一种电流量化矢量插值阵列和有源矢量调制架构制造技术

本发明专利技术提供了一种电流量化矢量插值阵列和有源矢量调制架构。电流量化矢量插值阵列包括共栅开关阵列组和反相驱动电路。共栅开关阵列组具有源极、栅极和漏极，若干个共栅开关阵列组共源连接，至少一个共栅开关阵列组的漏极与电源总线耦接。反相驱动电路具有输入端和输出端，若干个所述反相驱动电路的输入端分别接入控制信号，若干个所述反相驱动电路的输出端分别与若干个共栅开关阵列组中每只共栅管的栅极耦接。有源矢量调制架构采用上述电流量化矢量插值阵列，将幅度调节量化为宽度不同的共栅开关阵列实现。本发明专利技术为每只共栅管提供了良好的射频接地和数字驱动能力；共栅管控制通断的高低电位由反相器输出提供而非控制信号远程走线提供。程走线提供。程走线提供。

【技术实现步骤摘要】
一种电流量化矢量插值阵列和有源矢量调制架构


[0001]本专利技术涉及有源相控阵天线
，具体而言，涉及一种电流量化矢量插值阵列和有源矢量调制架构。

技术介绍

[0002]毫米波低成本有源相控阵天线中，通常采用基于硅基CMOS工艺的芯片集成技术，实现多通道多功能有源子阵的单芯片集成。以应用在毫米波卫通相控阵接收天线中的某K频段硅基8通道接收有源子阵芯片为例，如图6所示，单只硅基芯片集成8路接收通道，单通道包含接收低噪放、六位数字移相和五位数字衰减、8路波束合成网络以及合路驱动放大等功能单元。同时利用硅基CMOS工艺优异的数模混合集成能力，片上同时集成SPI串口驱动、带隙基准、温度增益控制等数模混合功能。SPI串口驱动模块主要是根据SPI串口驱动协议，为芯片各功能单元的数字控制信号提供对外的串行接口和信号驱动功能。SPI模块作为片上公共单元且考虑到对外接口布局需要，通常居中布局，控制总线通过CMOS芯片片上某层金属长走线分发至各通道功能模块，实现对各射频功能模块的数字控制。由于现代先进CMOS工艺制程内层金属厚度在几百纳米量级，典型数字控制线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电流量化矢量插值阵列，其特征在于，包括：共栅开关阵列组，具有源极、栅极和漏极，若干个共栅开关阵列组共源连接，至少一个共栅开关阵列组的漏极与电源总线耦接；反相驱动电路，具有输入端和输出端，若干个所述反相驱动电路的输入端分别接入控制信号，若干个所述反相驱动电路的输出端分别与若干个共栅开关阵列组的栅极耦接。2.根据权利要求1所述的一种电流量化矢量插值阵列，其特征在于，所述反相驱动电路包括：反相器，具有输入端、输出端、高电位参考端和低电位参考端，所述反相器的输入端接入控制信号，所述反相器的输出端与共栅开关阵列组的栅极耦接，所述反相器的高电位参考端与电源总线耦接，所述反相器的低电位参考端与芯片射频地耦接。3.根据权利要求1所述的一种电流量化矢量插值阵列，其特征在于，所述共栅开关阵列组包括若干个共栅管，所述共栅管具有源极、栅极和漏极，所述反相驱动电路包括与共栅管数量匹配的若干个反相器；若干个所述共栅管的漏极相连形成共栅开关阵列组的漏极，若干个所述共栅管的源极相连形成共栅开关阵列组的源极，若干个所述共栅管的栅极分别与若干个所述反相器的输出端耦接。4.根据权利要求2所述的一种电流量化矢量插值阵列，其特征在于，所述反相器包括：第一开关管，具有第一端、第二端和第三端，所述第一开关管的第一端耦接至反相器的输入端，所述第一开关管的第二端耦接至反相器的输出端，所述第一开关管的第三端与电源总线耦接；第二开关管，具有第一端、第二端和第三端，所述第二开关管的第一端耦接至反相器的输入端...

【专利技术属性】
技术研发人员：张凯，刘帅，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十研究所，
类型：发明
国别省市：