半导体的焊接方法技术

本发明专利技术涉及半导体加工技术领域，公开了一种半导体的焊接方法，首先，对两个待焊接半导体的焊盘分别涂锡料，接着，预热两个所述待焊接半导体的焊盘上的锡料，然后，在两个所述待焊接半导体的焊盘之间放置锡球，并使所述锡球的一端与其中一个待焊接半导体的焊盘接触，所述锡球的另一端与另一个待焊接半导体的焊盘接触，再融化两个所述待焊接半导体的焊盘之间的锡球，此时可以将热量逐步传到焊盘上软化的锡料，使之逐渐加温熔化，从而使得焊接更为牢固，避免了现有技术由于对半导体采用金球焊接导致脱焊的问题。导致脱焊的问题。导致脱焊的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体的焊接方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，特别是涉及一种半导体的焊接方法。

技术介绍

[0002]目前，半导体零配件的焊接通常是金球焊接，具体地，将细线金球，通过超音波焊接的方法进行焊接，随着半导体技术的发展，当半导体体积逐渐变小，焊接盘也随之减小，焊接空间即两个半导体之间的距离也减少。作为以往的方法，如果继续在两个半导体焊接点之间配置金球，用激光过度加热而连接焊料，则存在焊料流向旁边的问题，容易造成的脱焊现象。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种半导体的焊接方法，其能够避免现有技术由于对半导体采用金球焊接导致脱焊的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体的焊接方法，其包括：
[0005]对两个待焊接半导体的焊盘分别涂锡料；
[0006]预热两个所述待焊接半导体的焊盘上的锡料；
[0007]在两个所述待焊接半导体的焊盘之间放置锡球，并使所述锡球的一端与其中一个待焊接半导体的焊盘接触，所述锡球的另一端与另一个待焊接半导体的焊盘接触；
[0008]融化两个所述待焊接半导体的焊盘之间的锡球。
[0009]作为优选方案，所述预热两个所述待焊接半导体的焊盘上的锡料，具体包括：
[0010]采用氙气灯照射的方式预热两个所述待焊接半导体的焊盘上的锡料。
[0011]作为优选方案，在采用氙气灯照射的方式预热两个所述待焊接半导体的焊盘上的锡料时，氙气灯的波长为1000
‑
1500nm，热能为30
‑
35兆焦耳。
[0012]作为优选方案，所述融化两个所述待焊接半导体的焊盘之间的锡球，具体包括：
[0013]采用氙气灯照射的方式融化两个所述待焊接半导体的焊盘之间的锡球。
[0014]作为优选方案，在采用氙气灯照射的方式融化两个所述待焊接半导体的焊盘之间的锡球时，氙气灯的波长为1300
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1700nm，热能为50
‑
60兆焦耳。
[0015]作为优选方案，在所述融化两个所述待焊接半导体的焊盘之间的锡球之后，还包括：
[0016]逐步降低两个半导体焊接处的加热温度。
[0017]作为优选方案，所述逐步降低两个半导体焊接处的加热温度，具体包括：
[0018]对两个半导体焊接处进行第一次保温；
[0019]对两个半导体焊接处进行第二次保温，第二次保温的温度低于第一次保温的温度。
[0020]作为优选方案，第二次保温的保温时间小于等于第一次保温的保温时间。
[0021]相比于现有技术，本专利技术实施例的有益效果在于：本专利技术实施例提供了一种半导
体的焊接方法，首先，对两个待焊接半导体的焊盘分别涂锡料，接着，预热两个所述待焊接半导体的焊盘上的锡料，然后，在两个所述待焊接半导体的焊盘之间放置锡球，并使所述锡球的一端与其中一个待焊接半导体的焊盘接触，所述锡球的另一端与另一个待焊接半导体的焊盘接触，再融化两个所述待焊接半导体的焊盘之间的锡球，此时可以将热量逐步传到焊盘上软化的锡料，使之逐渐加温熔化，从而使得焊接更为牢固，避免了现有技术由于对半导体采用金球焊接导致脱焊的问题。
附图说明
[0022]图1是本专利技术实施例的半导体的焊接方法的流程图。
具体实施方式
[0023]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0024]请参阅图1，其是本专利技术实施例的半导体的焊接方法的流程图。
[0025]本专利技术实施例的半导体的焊接方法包括：
[0026]步骤S101，对两个待焊接半导体的焊盘分别涂锡料；
