屏蔽封装工艺及屏蔽封装结构制造技术

本发明专利技术属于半导体的技术领域，公开了一种屏蔽封装工艺及屏蔽封装结构。该屏蔽封装工艺包括：提供一基板，基板上具有多个用于安装元器件的模组芯片区和位于相邻两个模组芯片区之间的电磁屏蔽区；在基板设置元器件的一侧设置包封层以覆盖所有元器件；在基板的电磁屏蔽区内通过三维打印形成电磁屏蔽墙，以隔离相邻两个模组芯片区内的元器件；在基板设置元器件的一侧填充塑封料并覆盖电磁屏蔽墙；对填充塑封料的基板进行切割以将多个模组芯片区分离为单独的个体。以此在对元器件进行塑封前就设置好电磁屏蔽墙，其能够根据实际的屏蔽要求来对应的设置，使得电磁屏蔽墙的位置更加精准，且所需要的材料也相对较少，从而就能够有效减少屏蔽封装的成本。少屏蔽封装的成本。少屏蔽封装的成本。

【技术实现步骤摘要】
屏蔽封装工艺及屏蔽封装结构


[0001]本专利技术涉及半导体的
，尤其涉及一种屏蔽封装工艺及屏蔽封装结构。

技术介绍

[0002]芯片的集成化发展是目前半导体行业的重要部分，其能够将不同功能的芯片集成于一个射频模组中，以分别实现对应的功能。但是多个芯片之间在同时使用时会产生电磁干扰，减弱信号的传递效果，进而影响设备模组整体的正常运行，因此需要在相邻芯片之间建立屏蔽层，隔离干扰，也就是对芯片进行屏蔽封装。
[0003]现有技术中，屏蔽封装结构在制造时，都是先将芯片焊接在基板上，然后进行塑封，塑封完成后再通过激光对准需要设置屏蔽结构的位置进行烧穿作业，从而在基板上形成一个槽孔类的结构，然后在槽孔内部注入导电胶，从而完成对芯片的屏蔽封装。
[0004]而该封装过程中，在塑封完成后再确定设置屏蔽结构的位置，其精度较低，且为了满足屏蔽的要求，所需要的形成的槽孔的空间也较大，这就会导致整个屏蔽封装过程成本偏高。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种屏蔽封装工艺及屏蔽封装结构，解决了现有技术中屏蔽封装过程中为了满足屏蔽的要求，需要形成较大空间的槽孔来注射导电胶，导致整个屏蔽封装过程的成本偏高的问题。
[0006]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0007]一种屏蔽封装工艺，其包括：提供一基板，所述基板上具有多个用于安装元器件的模组芯片区和位于相邻两个所述模组芯片区之间的电磁屏蔽区；在所述基板设置所述元器件的一侧设置包封层以覆盖所有所述元器件；在所述基板的电磁屏蔽区内通过三维打印形成电磁屏蔽墙，以隔离相邻两个所述模组芯片区内的所述元器件；在所述基板设置所述元器件的一侧填充塑封料并覆盖所述电磁屏蔽墙；对填充所述塑封料的所述基板进行切割以将多个所述模组芯片区分离为单独的个体。
[0008]可选地，所述通过三维打印形成电磁屏蔽墙具体包括：在所述电磁屏蔽区内通过叠加打印方式堆叠金属浆料；在所述金属浆料堆叠完成后，将所述基板放入烤箱内加热以使得金属浆料固化形成所述电磁屏蔽墙。
[0009]可选地，在形成所述电磁屏蔽墙前，所述屏蔽封装工艺还包括：使用激光去除所述电磁屏蔽区内的所述包封层。
[0010]可选地，所述使用激光去除所述电磁屏蔽区内的所述包封层，具体包括：清洗所述电磁屏蔽区，并向所述电磁屏蔽区照射激光，以去除所述电磁屏蔽区内的包封层和氧化铜；停止激光照射后，通过等离子对所述电磁屏蔽区进行清洁。
[0011]可选地，在对所述基板进行切割前，所述屏蔽封装工艺还包括：打磨所述塑封料至漏出所述电磁屏蔽墙。
[0012]可选地，在对所述基板进行切割后，所述屏蔽封装工艺还包括：在所述单独的个体的外表面设置外屏蔽层。
[0013]可选地，所述电磁屏蔽墙的材料为银。
[0014]可选地，所述塑封料的材料为环氧树脂。
[0015]一种屏蔽封装结构，其通过如上述中任一项所述的屏蔽封装工艺形成，具体包括：基板、包封层以及多个元器件。所述基板上具有多个模组芯片区和位于相邻所述模组芯片区之间的电磁屏蔽区；多个元器件设置于所述模组芯片区，每个所述电磁屏蔽区内均设置有电磁屏蔽区，以隔离相邻所述模组芯片区内的所述元器件。包封层设置于所述基板上并覆盖多个所述元器件。塑封料填充于所述基板的侧面并覆盖所述电磁屏蔽墙和所述多个元器件。
[0016]可选地，所述元器件包括芯片。
[0017]本专利技术的有益效果：
