一种LIN总线接收机比较电路及设备制造技术

本申请提供一种LIN总线接收机比较电路及设备，该电路包括第一级比较电路、第二级比较电路和反相器，第一级比较电路连接电源电压，第二级比较电路连接LIN总线对应的总线电压，第一级比较电路与第二级比较电路连接，第二级比较电路连接反相器的输入端。其中，第一级比较电路包括第一类开关管，第二级比较电路包括第二类开关管，第一类开关管与第二类开关管构成预设类型的电流镜结构，以使电源电压大于预设倍数的总线电压时，反相器输出高电平信号，电源电压小于预设倍数的总线电压时，反相器输出低电平信号。本申请中的LIN总线接收机比较电路能达到功耗低、比较范围宽、翻转阈值跟随电源电压成比例变化的技术效果。电源电压成比例变化的技术效果。电源电压成比例变化的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种LIN总线接收机比较电路及设备


[0001]本申请涉及电路设计领域，尤其涉及一种LIN总线接收机比较电路及设备。

技术介绍

[0002]本地局域互联网(Local Interconnect Network，简称LIN)总线是为分布式汽车电子系统而定义的一种低成本的串行通讯网络，主要用于连接汽车智能传感器和执行器等简单组件，是一种低成本网络。一般的，传感器或执行器等组件上都设置有接收机，来接收通过LIN总线传输的信号。
[0003]目前的LIN总线ISO17987标准中对接收机的翻转阈值有着严苛的要求。而LIN总线接收机不能精确地实现无论电源电压为多少，接收机比较器都能在LIN总线电压为预设倍数的电源电压时翻转。
[0004]因此，现有的LIN总线接收机比较电路存在翻转阈值不够精准的技术问题。

