mos管的栅极，所述第二mos管的源极接地；所述第二电阻的第一端连接至所述第二mos管的栅极，所述第二电阻的第二端连接第二偏置电压。
3.如权利要求2所述的跨导增强的低噪声放大器，其特征在于，所述跨导增强电路还包括第三电容，所述第三电容的第一端连接所述第一mos管的源极，所述第三电容的第二端分别与所述第二mos管的栅极及所述第二电阻的第一端连接。
4.如权利要求2所述的跨导增强的低噪声放大器，其特征在于，所述跨导增强电路还包括第四电容和第三电感，所述第四电容的第一端连接所述第二mos管的漏极，所述第四电容的第二端与所述第一mos管的栅极连接，所述第三电感的第一端连接至所述第四电容的第一端，所述第三电感的第二端连接第二电源电压。
5.如权利要求4所述的跨导增强的...
【专利技术属性】
技术研发人员：童凌云，郭嘉帅，
申请(专利权)人：深圳飞骧科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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