具有防静电功能的FPC制造技术

本发明专利技术涉及电路板技术领域，公开了一种具有防静电功能的FPC，所述具有防静电功能的FPC包括FPC本体、防静电层和DLC层；所述防静电层设于所述FPC本体和所述DLC层之间；其中，所述防静电层为Si层或者Si与DLC的混合层，本发明专利技术实施例提供的FPC具有较好的防静电功能，无需在FPC中加入ESD导线。在FPC中加入ESD导线。在FPC中加入ESD导线。

【技术实现步骤摘要】
具有防静电功能的FPC


[0001]本专利技术涉及电路板
，特别是涉及一种具有防静电功能的FPC。

技术介绍

[0002]目前，FPC(柔性电路板)是非常重要的元器件，它能连接两个运动的电器，并且导通电流。由于FPC经常处于运动的工作状态，因而其表面常常带有电荷，这种电荷的释放往往会击穿电子元器件。为了解决上述问题，传统的办法是在FPC内部加入ESD导线，然而此种方法导电作用有限，同时，由于FPC越来越细小，其内部的空间往往不够再加入更多的线路，因而就迫切需要有一种新的办法可以解决上述问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种具有防静电功能的FPC，其能够使得FPC具有防静电功能。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种具有防静电功能的FPC，所述具有防静电功能的FPC包括FPC本体、防静电层和DLC层；所述防静电层设于所述FPC本体和所述DLC层之间；其中，所述防静电层为Si层或者Si与DLC的混合层。
[0005]作为优选方案，所述防静电层为Si与DLC的混合层；则形成所述防静电层的步骤包括：
[0006]向真空室中通入碳氢气体，并使真空度达到2.5
‑
4Pa；
[0007]离子枪所接通的电源为2000至2500V，以产生碳等离子体，并向FPC本体表面施加150KHz频率的、
‑
165至
‑
180V的电压，以Si靶为靶材，通过溅射在所述FPC本体上沉积形成Si与DLC的混合层。
[0008]作为优选方案，所述碳氢气体为CH4、C2H2、C6H6或C4H
10
。
[0009]作为优选方案，所述Si与DLC的混合层的厚度为120
‑
150纳米。
[0010]作为优选方案，所述防静电层为Si层；则形成所述防静电层的步骤包括：
[0011]以Si靶为靶材，通过溅射在所述FPC本体上沉积形成Si层。
[0012]作为优选方案，所述Si层的厚度为300
‑
400纳米。
[0013]作为优选方案，所述DLC层的厚度为550纳米。
[0014]作为优选方案，所述具有防静电功能的FPC还包括金属层，所述金属层设于所述DLC层上。
[0015]作为优选方案，所述金属层的材料为铝、镍或铜。
[0016]作为优选方案，所述金属层的厚度为50
‑
60纳米。
[0017]相比于现有技术，本专利技术实施例的有益效果在于：本专利技术实施例提供一种具有防静电功能的FPC，所述具有防静电功能的FPC包括FPC本体、防静电层和DLC层；所述防静电层设于所述FPC本体和所述DLC层之间；其中，所述防静电层为Si层或者Si与DLC的混合层，本专利技术实施例提供的FPC具有较好的防静电功能，无需在FPC中加入ESD导线。
附图说明
[0018]图1是本专利技术实施例中的具有防静电功能的FPC的结构示意图；
[0019]图2是本专利技术实施例中的具有防静电功能的FPC的另一个实施方式的结构示意图；
[0020]图3是本专利技术实施例的具有防静电功能的FPC的制造方法的流程图；
[0021]其中，1、FPC本体；2、防静电层；3、DLC层；4、金属层。
具体实施方式
[0022]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]请参阅图1所示，其是本专利技术实施例中的具有防静电功能的FPC的结构示意图。
[0024]本专利技术实施例的具有防静电功能的FPC包括FPC本体1、防静电层2和DLC层3；所述防静电层2设于所述FPC本体1和所述DLC层3之间；其中，所述防静电层2为Si层或者Si与DLC的混合层。
