【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装的制造方法
[0001]本专利技术涉及芯片封装的
,特别涉及一种芯片封装的制造方法。
技术介绍
[0002]现芯片封装工艺为在卷对卷加工工艺,PI表面有覆着铜,在铜面进行工艺线路加工处理,由于铜厚度较厚在进行工艺加工时,线宽线距受到影响,所以线路之间形成的线宽较宽,造成了整个产品的面积较大,占用了较大空间,不适应现有电子产品整体体积缩小的要求,同时也增加了生产成本。随着它的发展,越来越要求电子产品要具有高性能、多功能、高可靠、小型化、薄型化、便捷化以及将大众化普及所要求的低成等特点。这样必然要求封装工艺要更好、更轻、更薄、封装密度更高,更好的电性能和热性能,更高的可靠性,更高的性能价格比。在传统工艺中,通常的减成法(Subtractive),其线宽线距能做到20~22微米,而半加成法(Semi
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additive),线宽线距可达到8~20微米;双面金属法,其线宽线距则可以达到9~25微米,这三种方法很难再进一步精细化。
技术实现思路
[0003]针对上述技术问题,本专利技术提供一种芯片封装的制造方法,其能够较好地减小线宽,从而使得整个成型产品的占用面积减小,同时也能较好的降低成本,实现面板级的封装。
[0004]其技术方案是这样的:一种芯片封装的制造方法,其特征在于包括以下步骤:(1)将柔性薄膜临时键合至玻璃上;(2)在柔性薄膜表面溅射金属,形成金属层;(3)在金属层上采用TFT黄光线路制作电路;(4)在电路上涂覆绝缘油墨;(5)在电路上进行绑定焊接芯片;( ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片封装的制造方法,其特征在于包括以下步骤:(1)将柔性薄膜临时键合至玻璃上;(2)在柔性薄膜表面溅射金属,形成金属层;(3)在金属层上制作电路;(4)在电路上涂覆绝缘油墨;(5)在电路上进行绑定焊接芯片;(6)分离柔性薄膜和玻璃,使用分离设备将其分离。2.根据权利要求1所述的一种芯片封装的制造方法,其特征在于:电路采用黄光线路制作。3.根据权利要求1所述的一种芯片封装的制...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐洪光,黄孝敏,贺宜华,
申请(专利权)人:无锡百柔光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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