技术实现思路

[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种LIN总线驱动电路及设备，具体方案如下：
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种LIN总线接收机比较电路，所述LIN总线接收机比较电路包括第一级比较电路、第二级比较电路和反相器，所述第一级比较电路连接电源电压，所述第二级比较电路连接LIN总线对应的总线电压，所述第一级比较电路与所述第二级比较电路连接，所述第二级比较电路连接所述反相器的输入端；
[0007]所述第一级比较电路包括第一类开关管，所述第二级比较电路包括第二类开关管，所述第一类开关管与所述第二类开关管构成预设类型的电流镜结构，以使所述电源电压大于预设倍数的所述总线电压时，所述反相器输出高电平信号，所述电源电压小于预设倍数的所述总线电压时，所述反相器输出低电平信号。
[0008]根据本申请公开的一种具体实施方式，所述第一级比较电路包括第一等效电阻、第二等效电阻、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管；
[0009]所述第一等效电阻的一端外接电源电压，所述第一等效电阻的另一端连接所述第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的栅极和漏极经由第一节点连接所述第二级比较电路，所述第一NMOS管的源极连接所述第二NMOS管的漏极；
[0010]所述第二NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的漏极以及所述第三NMOS管的栅极经由第二节点连接所述第二级比较电路；
[0011]所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管经由所述第二等效电阻外接总线电压。
[0012]根据本申请公开的一种具体实施方式，所述预设倍数为所述第二等效电阻对应的第二等效电阻值与所述第一等效电阻对应的第一等效电阻值的比值。
[0013]根据本申请公开的一种具体实施方式，LIN总线接收机比较电路还包括电阻阻值
控制单元，所述电阻阻值控制单元分别连接所述第一等效电阻和所述第二等效电阻；
[0014]所述阻值控制单元用于根据用户输入的阻值控制指令调节所述第一等效电阻和所述第二等效电阻的等效电阻值，其中，所述第一等效电阻与所述第二等效电阻均为阻值可调节的电阻。
[0015]根据本申请公开的一种具体实施方式，所述第二级比较电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管；
[0016]所述第一PMOS管的源极以及第二PMOS管的源极连接电压输入端，所述第一PMOS管的栅极、所述第一PMOS管的漏极以及第二PMOS管的栅极经由第三节点连接所述第四NMOS管的漏极，所述第二PMOS管的漏极连接所述反相器的输入端；
[0017]所述第四NMOS管的栅极经由所述第一节点连接所述第一比较电路，所述第四NMOS管的的源极连接所述第五NMOS管的漏极；
[0018]所述第五NMOS管栅极经由所述第二节点连接所述第一比较电路，所述第五NMOS管的源极以及所述第六NMOS管的源极接地，所述第六NMOS管的栅极连接所述第三NMOS管的漏极，所述第六NMOS管的漏极连接所述反相器的输入端。
[0019]根据本申请公开的一种具体实施方式，所述第一NMOS管、所述第二NMOS管、所述第三NMOS管、所述第四NMOS管、所述第五NMOS管和第六NMOS管的尺寸及参数均相同。
[0020]根据本申请公开的一种具体实施方式，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的尺寸及参数均相同。
[0021]根据本申请公开的一种具体实施方式，所述第一等效电阻和所述第二等效电阻的参考类型均包括二极管、三极管和MOS管。
[0022]根据本申请公开的一种具体实施方式，所述第一类开关管和所述第二类开关管均包括三极管。
[0023]第二方面，本申请实施例提供了一种LIN总线接收机比较设备，所述LIN总线接收机比较设备包括第一方面中任一项所述的LIN总线接收机比较电路。
[0024]相对于现有技术而言，本申请具有以下有益效果：
[0025]本申请提供一种LIN总线接收机比较电路包括第一级比较电路、第二级比较电路和反相器，第一级比较电路连接电源电压，第二级比较电路连接LIN总线对应的总线电压，第一级比较电路与第二级比较电路连接，第二级比较电路连接反相器的输入端。其中，第一级比较电路包括第一类开关管，第二级比较电路包括第二类开关管，第一类开关管与第二类开关管构成预设类型的电流镜结构，以使电源电压大于预设倍数的总线电压时，反相器输出高电平信号，电源电压小于预设倍数的总线电压时，反相器输出低电平信号。本申请中的LIN总线接收机比较电路能达到功耗低、比较范围宽、翻转阈值跟随电源电压成比例变化的技术效果。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0027]图1为本申请实施例提供的LIN总线接收机比较电路的组成示意图；
[0028]图2为本申请实施例提供的LIN总线接收机比较电路00的结构示意图。
具体实施方式
[0029]下面将结合本专利技术实施例中附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0030]通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]在下文中，可在本专利技术的各种实施例中使用的术语“包括”、“具有”及其同源词仅意在表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合，并且不应被理解为首先排除一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LIN总线接收机比较电路及设备，其特征在于，所述LIN总线接收机比较电路包括第一级比较电路、第二级比较电路和反相器，所述第一级比较电路连接电源电压，所述第二级比较电路连接LIN总线对应的总线电压，所述第一级比较电路与所述第二级比较电路连接，所述第二级比较电路连接所述反相器的输入端；所述第一级比较电路包括第一类开关管，所述第二级比较电路包括第二类开关管，所述第一类开关管与所述第二类开关管构成预设类型的电流镜结构，以使所述电源电压大于预设倍数的所述总线电压时，所述反相器输出高电平信号，所述电源电压小于预设倍数的所述总线电压时，所述反相器输出低电平信号。2.根据权利要求1所述的LIN总线接收机比较电路，其特征在于，所述第一级比较电路包括第一等效电阻、第二等效电阻、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管；所述第一等效电阻的一端外接电源电压，所述第一等效电阻的另一端连接所述第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的栅极和漏极经由第一节点连接所述第二级比较电路，所述第一NMOS管的源极连接所述第二NMOS管的漏极；所述第二NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的漏极以及所述第三NMOS管的栅极经由第二节点连接所述第二级比较电路；所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管经由所述第二等效电阻外接总线电压。3.根据权利要求1所述的LIN总线接收机比较电路，其特征在于，所述预设倍数为所述第二等效电阻对应的第二等效电阻值与所述第一等效电阻对应的第一等效电阻值的比值。4.根据权利要求3所述的LIN总线接收机比较电路，其特征在于，LIN总线接收机比较电路还包括电阻阻值控制单元，所述电阻阻值控制单元分别连接所述第一等效电阻和所述第二等效电阻；所述阻值控制单元用于根据用户输入的阻值控制指令调节所述第一等效电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张识博，
申请(专利权)人：上海川土微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：