[0018]在元器件安装时，提前预留出空间充足的电磁屏蔽区，在元器件安装完成后，就可以直接在基板上通过三维打印形成电磁屏蔽墙，再利用塑封料覆盖整个电磁屏蔽墙和元器件，形成塑封，最后再通过切割形成单独的个体。以此在对元器件进行塑封前就设置好电磁屏蔽墙，其能够根据实际的屏蔽要求来对应的设置，使得电磁屏蔽墙的位置更加精准，且所需要的材料也相对较少，从而就能够有效减少屏蔽封装的成本。
[0019]该屏蔽封装结构在通过上述的屏蔽封装工艺制成时，电磁屏蔽墙能够在塑封前通过三维打印来实现，以使得电磁屏蔽墙在设置时的位置更加精准，所需要的材料也相对较少，从而有效减少该屏蔽封装结构的整体生产成本。
附图说明
[0020]图1为本专利技术一些实施例中屏蔽封装工艺的流程示意图。
[0021]图2为本专利技术一些实施例中屏蔽封装结构的示意图。
[0022]图3为本专利技术一些实施例中屏蔽封装结构设置电磁屏蔽墙后的结构示意图。
[0023]图4为本专利技术一些实施例中屏蔽封装结构的填充塑封料后的结构示意图。
[0024]图5为本专利技术一些实施例中屏蔽封装结构进行切割的结构示意图。
[0025]图6为本专利技术一些实施例中屏蔽封装工艺中形成电磁屏蔽区的流程示意图。
[0026]图7为本专利技术一些实施例中屏蔽封装工艺的去除包封层的流程示意图。
[0027]图8为本专利技术一些实施例中屏蔽封装结构中打磨塑封料后的结构示意图。
[0028]图中：
[0029]100、基板；110、导电层；120、导电凸块；130、阻焊层；140、接地引脚；200、包封层；300、元器件；400、电磁屏蔽墙；500、塑封料；600、外屏蔽层；700、激光。
具体实施方式
[0030]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0031]在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应
做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0032]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0033]在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。
[0034]本专利技术提供一种屏蔽封装工艺及屏蔽封装结构。
[0035]图1为本专利技术一些实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种屏蔽封装工艺，其特征在于，所述屏蔽封装工艺包括：提供一基板(100)，所述基板(100)上具有多个用于安装元器件(300)的模组芯片区和位于相邻两个所述模组芯片区之间的电磁屏蔽区；在所述基板(100)设置所述元器件(300)的一侧设置包封层(200)以覆盖所有所述元器件(300)；在所述基板(100)的电磁屏蔽区内通过三维打印形成电磁屏蔽墙(400)，以隔离相邻两个所述模组芯片区内的所述元器件(300)；在所述基板(100)设置所述元器件(300)的一侧填充塑封料(500)并覆盖所述电磁屏蔽墙(400)；对填充所述塑封料(500)的所述基板(100)进行切割以将多个所述模组芯片区分离为单独的个体。2.根据权利要求1所述的屏蔽封装工艺，其特征在于，所述通过三维打印形成电磁屏蔽墙(400)具体包括：在所述电磁屏蔽区内通过叠加打印方式堆叠金属浆料；在所述金属浆料堆叠完成后，将所述基板(100)放入烤箱内加热以使得金属浆料固化形成所述电磁屏蔽墙(400)。3.根据权利要求1所述的屏蔽封装工艺，其特征在于，在形成所述电磁屏蔽墙(400)前，所述屏蔽封装工艺还包括：使用激光(700)去除所述电磁屏蔽区内的所述包封层(200)。4.根据权利要求3所述的屏蔽封装工艺，其特征在于，所述使用激光(700)去除电磁屏蔽区内的所述包封层(200)，具体包括：清洗所述电磁屏蔽区，并向所述电磁屏蔽区照射激光(700)，以去除所述电磁屏蔽区内的包封层(200)...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋驭超，王鑫，王亮，徐杰，
申请(专利权)人：江苏卓胜微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：