[0025]在本专利技术实施例中，具有防静电功能的FPC包括FPC本体1、防静电层2和DLC层3；所述防静电层2设于所述FPC本体1和所述DLC层3之间；其中，所述防静电层2为Si层或者Si与DLC的混合层，本专利技术实施例提供的FPC具有较好的防静电功能，无需在FPC中加入ESD导线。
[0026]在一种可选的实施方式中，所述防静电层2为Si与DLC的混合层；则形成所述防静电层2的步骤包括：
[0027]向真空室中通入碳氢气体，并使真空度达到2.5
‑
4Pa；
[0028]离子枪所接通的电源为2000至2500V，以产生碳等离子体，其中，示例性地，向FPC本体1表面施加的电流为0.1A；并向FPC本体1表面施加150KHz频率的、
‑
165至
‑
180V的电压，以Si靶为靶材，通过溅射在所述FPC本体1上沉积形成Si与DLC的混合层。沉积时间为35
‑
40分钟，例如可以是35分钟、36分钟、37分钟、38分钟、39分钟、40分钟等，当然，沉积时间还可以根据实际要求设置为其他数值，在此不做更多的赘述。
[0029]在本专利技术实施例中，通过在DLC薄膜形成中，除了碳氢化合物之外，还混合Si，相比仅以碳氢化合物为材料的DLC薄膜，其导电性更加优良，从而能够获得防静电性能更佳的FPC。在具体实施当中，开启纯Si靶，可以用带正电的氩气轰击靶材，轰击出的负电离子沉积于阳极，带正电的离子沉积于阴极，使得Si和DLC混合层沉积于FPC本体1上。此外，通过向FPC本体1表面施加150KHz频率的、
‑
165至
‑
180V的电压，可以控制蒸镀到FPC本体1上的离子的能量且释放累积的电荷。
[0030]在一种可选的实施方式中，所述碳氢气体为CH4、C2H2、C6H6或C4H
10
。通过离子枪所接通的电源为2000至2500V，以产生碳等离子体，以便在FPC本体1上沉积混有Si的DLC。
[0031]在一种可选的实施方式中，所述Si与DLC的混合层的厚度为120
‑
150纳米，例如可以是120纳米、125纳米、130纳米、135纳米、140纳米、145纳米、150纳米等。当然，所述Si与DLC的混合层的厚度还可以根据实际使用要求设置为其他数值，在此不做更多的赘述。
[0032]在另一种可选的实施方式中，所述防静电层2为Si层；则形成所述防静电层2的步骤包括：
[0033]以Si靶为靶材，通过溅射在所述FPC本体1上沉积形成Si层。示例性地，沉积时间为5
‑
15分钟，例如可以是5分钟、6分钟、7分钟、8分钟、9分钟、10分钟、11分钟、12分钟、13分钟、14分钟、15分钟等，当然，沉积时间还可以根据实际要求设置为其他数值，在此不做更多的赘述。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有防静电功能的FPC，其特征在于，所述具有防静电功能的FPC包括FPC本体、防静电层和DLC层；所述防静电层设于所述FPC本体和所述DLC层之间；其中，所述防静电层为Si层或者Si与DLC的混合层。2.如权利要求1所述的具有防静电功能的FPC，其特征在于，所述防静电层为Si与DLC的混合层；则形成所述防静电层的步骤包括：向真空室中通入碳氢气体，并使真空度达到2.5
‑
4Pa；离子枪所接通的电源为2000至2500V，以产生碳等离子体，并向FPC本体表面施加150KHz频率的、
‑
165至
‑
180V的电压，以Si靶为靶材，通过溅射在所述FPC本体上沉积形成Si与DLC的混合层。3.如权利要求2所述的具有防静电功能的FPC，其特征在于，所述碳氢气体为CH4、C2H2、C6H6或C4H
10
。4.如权利要求2所述的具有防静电功能的FPC，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄平尧，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：