【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种方法，尤其是一种深槽隔离填充的方法，具体地说是基于非bosch工艺下的深槽隔离填充的方法。
技术介绍
1、在bicoms工艺中，深槽隔离技术是指在器件之间刻出深度大于3微米的深沟槽，并采用二氧化硅或多晶硅对刻出的沟槽回填，最后用化学机械研磨(cmp)使回填后的表面平坦化。
2、由于深深槽具有较高的深宽比，此时，深槽隔离的填充对深沟槽的轮廓(profile)要求非常严格，具体为：对刻蚀后的沟槽侧壁，不仅光滑而且侧壁角度要尽可能大，这样才能实现足够刻蚀深度的同时，又不会出现刻蚀终止(etch stop)的现象。
3、综上，对高深宽比的深沟槽，如何有效填充，又能降低工艺成本，是目前继续解决的技术难题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种深槽隔离填充的方法，其可有效实现深槽隔离填充，与现有工艺兼容，降低工艺成本，提高深槽隔离填充的可靠性。
2、按照本专利技术提供的技术方案，一种深槽隔离填充的方法，所述方法包括：
3、提供待隔离填充的基体，其中，所述基体至少包括衬底、设置于所述衬底上的氧化层以及设置于氧化层上的阻挡掩膜层；
4、对上述的氧化层以及阻挡掩膜层进行刻蚀，以形成用于对衬底进行沟槽刻蚀的沟槽刻蚀窗口，所述沟槽刻蚀窗口贯通阻挡掩膜层以及氧化层；
5、基于上述的氧化层、阻挡掩膜层以及沟槽刻蚀窗口，对衬底进行沟槽刻蚀，以在沟槽刻蚀后得到若干位于衬底内的深沟槽，其中，
6、对上述的深沟槽进行回填，以得到填充在所述深沟槽内的沟槽回填体；
7、去除上述的氧化层以及阻挡掩膜层，并对衬底的表面进行平坦化。
8、制备形成沟槽刻蚀窗口时，包括：
9、对阻挡掩膜层进行选择性地掩蔽和刻蚀，以得到若干贯通阻挡掩膜层的掩膜层窗口；
10、基于上述的阻挡掩膜层以及掩膜层窗口，对氧化层进行刻蚀，以得到与掩膜层窗口对应的沟槽刻蚀窗口。
11、利用ccp机台对氧化层刻蚀，以刻蚀得到沟槽刻蚀窗口，其中，利用ccp机台对氧化层刻蚀时，所述刻蚀工艺的条件包括气体条件、选择比条件、频率功率条件以及压力条件，其中，
12、所述气体条件包括cf4气体、o2气体、chf3气体以及ar；
13、选择比条件为所配置的选择比大于5；
14、频率功率条件包括低频率功率条件、中频率功率条件或高频率功率条件，其中，低频率功率条件中的功率为1500-2500w，中频率功率条件中的功率为500-1500w，高频率功率条件中的功率为0-500w；
15、所述压力条件包括刻蚀时的压力为200mt-300mt。
16、所述阻挡掩膜层的材料包括光刻胶；
17、利用ccp机台刻蚀得到沟槽刻蚀窗口后，还包括对所述沟槽刻蚀窗口进行清理的清理工艺步骤。
18、对清理工艺步骤，包括清理气体条件、清理频率功率条件以及清理压力条件，其中，
19、所述清理气体条件包括o2气体以及cf4气体；
20、所述清理频率功率条件包括低频率功率条件、中频率功率条件或高频率功率条件，其中，低频率功率条件中的功率为0-500w，中频率功率条件中的功率为0-500w，高频率功率条件中的功率为0-1000w；
21、所述清理压力条件包括清理时的压力为400mt-500mt。
22、利用icp机台对衬底内刻蚀得到上部槽体时，所述刻蚀工艺包括气体条件、功率条件以及压力条件，其中，
23、所述气体条件包括chxfy气体以及cf4气体，其中，x>0，y>0；
24、所述功率条件包括源功率以及偏置电压功率，其中，源功率为：100-600w；偏置电压功率为：100-200w；
25、所述压力条件包括刻蚀的压力为0-30mt。