[0027]步骤S102，预热两个所述待焊接半导体的焊盘上的锡料；
[0028]步骤S103，在两个所述待焊接半导体的焊盘之间放置锡球，并使所述锡球的一端与其中一个待焊接半导体的焊盘接触，所述锡球的另一端与另一个待焊接半导体的焊盘接触；
[0029]步骤S104，融化两个所述待焊接半导体的焊盘之间的锡球。
[0030]在本专利技术实施例中，首先，对两个待焊接半导体的焊盘分别涂锡料，接着，预热两个所述待焊接半导体的焊盘上的锡料，然后，在两个所述待焊接半导体的焊盘之间放置锡球，并使所述锡球的一端与其中一个待焊接半导体的焊盘接触，所述锡球的另一端与另一个待焊接半导体的焊盘接触，再融化两个所述待焊接半导体的焊盘之间的锡球，此时可以将热量逐步传到焊盘上软化的锡料，使之逐渐加温熔化，从而使得焊接更为牢固，避免了现有技术由于对半导体采用金球焊接导致脱焊的问题。
[0031]另外，传统的半导体零配件的焊接通常是金球焊接，将细线金球，通过超音波焊接的方法进行焊接，在超声波振荡器前端压入焊盘的情况下，要用大型超声波振荡器一次将多个焊盘超声波压接在一起，各焊盘的压接的均匀性(可靠性)存在问题，因而采用比金球更细的锡球来进行焊接的方法，可以提高焊接的可靠性，同时也可以减少金材料的成本。
[0032]在一种可选的实施方式中，所述步骤S102“预热两个所述待焊接半导体的焊盘上的锡料”，具体包括：
[0033]采用氙气灯照射的方式预热两个所述待焊接半导体的焊盘上的锡料。
[0034]在本专利技术实施例中，用氙气灯的照射半导体的焊盘上的锡料，使锡料预热，目的是使其软化。示例性地，在采用氙气灯照射的方式预热两个所述待焊接半导体的焊盘上的锡料时，氙气灯的波长为1000
‑
1500nm，热能为30
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35兆焦耳。
[0035]在一种可选的实施方式中，所述步骤S104“融化两个所述待焊接半导体的焊盘之间的锡球”，具体包括：
[0036]采用氙气灯照射的方式融化两个所述待焊接半导体的焊盘之间的锡球。
[0037]在本专利技术实施例中，氙气灯照射锡球，使其融化，融化的锡球将热量逐步传到焊接盘上软化的焊锡，使之逐渐加温熔化，从而完成了两半导体焊盘之间的焊接和导通，这种方法能使得焊接更为牢固，避免了原来金线焊接造成的脱焊现象。示例性的，在采用氙气灯照射的方式融化两个所述待焊接半导体的焊盘之间的锡球时，氙气灯的波长为1300
‑
1700nm，热能为50
‑
60兆焦耳。
[0038]在一种可选的实施方式中，在所述步骤S104“融化两个所述待焊接半导体的焊盘之间的锡球”之后，还包括：
[0039]逐步降低两个半导体焊接处的加热温度。
[0040]在本专利技术实施例中，在融化两个所述待焊接半导体的焊盘之间的锡球之后，逐步降低两个半导体焊接处的加热温度的温度，以避免在粘接半导体过程中由于短时间内的热膨胀和冷收缩而造成损伤。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体的焊接方法，其特征在于，包括：对两个待焊接半导体的焊盘分别涂锡料；预热两个所述待焊接半导体的焊盘上的锡料；在两个所述待焊接半导体的焊盘之间放置锡球，并使所述锡球的一端与其中一个待焊接半导体的焊盘接触，所述锡球的另一端与另一个待焊接半导体的焊盘接触；融化两个所述待焊接半导体的焊盘之间的锡球。2.如权利要求1所述的半导体的焊接方法，其特征在于，所述预热两个所述待焊接半导体的焊盘上的锡料，具体包括：采用氙气灯照射的方式预热两个所述待焊接半导体的焊盘上的锡料。3.如权利要求2所述的半导体的焊接方法，其特征在于，在采用氙气灯照射的方式预热两个所述待焊接半导体的焊盘上的锡料时，氙气灯的波长为1000
‑
1500nm，热能为30
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35兆焦耳。4.如权利要求1
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3任一项所述的半导体的焊接方法，其特征在于，所述融化两个所述待焊接半导体的焊盘...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨远成，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：