26、利用icp机台对衬底刻蚀得到主槽体时，所述刻蚀条件包括气体条件、选择比条件、功率条件以及压力条件，其中，
27、气体条件包括sf6气体以及o 2气体；
28、功率条件包括源功率以及偏置电压功率，其中，源功率为700-1500w，偏置电压功率为0-200w；
29、所述选择比条件包括选择比大于5；
30、所述压力条件包括刻蚀压力为10mt-50mt。
31、在刻蚀制备得到深沟槽后，对所述深沟槽进行wet pull back工艺。
32、所述深沟槽的深度大于3μm。
33、所述沟槽回填体包括二氧化硅或多晶硅。
34、本专利技术的优点：基体包括衬底、氧化层以及阻挡掩膜层，利用ccp机台对氧化层刻蚀，以能在得到沟槽刻蚀窗口的情况下保留阻挡掩膜层，利用icp机台对沟槽刻蚀窗口进行清理，并在清理后利用icp机台进行沟槽刻蚀，以依次制备得到上部槽体以及主槽体，利用上部槽体以及主槽体形成深沟槽，在wet pull back工艺后，对深沟槽进行回填工艺，以制备得到沟槽回填体，在没有采用bosch工艺的情况下，充分发挥ccp机台以及icp机台的特性下，可有效深沟槽的制备，并可有效实现深槽隔离填充，提高深槽隔离技术的适应范围，降低深槽隔离技术的成本，与现有的工艺设备兼容。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种深槽隔离填充的方法，其特征是，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的深槽隔离填充的方法，其特征是，制备形成沟槽刻蚀窗口时，包括：
3.根据权利要求2所述的深槽隔离填充的方法，其特征是，利用CCP机台对氧化层刻蚀，以刻蚀得到沟槽刻蚀窗口，其中，利用CCP机台对氧化层刻蚀时，
4.根据权利要求3所述的深槽隔离填充的方法，其特征是，所述阻挡掩膜层的材料包括光刻胶；
5.根据权利要求4所述的深槽隔离填充的方法，其特征是，对清理工艺步骤，包括清理气体条件、清理频率功率条件以及清理压力条件，其中，
6.根据权利要求5所述的深槽隔离填充的方法，其特征是，利用ICP机台对衬底内刻蚀得到上部槽体时，所述刻蚀工艺包括气体条件、功率条件以及压力条件，其中，
7.根据权利要求6所述的深槽隔离填充的方法，其特征是，利用ICP机台对衬底刻蚀得到主槽体时，所述刻蚀条件包括气体条件、选择比条件、功率条件以及压力条件，其中，
8.根据权利要求1至7任一项所述的深槽隔离填充的方法，其特征是，在刻蚀制备得到深沟槽后，对所述深
9.根据权利要求1至7任一项所述的深槽隔离填充的方法，其特征是，所述深沟槽的深度大于3μm。
10.根据权利要求1至7任一项所述的深槽隔离填充的方法，其特征是，所述沟槽回填体包括二氧化硅或多晶硅。
...【技术特征摘要】
1.一种深槽隔离填充的方法，其特征是，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的深槽隔离填充的方法，其特征是，制备形成沟槽刻蚀窗口时，包括：
3.根据权利要求2所述的深槽隔离填充的方法，其特征是，利用ccp机台对氧化层刻蚀，以刻蚀得到沟槽刻蚀窗口，其中，利用ccp机台对氧化层刻蚀时，
4.根据权利要求3所述的深槽隔离填充的方法，其特征是，所述阻挡掩膜层的材料包括光刻胶；
5.根据权利要求4所述的深槽隔离填充的方法，其特征是，对清理工艺步骤，包括清理气体条件、清理频率功率条件以及清理压力条件，其中，
6.根据权利要求5所述的深槽隔离填充的方法，其特征是，利用icp机...
【专利技术属性】
技术研发人员：白宇，封贻杰，丁超，张京晶，
申请(专利权)人：江苏卓胜微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。